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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2SJ601-zk-e1-az	1.7900	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	36a（TC）	4V，10V	31mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 10 V	-	1W（ta），65W（tc）
N0436N-ZK-E1-AY	2.6000	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	56a（ta）	10V	4.7MOHM @ 28A，10V	4V @ 1mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	1W（ta），87.4W（TC）
HFA3127B	-	RFQ	9745	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3127			150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	48				-													12V	65mA						5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
UPA2821T1L-E1-AT	-	RFQ	3882	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	26a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 26a，10v	-	51 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
HAT2210RWS-E	-	RFQ	7505	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2210		MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-sop	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双），肖特基				30V	7.5a（ta），8a ta）		24mohm @ 3.75a，10v，22mohm @ 4a，10v	2.5V @ 1mA	4.6NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V		630pf @ 10V，1330pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
UPA2737GR-E1-AX	0.5821	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA2737		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2737GR-E1-AXCT	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	-	45 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
N0413N-ZK-E1-AY	1.5123	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	N0413N-ZK-E1		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-N0413N-ZK-E1-AYCT	Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	100A（TA）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	-	100 nc @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），119w（tc）
2SC3568（1）-s6-az	2.4000	RFQ	771	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SB1150-AZ	0.6800	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HAT2088R-EL-E	-	RFQ	9069	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2088		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			200 v	2A（TA）	10V	440MOHM @ 1A，10V	-	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HFA3102BZ96	8.5700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3102			250MW	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500				12.4db〜17.5dB													12V	30mA						6 NPN		40 @ 10mA，3v	10GHz	1.8db〜2.1db @ 500MHz〜1GHz
HFA3127R96	-	RFQ	6282	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3127			150MW	16 QFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000				-													12V	65mA						5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
2SK2869-91L	1.5900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
NP22N055SLE-E1-AY	-	RFQ	5521	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			55 v	22a（22a）	4.5V，10V	37mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 5 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），45W（tc）
RJP4055DPP-91 ＃T2	1.0000	RFQ	9297	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
2SK2225-E	4.9926	RFQ	7630	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	2SK2225		MOSFET （金属 o化物）		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			1500 v	2A（TA）	15V	12ohm @ 1A，15V	-		±20V	984.7 pf @ 30 V	-	50W（TC）
NP60N055VUK-E1-AY	1.5100	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	NP60N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			55 v	60a（TC）	10V	5.5MOHM @ 30a，10V	4V @ 253µA	63 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RJK6025DPD-00＃j2	-	RFQ	1883年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	RJK6025		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			600 v	1A（1A）	10V	17.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	5 NC @ 10 V	±30V	37.5 pf @ 25 V	-	29.7W（TC）
RJK0358DPA-01＃j0b	0.9000	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500
UPA2201UT1M-T1-AT	0.6500	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
RJH60D7BDPQ-E0 ＃T2	-	RFQ	9123	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH60D7	标准		300 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60D7BDPQE0T2	Ear99	8541.29.0095	1			300V，50a，5ohm，15V												25 ns	沟	600 v	90 a	2.2V @ 15V，50a	（700µJ）（在1.4MJ上）	125 NC	60n/180ns
2SA1611（0）-t2-a	-	RFQ	2102	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				150兆	SC-70	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000																	50 V	100 ma					100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 1mA，6v	180MHz
RJK4007DPP-M0 ＃T2	-	RFQ	7681	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK4007		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			400 v	7.6a（ta）	10V	550MOHM @ 7A，10V	-	24.5 NC @ 10 V	±30V	850 pf @ 25 V	-	32W（TC）
HAT2116H-EL-E	-	RFQ	7380	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2116		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 15A，10V	-	26 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	15W（TC）
HFA3046BZ96	-	RFQ	1062	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3046			150MW	14-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,500				-													12V	65mA						5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
RJH60T04DPQ-A1＃t0	4.8100	RFQ	567	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH60T04	标准		208.3 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJH60T04DPQ-A1 ＃T0	Ear99	8541.29.0095	25			400V，30a，10ohm，15V												100 ns	沟	600 v	60 a	1.95V @ 15V，30a	-	87 NC	54NS/136NS
RJH65T04BDPMA0＃t2f	6.2900	RFQ	9360	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	SC-94	RJH65T04	标准		65 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJH65T04BDPMA0 ＃T2FCT	Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，30a，10ohm，15V												80 ns	沟	650 v	60 a	1.95V @ 15V，30a	360µJ（在）上，350µJ（OFF）	74 NC	35NS/125NS
RJH65T47DPQ-A0 ＃T0	-	RFQ	7186	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH65T47	标准		375 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，45A，10OHM，15V												100 ns	沟	650 v	90 a	2.4V @ 15V，45a	（520µJ）（在560µJ上）	127 NC	45NS/190NS
GWS9294	-	RFQ	1941年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-vdfn	GWS92		MOSFET （金属 o化物）	3.6W	4 QFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水				20V	10.1a（ta）		13mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4V		900pf @ 10V	-
HFA3127RZ	9.7361	RFQ	5934	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3127			150MW	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100				-													12V	65mA						5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²