SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 晶体管类型 (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
UPA2390T1P-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2390T1P-E4-A -
RFQ
ECAD 3444 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - - - UPA2390 - - - - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 - - - - - - - -
NP80N04NDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04NDG-S18-AY 1.8400
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 80A(TC) 4.8mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
RJK03M7DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03M7DPA-00#j5a 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 9.6mohm @ 15a,10v - 6.6 NC @ 4.5 V 1120 PF @ 10 V - 25W(TC)
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0368DPA-00#j0 0.4400
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A(TA) 14.3mohm @ 10a,10v 2.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V 730 pf @ 10 V - 25W(TC)
2SC5509-T2-A Renesas Electronics America Inc 2SC5509-T2-A 0.3300
RFQ
ECAD 142 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-82A,SOT-343 190MW SOT-343 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 14dB 3.3V 100mA NPN 50 @ 10mA,2V 15GHz 1.2dB @ 2GHz
RJK03B9DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B9DPA-00#j53 0.5100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 10.6mohm @ 15a,10v - 7.4 NC @ 4.5 V 1110 PF @ 10 V - 25W(TC)
NP90N04VDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP90N04VDG-E1-AY 1.6800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 90A(TC) 4mohm @ 45a,10v 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.2W(ta),105W((((((()
RJK0364DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0364DPA-00#j0 0.6500
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ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak (3) 下载 不适用 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 35A(TA) 7.8mohm @ 17.5A,10V - 10 NC @ 4.5 V 1600 PF @ 10 V - 35W(TC)
2SJ355-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ355-T1-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SC-62 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 30 V 2A(TA) 350MOHM @ 1A,10V 2V @ 1mA 12.2 NC @ 10 V 300 pf @ 10 V -
NE3515S02-T1D-A Renesas Electronics America Inc NE3515S02-T1D-A 0.6700
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ECAD 654 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V 4-SMD,平坦的铅 12GHz HFET S02 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 2,000 88mA 10 MA 14dBm 12.5db 0.3dB 2 v
2SK3510-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3510-AZ 3.8900
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 15 n通道 75 v 83A(TC) 8.5MOHM @ 42A,10V - 150 NC @ 10 V 8500 PF @ 10 V - 1.5W(ta),125W(tc)
2SK3634-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3634-Z-E1-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3Z) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 6A(TC) 600mohm @ 3a,10v 4.5V @ 1mA 9 NC @ 10 V 270 pf @ 10 V -
UPA2751GR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2751GR-E1-AT 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA2751 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-psop - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 9a,8a 15.5MOHM @ 4.5A,10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 10V 1040pf @ 10V 逻辑级别门
UPA650TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA650TT-E1-A 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 6-wsof 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v 5A(5A) 50mohm @ 2.5a,4.5V 1.5V @ 1mA 5.5 NC @ 10 V 610 pf @ 10 V - 200mw(ta)
NP80N04PDG-E1B-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04PDG-E1B-ay 1.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 80A(TC) 4.5mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
RJK03B7DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B7DPA-00#j53 0.5500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 7.8mohm @ 15a,10v - 11 NC @ 4.5 V 1670 pf @ 10 V - 30W(TC)
RJK0379DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0379DPA-00#j5a 1.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 50a(ta) 2.3MOHM @ 25A,10V - 37 NC @ 4.5 V 5150 pf @ 10 V - 55W(TC)
RJK03B9DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03B9DPA-00#j5a 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 10.6mohm @ 15a,10v - 7.4 NC @ 4.5 V 1110 PF @ 10 V - 25W(TC)
RJK0395DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0395DPA-00#j5a 0.5100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 7.7MOHM @ 15A,10V - 11 NC @ 4.5 V 1670 pf @ 10 V - 30W(TC)
RJK0396DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0396DPA-00#j53 0.6800
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 9mohm @ 15a,10v - 9 NC @ 4.5 V 1330 pf @ 10 V - 28W(TC)
UPA2463T1Q-E1-AX Renesas Electronics America Inc UPA2463T1Q-E1-AX 0.3800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8-Huson(2.7x2) - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a(6a) 20mohm @ 3a,10v - 7 NC @ 4 V 680 pf @ 10 V - 1W(ta)
UPA2521T1H-T2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2521T1H-T2-AT 0.7200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 8-VSOF - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8a(8a) 16.5MOHM @ 8A,10V 2.5V @ 1mA 7.6 NC @ 5 V 780 pf @ 15 V - 1W(ta)
UPA2560T1H-T1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2560T1H-T1-AT 0.3900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 UPA2560 MOSFET (金属 o化物) 2.2W 8-VSOF 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道(双) 30V 4.5a 50MOHM @ 2A,10V 2.5V @ 1mA 6.6nc @ 10V 310pf @ 10V 逻辑级别门
2SA1978-T1B-A Renesas Electronics America Inc 2SA1978-T1B-A 1.0000
RFQ
ECAD 7314 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 200MW SOT23-3(TO-236) 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 3,000 10dB 12V 50mA PNP 20 @ 15mA,10v 5.5GHz 2DB @ 1GHz
UPA2810T1L-E1-AY Renesas Electronics America Inc UPA2810T1L-E1-AY 1.0100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-vdfn暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8 dfn3333 (3.3x3.3) - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 13A(TA) 12MOHM @ 13A,10V 2.5V @ 1mA 40 NC @ 10 V 1860 pf @ 10 V - 1.5W(TA)
2SC4227-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SC4227-T1-A 0.3300
RFQ
ECAD 102 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 150MW SOT-323 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 10V 65mA NPN 40 @ 7mA,3v 7GHz 1.4db @ 1GHz
2SK3814-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3814-az 1.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) TO-251 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 60a(TC) 8.7MOHM @ 30a,10v - 95 NC @ 10 V 5450 pf @ 10 V - 1W(ta),84W tc(TC)
NP82N04NLG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N04NLG-S18-AY -
RFQ
ECAD 7048 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 175°C 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 82A(TC) 4.2MOHM @ 41A,10V 2.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 1.8W(TA),143W(tc)
NP80N04MLG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04MLG-S18-AY 1.8400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 80A(TC) 4.8mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
KGF20N035D Renesas Electronics America Inc KGF20N035D -
RFQ
ECAD 5959 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - kgf20 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) 559-KGF20N035DTR Ear99 8541.29.0095 3,000 - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库