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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CA3127MZ	-	RFQ	7343	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）			85MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	48			27db〜30dB											15V	20mA	5 NPN	35 @ 5mA，6v	1.15GHz	3.5db @ 100MHz
RJK0328DPB-01＃j0	1.5057	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0328	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	42 NC @ 4.5 V	±20V	6380 pf @ 10 V	-	65W（TC）
NP90N055VDG-E1-AY	1.6200	RFQ	750	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	90A（TC）		6mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
2SJ601（0）-z-e1-az	-	RFQ	7924	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000					36a（TC）
2SK973L-E	1.1500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
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RJK03M5DPA-00＃j5a	0.7064	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	RJK03M5	MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK03M5DPA-00＃j5Act	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	30a（TA）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	-	10.4 NC @ 4.5 V	±20V	1890 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK5026DPP-M0 ＃T2	-	RFQ	6474	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK5026	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	-	14 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
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NP60N06PDK-E1-AY	0.9890	RFQ	2559	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NP60N06	MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		559-NP60N06PDK-E1-AYTR	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	60a	4.5V，10V	12mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	105W
RJK0305DPB-WS＃j0	-	RFQ	1637年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1250 pf @ 10 V	-	45W（TC）
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HAT2165HWS-E	-	RFQ	8567	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	55A（ta）	4.5V，10V	3.3MOHM @ 27.5A，10V	2.5V @ 1mA	33 NC @ 4.5 V	±20V	5180 pf @ 10 V	-	30W（TC）
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2SJ550STL-E	-	RFQ	2706	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				2SJ550	-			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000												-
2SC3632-Z-e1-az	-	RFQ	9267	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	2,000
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RJK0366DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	25A（TA）		11.1MOHM @ 12.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V		1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
2SC2619FBTR-E	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
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N0100P-T1-AT	-	RFQ	2854	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的								下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000					3.5A（ta）
HAT2166H-EL-E	-	RFQ	2655	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2166	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	45A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 22.5a，10v	2.5V @ 1mA	27 NC @ 4.5 V	±20V	4400 pf @ 10 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²