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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
2SJ599（0）-z-e2-az	-	RFQ	6594	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000									20A（TC）
2SD1286-Z-E1-AZ	0.6700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,000
NP109N04PUK-E1-AY	3.4600	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NP109N04			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	110A（TC）	10V	1.75MOHM @ 55A，10V	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
2SD2161-AZ	0.8900	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
2SK3755-az	-	RFQ	6815	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000									45A（TC）
RJK0703DPP-A0 ＃T2	3.2700	RFQ	6707	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	RJK0703			MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						75 v	70a（ta）	10V	6.7MOHM @ 35A，10V	4V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TA）
2SK3793-az	1.3061	RFQ	1801年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	上次购买		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡				MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道						100 v	12A（TC）	4.5V，10V	125mohm @ 6a，10v	-	21 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 10 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
2SC3568（8）-az	2.4000	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
N0602N-S19-AY	2.6000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡	N0602N-S19			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0602N-S19-AY	Ear99	8541.29.0095	50		n通道						60 V	100A（TA）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	-	133 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），156w（tc）
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2SK3993-ZK-E1-AZ	1.5200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						25 v	64A（TC）		3.8mohm @ 32a，10v	3V @ 1mA	88 NC @ 10 V		4770 pf @ 10 V	-
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NP60N03KUG-E1-AY	-	RFQ	6079	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						30 V	60a（TC）	10V	4.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），88W（tc）
2SJ687-ZK-e2-ay	1.4800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
UPA2737GR-E1-AT	-	RFQ	2029	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	-	45 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
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NE3520S03-T1C-A	1.0000	RFQ	2016	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	4 V		表面安装	4-SMD，平坦的铅			20GHz	HFET		4-SMD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			70mA			-	13.5dB											-										2 v
RJK6002DPD-00＃j2	-	RFQ	1733年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RJK6002			MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	2A（TA）	10V	6.8ohm @ 1A，10V	-	6.2 NC @ 10 V	±30V	165 pf @ 25 V	-	30W（TC）
3SK318YB-TL-E	-	RFQ	4095	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SC-82A，SOT-343			-	MOSFET		CMPAK-4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		-		10 MA	-	21dB											1.4dB										3.5 v
UPA2451CTL-E1-A	0.6100	RFQ	392	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451			MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	8.2a		20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.3nc @ 4V		605pf @ 10V	逻辑级别门
FS30ASJ-06F ＃B00	0.9700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					FS30ASJ			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1																-
RJH65T04BDPM-A0 ＃T2	6.2900	RFQ	9860	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	SC-94		标准			65 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				400V，30a，10ohm，15V															80 ns	沟	650 v	60 a		1.95V @ 15V，30a	360µJ（在）上，350µJ（OFF）	74 NC	35NS/125NS
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2SA1221-AZ	0.3100	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
NP90N04NUK-S18-AY	-	RFQ	8416	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP90N04			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						40 V	90A（TC）	10V	2.8mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7050 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），176w（tc）
UPA2803T1L-E2-AY	1.1900	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						20 v	20A（TA）		5.8mohm @ 20a，4.5V	1.5V @ 1mA	20 NC @ 4 V		2450 pf @ 10 V	-
2SK2499-AZ	3.4000	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
RJP60F5DPK-01 ＃T0	3.7800	RFQ	110	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJP60F5	标准			260.4 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJP60F5DPK01T0	Ear99	8541.29.0095	1				400V，30a，5ohm，15V																-	600 v	80 a	160 a	1.8V @ 15V，40a	-	74 NC	53NS/90NS
2SK160A（1）-t1b-a	0.1500	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
2SD1126K-E	2.4100	RFQ	5421	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	90

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²