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晶体管（（53）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FGF65A3H	-	RFQ	1900	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGF65	标准		72 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件			1261-FGF65A3H	Ear99	8541.29.0095	1,440			400V，30a，10ohm，15V											50 ns	沟渠场停止	650 v	50 a	90 a	2.73V @ 15V，30a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	30NS/90NS
2SK3801	-	RFQ	3230	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3801 DK	Ear99	8541.29.0095	1,080		n通道		40 V	70a（ta）	10V	6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA		±20V	5100 PF @ 10 V	-	100W（TC）
SKI10195	-	RFQ	3470	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	47A（TC）	4.5V，10V	17.8mohm @ 23.4a，10v	2.5V @ 1mA	55.8 NC @ 10 V	±20V	3990 pf @ 25 V	-	116W（TC）
GKI06109	-	RFQ	7985	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	9a（9a）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 23.6a，10V	2.5V @ 650µA	38.6 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），59w（tc）
FKI06269	-	RFQ	3525	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FKI06269 DK	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	24A（TC）	4.5V，10V	21.8mohm @ 15.8A，10V	2.5V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	29W（TC）
2SK3800VL	-	RFQ	8874	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SK3800VL DK	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	70a（ta）	10V	6mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA		±20V	5100 PF @ 10 V	-	80W（TC）
2SA1859	1.5000	RFQ	1	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				20 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SA1859 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	2 a						10µA（ICBO）	PNP	1V @ 70mA，700mA	60 @ 700mA，10v	60MHz
2SC3858	-	RFQ	7466	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯				200 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC3858 DK	Ear99	8541.29.0095	250																200 v	17 a						100µA（ICBO）	NPN	2.5V @ 1a，10a	50 @ 8a，4v	20MHz
2SD2045	-	RFQ	3395	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				50 W	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SD2045 DK	Ear99	8541.29.0075	500																120 v	6 a						10µA（ICBO）	npn-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 3A，2V	50MHz
2SC4304	-	RFQ	2194	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				35 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4304 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																800 v	3 a						100µA（ICBO）	NPN	500mv @ 140mA，700mA	10 @ 700mA，4V	15MHz
2SC4467	3.1100	RFQ	3	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				80 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4467 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																120 v	8 a						10µA（ICBO）	NPN	1.5V @ 300mA，3a	50 @ 3a，4v	20MHz
2SC4511	1.9900	RFQ	617	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				30 W	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4511 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																80 V	6 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	50 @ 2a，4v	20MHz
SMA5118	16.0500	RFQ	22	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	12-sip	SMA51		MOSFET （金属 o化物）	4W	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SMA5118 DK	Ear99	8541.29.0095	18	6 n通道（3相桥）			500V	5a		1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA	-		770pf @ 10V	-
AOD2146	0.6615	RFQ	9277	Sanken Electric USA Inc.	Alplosgt™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AOD21		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	34.5a（ta），54a （TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	3830 PF @ 20 V	-	6.2W（ta），100W（TC）
2SD2401	-	RFQ	5711	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	3-埃斯				150 w	MT-200	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SD2401 DK	Ear99	8541.29.0075	250																150 v	12 a						100µA（ICBO）	npn-达灵顿	2.5V @ 7mA，7a	5000 @ 7A，4V	55MHz
2SB1559	3.1700	RFQ	134	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				80 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SB1559 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	8 a						100µA（ICBO）	pnp-达灵顿	2.5V @ 6mA，6a	5000 @ 6a，4v	65MHz
SLA5065 LF830	5.8700	RFQ	120	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	15-sip	Sla50		MOSFET （金属 o化物）	4.8W	15-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	180	4 n通道			60V	7a		100mohm @ 3.5a，10v	2V @ 250µA	-		660pf @ 10V	-
2SB1351	1.7300	RFQ	2	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				30 W	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SB1351 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																60 V	12 a						10µA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 20mA，10a	2000 @ 10a，4v	130MHz
SMA5133	12.1100	RFQ	86	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	积极的	-	通过洞	12-sip	SMA51		MOSFET （金属 o化物）	-	12-sip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SMA5133 DK	Ear99	8541.29.0095	18	3n和3p 通道（3相桥）			500V	2.5a		-	-	-		-	-
GKI04076	1.1200	RFQ	15	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-DFN（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		40 V	11a（11a）	4.5V，10V	8.3MOHM @ 23.3a，10V	2.5V @ 350µA	24.9 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），46W（tc）
2SC3856	3.9100	RFQ	7590	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC3856 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																180 v	15 a						100µA（ICBO）	NPN	2V @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	20MHz
FKP202	-	RFQ	7017	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FKP202 DK	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道		200 v	45A（TA）	10V	53mohm @ 22a，10v	4.5V @ 1mA		±30V	2000 pf @ 25 V	-	40W（TC）
2SD2562	-	RFQ	5499	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				85 w	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SD2562 DK	Ear99	8541.29.0075	1,000																150 v	15 a						100µA（ICBO）	npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，10a	5000 @ 10a，4v	70MHz
2SA1492	-	RFQ	1868年	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				130 w	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SA1492 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																180 v	15 a						100µA（ICBO）	PNP	2V @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	20MHz
2SA1746	5.0200	RFQ	3	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				60 W	to-3pf	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SA1746 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																50 V	12 a						10µA（ICBO）	PNP	500mv @ 80mA，5a	50 @ 5A，1V	25MHz
SLA5201	12.0800	RFQ	98	Sanken Electric USA Inc.	-	管子	积极的	-	通过洞	15 sip裸露的选项卡，形成铅	Sla52		MOSFET （金属 o化物）	-	15-zip	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		SLA5201 DK	Ear99	8541.29.0095	18	3n和3p 通道（3相桥）			600V	7a		-	-	-		-	-
2SC4518	-	RFQ	5872	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				35 w	TO-220F	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4518 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																550 v	5 a						100µA（ICBO）	NPN	500MV @ 360mA，1.8a	10 @ 1.8A，4V	6MHz
2SA1186	2.9700	RFQ	607	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				100 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SA1186 DK	Ear99	8541.29.0075	500																150 v	10 a						100µA（ICBO）	PNP	2V @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	60MHz
SKI07074	-	RFQ	7556	Sanken Electric USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	85A（TC）	4.5V，10V	6.6mohm @ 44a，10v	2.5V @ 1.5mA	91 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 25 V	-	135W（TC）
2SC4468	3.0300	RFQ	572	Sanken Electric USA Inc.	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				100 W	to-3p	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		2SC4468 DK	Ear99	8541.29.0095	1,000																140 v	10 a						10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 500mA，5a	50 @ 3a，4v	20MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（53）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²