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257）

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RM15P30S8	0.2400	RFQ	4839	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM15P30S8TR	8541.10.0080	40,000	P通道	30 V	15A（TA）	10V	12mohm @ 15a，10v	2.2V @ 250µA	±20V	2900 PF @ 15 V	-	3.1W（TA）
RM7N600IP	0.5500	RFQ	9307	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600IP	8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
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RM17N800T2	1.5300	RFQ	9008	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM17N800T2	8541.10.0080	5,000	n通道	800 v	17A（TA）	10V	320MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	±30V	2060 pf @ 50 V	-	260W（TC）
RM5N150S8	0.4000	RFQ	8016	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N150S8	8541.10.0080	300	n通道	150 v	4.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	±20V	625 PF @ 75 V	-	3.1W（TA）
RM40N200TI	0.7600	RFQ	2452	美国直发	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM40N200TI	8541.10.0080	5,000	n通道	200 v	40a（ta）	10V	41mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	±20V	6500 PF @ 25 V	-	60W（TA）
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RM120N30DF	0.3800	RFQ	2658	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM120N30DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	30 V	120A（TC）	4.5V，10V	2.35MOHM @ 60a，10V	2.2V @ 250µA	±20V	4200 PF @ 15 V	-	75W（TC）
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RM3139K	0.0360	RFQ	2553	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	MOSFET （金属 o化物）	SOT-723	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM3139KTR	8541.10.0080	80,000	P通道	20 v	660ma（ta）	1.8V，4.5V	520MOHM @ 1A，4.5V	1.1V @ 250µA	±12V	170 pf @ 16 V	-	150MW（TA）
RM21N650TI	1.2500	RFQ	1150	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM21N650TI	8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	21a（TC）	10V	180mohm @ 10.5a，10v	4V @ 250µA	±30V	2600 PF @ 50 V	-	33.8W（TC）
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RM2N650IP	0.3000	RFQ	7388	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	MOSFET （金属 o化物）	TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM2N650IP	8541.10.0080	40,000	n通道	650 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	190 pf @ 50 V	-	23W（TC）
RM50N150DF	0.6400	RFQ	1275	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	MOSFET （金属 o化物）	8-DFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM50N150DFTR	8541.10.0080	40,000	n通道	150 v	50A（TC）	10V	19mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	±20V	5200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
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RM4N650TI	0.4200	RFQ	7671	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	MOSFET （金属 o化物）	TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM4N650TI	8541.10.0080	5,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.5A，10V	3.5V @ 250µA	±30V	280 pf @ 50 V	-	28.5W（TC）
RM2333A	0.0680	RFQ	4902	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM233333ATR	8541.10.0080	30,000	P通道	12 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	±12V	1100 pf @ 6 V	-	1.8W（TA）
RM6N800HD	0.7900	RFQ	3479	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	MOSFET （金属 o化物）	TO-263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM6N800HDTR	8541.10.0080	8,000	n通道	800 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	±30V	1320 PF @ 50 V	-	98W（TC）
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RM7N600LD	0.5800	RFQ	4789	美国直发	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MOSFET （金属 o化物）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM7N600LD	8541.10.0080	4,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	±30V	587 PF @ 50 V	-	63W（TC）
RM10N100S8	0.3100	RFQ	1648年	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	MOSFET （金属 o化物）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM10N100S8TR	8541.10.0080	40,000	n通道	100 v	10a（10a）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	±20V	1640 pf @ 50 V	-	3.1W（TA）
RM5N40S2	0.0690	RFQ	2036	美国直发	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MOSFET （金属 o化物）	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2516-RM5N40S2TR	8541.10.0080	30,000	n通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	32MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	±20V	593 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

257）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²