SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
ICE47N60W IceMOS Technology ICE47N60W 7.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE47N60W Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 47A(TC) 10V 68mohm @ 24A,10V 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 V ±20V 5718 PF @ 25 V - 431W(TC)
ICE20N60B IceMOS Technology ICE20N60B 2.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ICEMOS技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 5133-ICE20N60BTR Ear99 8541.29.0095 800 n通道 600 v 20A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE22N60 IceMOS Technology ICE22N60 -
RFQ
ECAD 8577 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE22N60 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 22a(TC) 10V 160mohm @ 11a,10v 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W(TC)
ICE11N70 IceMOS Technology ICE11N70 -
RFQ
ECAD 3600 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE11N70 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 700 v 11A(TC) 10V 25mohm @ 5.5a,10v 3.5V @ 250µA 85 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 25 V - 108W(TC)
ICE10N65 IceMOS Technology ICE10N65 -
RFQ
ECAD 2882 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE10N65 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 650 v 9.5A(TC) 10V 380MOHM @ 4.75A,10V 3.9V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1277 PF @ 25 V - 95W(TC)
ICE30N60W IceMOS Technology ICE30N60W -
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE30N60W Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 30A(TC) 10V 68mohm @ 15a,10v 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 V ±20V 6090 pf @ 25 V - 171W(TC)
ICE20N60W IceMOS Technology ICE20N60W 2.9900
RFQ
ECAD 990 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE20N60W Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 20A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE20N170B IceMOS Technology ICE20N170B -
RFQ
ECAD 6280 0.00000000 ICEMOS技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 5133-ICE20N170BTR Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 20A(TC) 10V 199mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE60N330 IceMOS Technology ICE60N330 -
RFQ
ECAD 5415 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE60N330 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 12A(TC) 10V 330MOHM @ 5A,10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 95W(TC)
ICE15N60W IceMOS Technology ICE15N60W -
RFQ
ECAD 4099 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE15N60W Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 15A(TC) 10V 250MOHM @ 7.5A,10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 156W(TC)
ICE60N130FP IceMOS Technology ICE60N130FP 3.1700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE60N130FP Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 25A(TC) 10V 150MOHM @ 13A,10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 50W(TC)
ICE60N130 IceMOS Technology ICE60N130 3.2000
RFQ
ECAD 150 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE60N130 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 25A(TC) 10V 150MOHM @ 13A,10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W(TC)
ICE20N170 IceMOS Technology ICE20N170 -
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE20N170 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 20A(TC) 10V 199mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE20N60FP IceMOS Technology ICE20N60FP 2.4700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE20N60FP Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 35W(TC)
ICE10N60 IceMOS Technology ICE10N60 1.7700
RFQ
ECAD 500 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE10N60 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 330MOHM @ 5A,10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 95W(TC)
ICE10N60FP IceMOS Technology ICE10N60FP 1.7300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 5133-ICE10N60FP Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 330MOHM @ 5A,10V 3.9V @ 250µA 41 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 35W(TC)
ICE22N60B IceMOS Technology ICE22N60B -
RFQ
ECAD 4472 0.00000000 ICEMOS技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 5133-ICE22N60BTR Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 22a(TC) 10V 160mohm @ 11a,10v 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W(TC)
ICE11N70FP IceMOS Technology ICE11N70FP -
RFQ
ECAD 8583 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE11N70FP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 700 v 11A(TC) 10V 270MOHM @ 5.5A,10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 2816 PF @ 100 V - 35W(TC)
ICE10N60B IceMOS Technology ICE10N60B -
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 ICEMOS技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 5133-ICE10N60BTR Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 10A(TC) 10V 330MOHM @ 5A,10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 95W(TC)
ICE10N73FP IceMOS Technology ICE10N73FP -
RFQ
ECAD 8437 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220完整包 下载 5133-ICE10N73FP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 730 v 10A(TC) 10V 350MOHM @ 5A,10V 3.5V @ 250µA 81 NC @ 10 V ±20V 2624 PF @ 25 V - 35W(TC)
ICE15N60FP IceMOS Technology ICE15N60FP 2.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE15N60FP Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 15A(TC) 10V 250MOHM @ 7.5A,10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 35W(TC)
ICE20N170FP IceMOS Technology ICE20N170FP -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE20N170FP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 20A(TC) 10V 199mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 35W(TC)
ICE60N130W IceMOS Technology ICE60N130W -
RFQ
ECAD 4150 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE60N130W Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 25A(TC) 10V 150MOHM @ 13A,10V 3.5V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W(TC)
ICE15N73FP IceMOS Technology ICE15N73FP 3.3900
RFQ
ECAD 150 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 5133-ICE15N73FP Ear99 8541.29.0095 50 n通道 730 v 15A(TC) 10V 350MOHM @ 7.5A,10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 2816 PF @ 100 V - 35W(TC)
ICE19N60L IceMOS Technology ICE19N60L -
RFQ
ECAD 2962 0.00000000 ICEMOS技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-POWERTSFN MOSFET (金属 o化物) 4-DFN(8x8) 下载 5133-ICE19N60LTR Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 19a(tc) 10V 220MOHM @ 9.5A,10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE20N60 IceMOS Technology ICE20N60 2.5100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE20N60 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TC) 10V 190mohm @ 10a,10v 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 236W(TC)
ICE15N60 IceMOS Technology ICE15N60 -
RFQ
ECAD 1866年 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 5133-ICE15N60 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 15A(TC) 10V 250MOHM @ 7.5A,10V 3.9V @ 250µA 59 NC @ 10 V ±20V 2064 PF @ 25 V - 156W(TC)
ICE15N73W IceMOS Technology ICE15N73W 3.7300
RFQ
ECAD 300 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE15N73W Ear99 8541.29.0095 30 n通道 730 v 15A(TC) 10V 350MOHM @ 7.5A,10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 2816 PF @ 100 V - 208W(TC)
ICE35N60W IceMOS Technology ICE35N60W 7.8400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE35N60W Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 35A(TC) 10V 68mohm @ 18a,10v 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 V ±20V 6090 pf @ 25 V - 231W(TC)
ICE22N60W IceMOS Technology ICE22N60W -
RFQ
ECAD 1286 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 5133-ICE22N60W Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 22a(TC) 10V 160mohm @ 11a,10v 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库