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晶体管(9)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级（MSL） | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 额定电流（安培） | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | Rds On（最大）@Id、Vgs | Vgs(th)（顶部）@Id | 场效应管特性 | 噪声系数 | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TP44220HB | 7.8100 |  | 2606 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 托盘 | 的积极 | - | 表面贴装 | 30-PowerWFQFN | TP44220 | GaNFET（N化镓） | - | 30-QFN (8x10) | 下载 | 1（无限制） | 1 | 2个N沟道（半桥） | 650V | - | - | - | - | ||||||||||||||
 | TA9410E | 70.0000 | | 105 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 托盘 | 的积极 | 50V | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | 20MHz～3GHz | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 8-QFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.33.0001 | 1 | 30A | 25W | 17分贝 | - | |||||||||||||
| TP44100SG | - | | 3 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 650伏 | 表面贴装 | 22电源VFQFN | TP44100 | - | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 22-QFN (5x7) | 下载 | 1（无限制） | 1 | P沟道 | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TP44110HB | 11.6700 | | 5144 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 托盘 | 的积极 | - | 表面贴装 | 30-PowerWFQFN | TP44110 | GaNFET（N化镓） | - | 30-QFN (8x10) | 下载 | 1（无限制） | 1 | 2个N沟道（半桥） | 650V | - | - | - | - | ||||||||||||||
| TP44200SG | - | | 3 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 650伏 | 表面贴装 | 22电源VFQFN | TP44200 | - | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 22-QFN (5x7) | 下载 | 1（无限制） | 1 | P沟道 | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TA9210D | 47.9800 | | 101 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 托盘 | 的积极 | 120V | TA9210 | 30MHz～4GHz | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | -2715-TA9210D | 5A991G | 8542.33.0001 | 1 | 700毫安 | 50毫安 | 12.5W | 18分贝 | - | 32V | ||||||||||||
 | TA9310E | 49.9900 | | 40 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 条 | 的积极 | 120V | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | TA9310 | 30MHz～4GHz | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 8-QFN (5x6) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | 宣传册3A001B3 | 8542.33.0001 | 1 | - | 100毫安 | 20W | 17.5分贝 | - | 32V | ||||||||||
| TP44400SG | - | | 3 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 650伏 | 表面贴装 | 22电源VFQFN | TP44400 | - | N化晶体管高电子迁移率晶体管 | 22-QFN (5x7) | 下载 | 1（无限制） | 1 | P沟道 | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TP44440HB | 6.0100 | | 100 | 0.00000000 | 泰戈尔科技 | - | 托盘 | 的积极 | - | 表面贴装 | 30-PowerWFQFN | TP44440 | GaNFET（N化镓） | - | 30-QFN (8x10) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | 1 | 2个N沟道（半桥） | 650V | - | - | - | - |
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