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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
RJK60S5DPK-M0＃t0	14.8000	RFQ	70	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3psg	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	100		n通道					600 v	20A（TC）	178mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V	1600 pf @ 25 V	-
RJK0366DPA-02＃j0b	0.8500	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	25A（TA）	10mohm @ 12.5a，10v	-	6.8 NC @ 4.5 V	1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
2SJ463A-T1-AT	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					30 V	（100mA）（TA）	13ohm @ 10mA，10v	1.7V @ 10µA		5000 pf @ 3 V	-
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UPA2590T1H-T2-AT	0.5100	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590		MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道						30V	4.5a	50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V	310pf @ 10V	逻辑级别门
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RJK60S4DPP-E0 ＃T2	4.6200	RFQ	114	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	100		n通道					600 v	16A（TC）	290MOHM @ 8A，10V	-	18 nc @ 10 V	988 PF @ 25 V	-	29.9W（TC）
HAT2173N-EL-E	-	RFQ	8022	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	25A（TA）	15.3MOHM @ 12.5A，10V	6V @ 20mA	61 NC @ 10 V	4350 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK1658-T1-A	0.1700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	（100mA）（TA）	25ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA		15 pf @ 3 V	-
HAF1002-90STL	1.0000	RFQ	3963	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-83			MOSFET （金属 o化物）		ldpak	-	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					60 V	15A（TA）	90MOHM @ 7.5A，10V	-			-	50W（TC）
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NP80N055PDG-E1B-ay	1.8700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	80A（TC）	6.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
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RJK0394DPA-00＃j5a	0.8500	RFQ	96	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	35A（TA）	5.3MOHM @ 17.5A，10V	-	15.5 NC @ 4.5 V	2430 pf @ 10 V	-	35W（TC）
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2SC5606-T1-A	1.0000	RFQ	4600	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-523				115MW	SOT-523	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000						14dB										3.3V	35mA		NPN	60 @ 5mA，2V	21GHz	1.2dB @ 2GHz
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NP90N055VDG-E1-AY	1.6200	RFQ	750	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	90A（TC）	6mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RJK0366DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	25A（TA）	11.1MOHM @ 12.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V	1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
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RJK0346DPA-00＃j0	-	RFQ	8999	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	65A（TA）	2mohm @ 32.5a，10v	-	49 NC @ 4.5 V	7650 pf @ 10 V	-	65W（TC）
HAT2218R-EL-E	0.7700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2218		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-sop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）						30V	7.5a，8a	24mohm @ 3.75a，10V	-	4.6NC @ 4.5V	630pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
NP90N04VLG-E1-AY	1.6800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	90A（TC）	4mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²