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（2349））

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RJK5014DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	4901	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	（19a ta）	10V	390MOHM @ 9.5A，10V	-	46 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
N0412N-S19-AY	2.2000	RFQ	974	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	N0412N-S19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0412N-S19-AY	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	100A（TA）	10V	3.7MOHM @ 50a，10v	-	100 nc @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），119w（tc）
N0602N-S19-AY	2.6000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡	N0602N-S19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0602N-S19-AY	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			60 V	100A（TA）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	-	133 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），156w（tc）
N0603N-S23-AY	2.8400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	N0603N-S23		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0603N-S23-AY	Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	100A（TA）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	-	133 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），156w（tc）
NP40N10PDF-E1-AY	-	RFQ	2158	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	40a（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
NP40N10YDF-E1-AY	-	RFQ	7762	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hson	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			100 v	40a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1W（ta），120W（tc）
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NP60N055NUK-S18-AY	-	RFQ	4999	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP60N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	60a（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），105W（（tc）
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NP89N055MUK-S18-AY	-	RFQ	6524	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NP89N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
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RJH60D5DPK-00 t0	-	RFQ	8236	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D5	标准		200 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			300V，37A，5OHM，15V												100 ns	沟	600 v	75 a	2.2V @ 15V，37a	650µJ（在）上，400µJ（400µJ）	78 NC	50NS/135NS
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²