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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
UPA810T-T1-A	0.4300	RFQ	807	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363				200MW	SOT-363	下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	3,000						9DB												12V	100mA		2 NPN （双）	70 @ 7mA，3v	4.5GHz	1.2db @ 1GHz
NP82N04MUG-S18-AY	2.1600	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	900		n通道					40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V		9750 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP82N04NDG-S18-AY	2.1600	RFQ	8193	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak			MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V		9 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
NP82N04MLG-S18-AY	2.3500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	900		n通道					40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V		9 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
UPA2562T1H-T1-AT	0.4100	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2562		MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-VSOF	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	4.5a		55MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	5.4NC @ 4.5V		475pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1807GR-9JG-E1-A	0.6700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	12a（12a）		10mohm @ 6a，10v	2.5V @ 1mA	19 nc @ 10 V		1000 pf @ 10 V	-
NE3521M04-T2-A	0.2100	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		20GHz	GAAS HJ-FET			下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道		70mA	6 ma	-	11DB											0.85dB			2 v
UPA1818GR-9JG-E1-A	0.8000	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					20 v	10a（10a）		15.2MOHM @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	20 NC @ 4 V		2200 PF @ 10 V	-
UPA2718AGR-E2-AT	0.9400	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					30 V	13A（TA）		9mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V		2810 PF @ 10 V	-
UPA2802T1L-E2-AY	1.2900	RFQ	210	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	18A（18A）		5.8mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	16 NC @ 5 V		1800 pf @ 10 V	-
NE3503M04-T2B-A	0.7600	RFQ	163	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		M04	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000			70mA	10 MA	-	12DB											0.45dB			2 v
RJK0332DPB-00＃j0	1.0000	RFQ	9208	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	35A（TA）		4.7MOHM @ 17.5A，10V	-	14 NC @ 4.5 V		2180 pf @ 10 V	-	-
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RJK03E3DNS-00＃j5	-	RFQ	1777年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	14A（TA）		11.6mohm @ 7A，10V	-	5.7 NC @ 4.5 V		1050 pf @ 10 V	-	10W（TC）
UPA1793G-E1-AT	0.6000	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1793		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道						20V	3a		69mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.1nc @ 4V		160pf @ 10V	逻辑级别门
RJK1001DPN-E0 ＃T2	-	RFQ	3926	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	80a（ta）		5.5MOHM @ 40a，10v	-	147 NC @ 10 V		10 pf @ 10 V	-	200W（TC）
UPA621TT-E1-A	0.2800	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-wsof	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	5A（5A）		50mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	3.3 NC @ 4 V		270 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
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2SK2858-T1-A	0.0200	RFQ	38	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					30 V	（100mA）（TA）		5ohm @ 10mA，10v	1.8V @ 10µA			9 pf @ 3 V	-
UPA1759G-E1-AT	0.5300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1759		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						60V	5a		150MOHM @ 2.5a，10V	2.5V @ 1mA	8NC @ 10V		190pf @ 10V	逻辑级别门
NE4210S01-T1B	1.0000	RFQ	5276	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD		12GHz	HFET		SMD	下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	4,000			15mA	10 MA	-	13DB											0.5dB			2 v
UPA620TT-E1-A	0.2700	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-wsof	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	5A（5A）		38mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	5.5 NC @ 4 V		450 pf @ 10 V	-
UPA2520T1H-T2-AT	0.7800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		8-VSOF	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	10a（10a）		13.2MOHM @ 10A，10V	2.5V @ 1mA	10.8 NC @ 5 V		1100 pf @ 15 V	-	1W（ta）
UPA503T-T2-A	0.2900	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-74A，SOT-753	UPA503		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59-5，迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						50V	100mA		60ohm @ 10mA，10v	2.5V @ 1µA	-		17pf @ 5V	-
UPA2701GR-E1-AT	1.7200	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	14A（TA）		7.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V		1200 pf @ 10 V	-
UPA1820GR-9JG-E1-A	0.7000	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					20 v	12a（12a）		8.6mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 1mA	27 NC @ 4 V		2020 pf @ 10 V	-
HAT2199R-EL-E	0.8500	RFQ	25	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	11a（11a）		16.5MOHM @ 5.5A，10V	-	7.5 NC @ 4.5 V		1060 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SC5751-T2-A	0.2600	RFQ	78	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-343F				205MW	SOT-343F	下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	3,000						16dB												6V	50mA		NPN	75 @ 20mA，3v	15GHz	1.7dB @ 2GHz
RJK1001DPP-A0 ＃T2	6.7400	RFQ	5871	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	RJK1001		MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					100 v	80a（ta）	10V	5.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 1mA	147 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 10 V	-	30W（TA）
RJK1002DPP-A0 ＃T2	4.4700	RFQ	1710	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	RJK1002		MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					100 v	70a（ta）	10V	7.6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 10 V	-	30W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²