电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ICE47N60W | 7.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE47N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 47A(TC) | 10V | 68mohm @ 24A,10V | 3.9V @ 250µA | 189 NC @ 10 V | ±20V | 5718 PF @ 25 V | - | 431W(TC) | |
![]() | ICE20N60B | 2.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | 5133-ICE20N60BTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE22N60 | - | ![]() | 8577 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE22N60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 160mohm @ 11a,10v | 3.9V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | |
![]() | ICE11N70 | - | ![]() | 3600 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE11N70 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 700 v | 11A(TC) | 10V | 25mohm @ 5.5a,10v | 3.5V @ 250µA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2750 pf @ 25 V | - | 108W(TC) | |
![]() | ICE10N65 | - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE10N65 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 650 v | 9.5A(TC) | 10V | 380MOHM @ 4.75A,10V | 3.9V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1277 PF @ 25 V | - | 95W(TC) | |
![]() | ICE30N60W | - | ![]() | 2563 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE30N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 30A(TC) | 10V | 68mohm @ 15a,10v | 3.9V @ 250µA | 189 NC @ 10 V | ±20V | 6090 pf @ 25 V | - | 171W(TC) | |
![]() | ICE20N60W | 2.9900 | ![]() | 990 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE20N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE20N170B | - | ![]() | 6280 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | 5133-ICE20N170BTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE60N330 | - | ![]() | 5415 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE60N330 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 12A(TC) | 10V | 330MOHM @ 5A,10V | 3.9V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 25 V | - | 95W(TC) | |
![]() | ICE15N60W | - | ![]() | 4099 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE15N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 250MOHM @ 7.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 156W(TC) | |
![]() | ICE60N130FP | 3.1700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE60N130FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 150MOHM @ 13A,10V | 3.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |
![]() | ICE60N130 | 3.2000 | ![]() | 150 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE60N130 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 150MOHM @ 13A,10V | 3.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | |
![]() | ICE20N170 | - | ![]() | 3993 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE20N170 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE20N60FP | 2.4700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE20N60FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE10N60 | 1.7700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE10N60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 330MOHM @ 5A,10V | 3.9V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 25 V | - | 95W(TC) | |
![]() | ICE10N60FP | 1.7300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | 5133-ICE10N60FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 330MOHM @ 5A,10V | 3.9V @ 250µA | 41 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE22N60B | - | ![]() | 4472 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | 5133-ICE22N60BTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 160mohm @ 11a,10v | 3.9V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | |
![]() | ICE11N70FP | - | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE11N70FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 700 v | 11A(TC) | 10V | 270MOHM @ 5.5A,10V | 3.5V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ±20V | 2816 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE10N60B | - | ![]() | 6400 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | 5133-ICE10N60BTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 330MOHM @ 5A,10V | 3.9V @ 250µA | 43 NC @ 10 V | ±20V | 1250 pf @ 25 V | - | 95W(TC) | |
![]() | ICE10N73FP | - | ![]() | 8437 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220完整包 | 下载 | 5133-ICE10N73FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 730 v | 10A(TC) | 10V | 350MOHM @ 5A,10V | 3.5V @ 250µA | 81 NC @ 10 V | ±20V | 2624 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE15N60FP | 2.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE15N60FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 250MOHM @ 7.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE20N170FP | - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE20N170FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 199mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE60N130W | - | ![]() | 4150 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE60N130W | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 150MOHM @ 13A,10V | 3.5V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | |
![]() | ICE15N73FP | 3.3900 | ![]() | 150 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | 5133-ICE15N73FP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 730 v | 15A(TC) | 10V | 350MOHM @ 7.5A,10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2816 PF @ 100 V | - | 35W(TC) | |
![]() | ICE19N60L | - | ![]() | 2962 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-POWERTSFN | MOSFET (金属 o化物) | 4-DFN(8x8) | 下载 | 5133-ICE19N60LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 19a(tc) | 10V | 220MOHM @ 9.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE20N60 | 2.5100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE20N60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 190mohm @ 10a,10v | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 236W(TC) | |
![]() | ICE15N60 | - | ![]() | 1866年 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | 5133-ICE15N60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 15A(TC) | 10V | 250MOHM @ 7.5A,10V | 3.9V @ 250µA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 2064 PF @ 25 V | - | 156W(TC) | |
![]() | ICE15N73W | 3.7300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE15N73W | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 730 v | 15A(TC) | 10V | 350MOHM @ 7.5A,10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 2816 PF @ 100 V | - | 208W(TC) | |
![]() | ICE35N60W | 7.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE35N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 35A(TC) | 10V | 68mohm @ 18a,10v | 3.9V @ 250µA | 189 NC @ 10 V | ±20V | 6090 pf @ 25 V | - | 231W(TC) | |
![]() | ICE22N60W | - | ![]() | 1286 | 0.00000000 | ICEMOS技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | 5133-ICE22N60W | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 22a(TC) | 10V | 160mohm @ 11a,10v | 3.9V @ 250µA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 2730 PF @ 25 V | - | 208W(TC) |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库