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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
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NP161N04TUG-E1-AY	3.8500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	160a（TC）		1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	345 NC @ 10 V		20.25 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
UPA2451CTL-E1-A	0.6100	RFQ	392	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	8.2a		20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.3nc @ 4V		605pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1809GR-9JG-E2-A	0.5500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	8a（8a）		21MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V		520 pf @ 10 V	-
2SK2090-T2-A	0.2000	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		50 V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			6000 pf @ 3 V	-
RJK0204DPA-00＃j53	0.9400	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	50a（ta）		2.7MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V		4240 pf @ 10 V	-	-
UPA1816GR-9JG-E1-A	0.5800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		12 v	9a（9a）		15mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	15 NC @ 4 V		1570 pf @ 10 V	-
RJK0397DPA-00＃j53	0.5100	RFQ	188	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	30a（TA）		10.1MOHM @ 15A，10V	-	7.4 NC @ 4.5 V		1110 PF @ 10 V	-	25W（TC）
UPA2791GR-E1-AT	0.7200	RFQ	90	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2791	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	5a		36mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V		400pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1874BGR-9JG-E1-A	0.7300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1874	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	8a		14mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	10NC @ 4V		930pf @ 10V	逻辑级别门
RJK0328DPB-00＃j0	1.4800	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	60a（ta）		2.1MOHM @ 30a，10v	-	42 NC @ 4.5 V		6380 pf @ 10 V	-	-
UPA2727UT1A-E1-AY	0.6300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	16A（TA）		9.6mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	11 NC @ 5 V		1170 pf @ 15 V	-
UPA2718AGR-E1-AT	0.9400	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	13A（TA）		9mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V		2810 PF @ 10 V	-
UPA2210T1M-T1-AT	0.6500	RFQ	180	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		8-VSOF	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	7.2A（ta）		29mohm @ 7.2A，4.5V	1.5V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V		1350 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
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RJK03B7DPA-00＃j5a	0.5100	RFQ	197	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	30a（TA）		7.8mohm @ 15a，10v	-	11 NC @ 4.5 V		1670 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK0236DPA-00＃j5a	0.8400	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	50a（ta）		1.8mohm @ 25a，10v	-	31 NC @ 4.5 V		6130 PF @ 10 V	-	50W（TC）
RJK03P7DPA-00＃j5a	1.3600	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	RJK03P7	MOSFET （金属 o化物）	10W，20W	8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）			30V	15a，30a		9.4mohm @ 7.5A，10V	-	7.1nc @ 4.5V		1190pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
UPA2521T1H-T1-AT	0.7200	RFQ	147	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		8-VSOF	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	8a（8a）		16.5MOHM @ 8A，10V	2.5V @ 1mA	7.6 NC @ 5 V		780 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RJK0701DPN-E0 ＃T2	3.5500	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	100A（TA）		3.8mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V		10 pf @ 10 V	-	200W（TC）
RJK0657DPA-00＃j5a	0.7200	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		60 V	20A（TA）		13.6mohm @ 10a，10v	-	16 NC @ 10 V		1000 pf @ 10 V	-	45W（TC）
UPA651TT-E1-A	0.2900	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-wsof	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	5A（5A）		69mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	5.5 NC @ 4 V		600 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
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RJK03P9DPA-00＃j5a	1.3600	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	RJK03P9	MOSFET （金属 o化物）	15W，35W	8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）			30V	20a，50a		7mohm @ 10a，10v	-	7.7nc @ 4.5V		1660pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
UPA2803T1L-E2-AY	1.1900	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	20A（TA）		5.8mohm @ 20a，4.5V	1.5V @ 1mA	20 NC @ 4 V		2450 pf @ 10 V	-
RJK0701DPP-E0 ＃T2	3.5500	RFQ	347	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	100A（TA）		3.8mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V		10 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK0702DPN-E0 ＃T2	2.4400	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	90A（ta）		4.8mohm @ 45a，10v	-	89 NC @ 10 V		10 pf @ 10 V	-	150W（TC）
2SC4095-T1-A	0.3600	RFQ	189	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA			200MW	SOT-143	下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	3,000			12DB											10V	35mA	NPN	50 @ 10mA，6v	10GHz	1.8dB @ 2GHz
2SK3993-ZK-E1-AZ	1.5200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	64A（TC）		3.8mohm @ 32a，10v	3V @ 1mA	88 NC @ 10 V		4770 pf @ 10 V	-
UPA2600T1R-E2-AX	-	RFQ	8653	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	UPA2600	MOSFET （金属 o化物）		6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	19.1MOHM @ 3.5A，2.5V	-	7.9 NC @ 10 V	±12V	870 pf @ 10 V	-	2.4W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²