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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2SK2935-91-E	3.1900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SK1567-E	4.3200	RFQ	228	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
RJK03B9DNS-00＃j5	0.4800	RFQ	175	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5,000
RJK0701DPP-E0 ＃T2	3.5500	RFQ	347	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1		n通道					75 v	100A（TA）		3.8mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V		10 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK0853DPB-00＃j5	1.4077	RFQ	5889	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0853		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					80 V	40a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	-	40 NC @ 4.5 V	±20V	6170 pf @ 10 V	-	65W（TC）
2SD2164-AZ	0.9600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
2SJ598-zk-e1-az	1.0100	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					60 V	12A（TC）	4V，10V	130mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	720 PF @ 10 V	-	1W（TA），23W（tc）
UPA2590T1H-T1-AT	0.5500	RFQ	66	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590		MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道						30V	4.5a		50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V		310pf @ 10V	逻辑级别门
HFA3096B96	-	RFQ	8272	Renesas Electronics America Inc	-	-	过时的		150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3096			150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500						-												12V，15V	65mA		3 NPN + 2 PNP	40 @ 10mA，2v / 20 @ 10mA，2V	8GHz，5.5GHz	3.5db @ 1GHz
2SC5289-T1-A	0.2700	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000
RJK03M5DNS-00＃j5	0.4991	RFQ	7606	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK03M5		MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	25A（TA）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 12.5A，10V	-	10.4 NC @ 4.5 V	±20V	1890 pf @ 10 V	-	15W（TC）
RJK0393DPA-00＃j5a	0.7655	RFQ	4991	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK0393		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	40a（ta）	4.5V，10V	4.3mohm @ 20a，10v	-	21 NC @ 4.5 V	±20V	3270 pf @ 10 V	-	40W（TC）
RJK4006DPP-M0 ＃T2	-	RFQ	1290	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK4006		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					400 v	8a（8a）	10V	800MOHM @ 4A，10V	-	20 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	29W（TC）
2SA1444（3）-s6	-	RFQ	5276	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
RJK03P5DPA-00＃j5a	0.5500	RFQ	468	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
NP109N04PUK-E1-AY	3.4600	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	NP109N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	110A（TC）	10V	1.75MOHM @ 55A，10V	4V @ 250µA	189 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
H5N5005PL-E	-	RFQ	9149	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
NP60N04MUG-S18-AY	-	RFQ	5854	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	60a（TC）	10V	6.3mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），88W（tc）
UPA1814GR-9JG-E1-A	0.4586	RFQ	9943	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	7a（ta）		16mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V		2180 pf @ 10 V	-
2SD2161-AZ	0.8900	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1
UPA2382T1P-E1-A YK1	-	RFQ	6277	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的					UPA2382		-			-				559-UPA2382T1P-E1-A YK1	过时的		1															-
3SK318YB-TL-E	-	RFQ	4095	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	6 V		表面安装	SC-82A，SOT-343		-	MOSFET		CMPAK-4	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		-	10 MA	-	21dB											1.4dB			3.5 v
UPA2451CTL-E1-A	0.6100	RFQ	392	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	8.2a		20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.3nc @ 4V		605pf @ 10V	逻辑级别门
RJK6002DPD-00＃j2	-	RFQ	1733年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RJK6002		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					600 v	2A（TA）	10V	6.8ohm @ 1A，10V	-	6.2 NC @ 10 V	±30V	165 pf @ 25 V	-	30W（TC）
2SB647C-E	-	RFQ	6830	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	392
2SK3055-az	2.4200	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SK1850（0）-t-az	2.5900	RFQ	85	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2SJ358 （0）-t1-ay	-	RFQ	9383	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
HFA3127RZ	9.7361	RFQ	5934	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3127			150MW	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100						-												12V	65mA		5 NPN	40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
NP88N075KUE-E1-AY	-	RFQ	8545	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					75 v	88A（TC）	10V	8.5mohm @ 44a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	12300 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），288W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²