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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
UPA1556AH（1）-az	-	RFQ	6049	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-						0000.00.0000	72
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UPA2737GR-E1-AT	-	RFQ	2029	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	-	45 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
2SK3430-AZ	-	RFQ	1344	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道					40 V	80A（TC）	4V，10V	7.3MOHM @ 40a，10v	-	50 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
RJK0652DPB-00＃j5	1.1907	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0652			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道					60 V	35A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 17.5A，10V	-	29 NC @ 4.5 V	±20V	4100 PF @ 10 V	-	55W（TC）
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RJK1525DPS-00＃t2	1.0500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
UPA2815T1S-E2-AT	0.5181	RFQ	9509	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	UPA2815			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道					30 V	21a（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 21a，10v	-	47 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
FS3 km-9a ＃B00	1.7100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
UPA1727G-E1-A	-	RFQ	3028	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000							10a（TJ）
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UPA1809GR-9JG-E1-A	0.3520	RFQ	6909	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					30 V	8a（8a）		21MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V		520 pf @ 10 V	-
2SK2788VY90TR	-	RFQ	6314	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					2SK2788			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000														-
UPD703014BGC-A21-8EU-A	-	RFQ	7578	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
2SK3479-Z-AZ	-	RFQ	9710	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SA673ABTZ-E	0.4100	RFQ	35	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
RJH60D6DPM-00＃t1	-	RFQ	7371	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D6	标准			50 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60D6DPM00T1	Ear99	8541.29.0095	1			300V，40a，5ohm，15V														100 ns	沟	600 v	80 a	2.2V @ 15V，40a	850µJ（在）上，600µJ（600µJ）	104 NC	50NS/160NS
NP110N04PUG-E1-AY	-	RFQ	8584	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NP110N04			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道					40 V	110A（TC）	10V	1.8MOHM @ 55A，10V	4V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±20V	25700 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），288W（tc）
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FS30ASJ-06F ＃B00	0.9700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的					FS30ASJ			-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1														-
RJH60F5DPQ-A0 ＃T0	-	RFQ	9919	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH60F5	标准			260.4 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，5ohm，15V														90 ns	沟	600 v	80 a	1.8V @ 15V，40a	-		53NS/105NS
RJH65T04BDPM-A0 ＃T2	6.2900	RFQ	9860	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	SC-94		标准			65 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，30a，10ohm，15V														80 ns	沟	650 v	60 a	1.95V @ 15V，30a	360µJ（在）上，350µJ（OFF）	74 NC	35NS/125NS
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NP90N04NUK-S18-AY	-	RFQ	8416	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP90N04			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					40 V	90A（TC）	10V	2.8mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7050 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），176w（tc）
UPA2803T1L-E2-AY	1.1900	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫				MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					20 v	20A（TA）		5.8mohm @ 20a，4.5V	1.5V @ 1mA	20 NC @ 4 V		2450 pf @ 10 V	-
2SC5998YC-TL-E	0.5700	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²