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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 晶体管类型 | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UPA2390T1P-E4-A | - | ![]() | 3444 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | - | - | UPA2390 | - | - | - | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
![]() | NP80N04NDG-S18-AY | 1.8400 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 4.8mohm @ 40a,10v | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 PF @ 25 V | - | 1.8W(ta),115W(tc) | |||||||||||||||||||||
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![]() | RJK0368DPA-00#j0 | 0.4400 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 20A(TA) | 14.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 6.2 NC @ 4.5 V | 730 pf @ 10 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5509-T2-A | 0.3300 | ![]() | 142 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-82A,SOT-343 | 190MW | SOT-343 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 14dB | 3.3V | 100mA | NPN | 50 @ 10mA,2V | 15GHz | 1.2dB @ 2GHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03B9DPA-00#j53 | 0.5100 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(TA) | 10.6mohm @ 15a,10v | - | 7.4 NC @ 4.5 V | 1110 PF @ 10 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||||
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![]() | RJK0364DPA-00#j0 | 0.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak (3) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 35A(TA) | 7.8mohm @ 17.5A,10V | - | 10 NC @ 4.5 V | 1600 PF @ 10 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ355-T1-AZ | 1.0000 | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-243AA | MOSFET (金属 o化物) | SC-62 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 30 V | 2A(TA) | 350MOHM @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 12.2 NC @ 10 V | 300 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||
NE3515S02-T1D-A | 0.6700 | ![]() | 654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | 4-SMD,平坦的铅 | 12GHz | HFET | S02 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88mA | 10 MA | 14dBm | 12.5db | 0.3dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3510-AZ | 3.8900 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | n通道 | 75 v | 83A(TC) | 8.5MOHM @ 42A,10V | - | 150 NC @ 10 V | 8500 PF @ 10 V | - | 1.5W(ta),125W(tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3634-Z-E1-AZ | 1.0000 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(MP-3Z) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 200 v | 6A(TC) | 600mohm @ 3a,10v | 4.5V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | 270 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2751GR-E1-AT | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | UPA2751 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-psop | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 9a,8a | 15.5MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 21NC @ 10V | 1040pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||
![]() | UPA650TT-E1-A | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 6-wsof | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | 5A(5A) | 50mohm @ 2.5a,4.5V | 1.5V @ 1mA | 5.5 NC @ 10 V | 610 pf @ 10 V | - | 200mw(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | NP80N04PDG-E1B-ay | 1.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 4.5mohm @ 40a,10v | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 PF @ 25 V | - | 1.8W(ta),115W(tc) | |||||||||||||||||||||
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![]() | RJK0379DPA-00#j5a | 1.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 50a(ta) | 2.3MOHM @ 25A,10V | - | 37 NC @ 4.5 V | 5150 pf @ 10 V | - | 55W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RJK03B9DPA-00#j5a | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(TA) | 10.6mohm @ 15a,10v | - | 7.4 NC @ 4.5 V | 1110 PF @ 10 V | - | 25W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RJK0395DPA-00#j5a | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(TA) | 7.7MOHM @ 15A,10V | - | 11 NC @ 4.5 V | 1670 pf @ 10 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RJK0396DPA-00#j53 | 0.6800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(TA) | 9mohm @ 15a,10v | - | 9 NC @ 4.5 V | 1330 pf @ 10 V | - | 28W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | UPA2463T1Q-E1-AX | 0.3800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8-Huson(2.7x2) | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6a(6a) | 20mohm @ 3a,10v | - | 7 NC @ 4 V | 680 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | UPA2521T1H-T2-AT | 0.7200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 8-VSOF | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8a(8a) | 16.5MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6 NC @ 5 V | 780 pf @ 15 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | UPA2560T1H-T1-AT | 0.3900 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | UPA2560 | MOSFET (金属 o化物) | 2.2W | 8-VSOF | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 30V | 4.5a | 50MOHM @ 2A,10V | 2.5V @ 1mA | 6.6nc @ 10V | 310pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1978-T1B-A | 1.0000 | ![]() | 7314 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 200MW | SOT23-3(TO-236) | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10dB | 12V | 50mA | PNP | 20 @ 15mA,10v | 5.5GHz | 2DB @ 1GHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2810T1L-E1-AY | 1.0100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8 dfn3333 (3.3x3.3) | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 13A(TA) | 12MOHM @ 13A,10V | 2.5V @ 1mA | 40 NC @ 10 V | 1860 pf @ 10 V | - | 1.5W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4227-T1-A | 0.3300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | 150MW | SOT-323 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12DB | 10V | 65mA | NPN | 40 @ 7mA,3v | 7GHz | 1.4db @ 1GHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3814-az | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-251 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 60a(TC) | 8.7MOHM @ 30a,10v | - | 95 NC @ 10 V | 5450 pf @ 10 V | - | 1W(ta),84W tc(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | NP82N04NLG-S18-AY | - | ![]() | 7048 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 175°C | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 82A(TC) | 4.2MOHM @ 41A,10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 9000 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),143W(tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | NP80N04MLG-S18-AY | 1.8400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 4.8mohm @ 40a,10v | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 PF @ 25 V | - | 1.8W(ta),115W(tc) | |||||||||||||||||||||
![]() | KGF20N035D | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | kgf20 | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 559-KGF20N035DTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - |
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