晶体管(17799)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	电阻 - RDS(On)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电流消耗 (Id) - 最大
FQA13N50CF_F109	-	询价	2080	onsemi	FRFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	常见Q题解答1		MOSFET（金属O化物）		TO-3PN	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450		N沟道			500V	15A（温度）	10V	480毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	56nC@10V	±30V	2055pF@25V	-	218W（温度）
CPH5905G-TL-E	-	询价	9918	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的	50V NPN、15V N 沟道		通用型	表面贴装	SOT-23-5薄型、TSOT-23-5	CPH5905				5-CPH	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000			150mA NPN、50mA N沟道																										NPN、N沟道
NTH027N65S3F-F155	23.0900	询价	第419章	onsemi	FRFET®、SuperFET® II	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-247-3	NTH027		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	75A（温度）	10V	27.4毫欧@35A，10V	5V@7.5mA	259nC@10V	±30V	7690 pF @ 400 V	-	595W（温度）
NTB45N06	1.0000	询价	5176	onsemi	-	管子	过时的						NTB45					下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50
NVMFWS021N10MCLT1G	0.4169	询价	2968	onsemi	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装，可湿侧面	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVMFWS021N10MCLT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道			100伏	8.4A（Ta）、31A（Tc）	4.5V、10V	23毫欧@7A，10V	3V@42μA	13nC@10V	±20V	850pF@50V	-	3.6W（Ta）、49W（Tc）
2SK715U-AC	-	询价	7564	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		125°C（太焦）		通孔	SC-72	2SK715			300毫W	3-SPA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,500人		N沟道			15V							10pF@5V													7.3毫安@5伏	600 mV @ 100 µA							50毫安
NTMT190N65S3HF	6.6500	询价	3892	onsemi	SuperFET® III、FRFET®	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	4-PowerTSFN			MOSFET（金属O化物）		4-PQFN (8x8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTMT190N65S3HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道			650伏	20A（温度）	10V	190毫欧@10A，10V	5V@430μA	34nC@10V	±30V	1610 pF @ 400 V	-	162W（温度）
2SK715W	-	询价	4405	onsemi	-	大部分	过时的		125°C（太焦）		通孔	SC-72	2SK715			300毫W	3-SPA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	500		N沟道			15V							10pF@5V													14.5毫安@5伏	600 mV @ 100 µA							50毫安
EMC3DXV5T1G	0.4400	询价	7	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极	50V		-	表面贴装	SOT-553	EMC3DXV5				SOT-553	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000			100毫安																										1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）
NVH4L022N120M3S	42.4100	询价	8966	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	488-NVH4L022N120M3S	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			1200伏	68A（温度）	18V	30毫欧@40A，18V	4.4V@20mA	151nC@18V	+22V，-10V	800V时为3175pF	-	352W（温度）
2SJ670-TD-E	0.2600	询价	第974章	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
NVH4L060N065SC1	14.6100	询价	450	onsemi	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-247-4	NVH4L060		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NVH4L060N065SC1	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道			650伏	47A（温度）	15V、18V	70毫欧@20A，18V	4.3V@6.5mA	74nC@18V		1473pF@325V	-	176W（温度）
2SK3819-DL-E	0.9600	询价	36	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FDD8880-SN00319	0.4100	询价	89	onsemi	*	大部分	的积极											下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FDD8880-SN00319-488			1
NTMFD1D4N02P1E	2.5300	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerWDFN	NTMFD1		MOSFET（金属O化物）	960mW（塔）、1W（塔）	8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道（双）不定价				25V	13A（Ta）、74A（Tc）、24A（Ta）、155A（Tc）		3.3毫欧@20A、10V、1.1毫欧@37A、10V	2V@250μA，2V@800μA	7.2nC@4.5V，21.5nC@4.5V		1180pF@13V，3603pF@13V	-
NSS35200CF8TIG	1.0000	询价	6223	onsemi	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-SMD，写入				635毫W	芯片FET™	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1																	35V	2A									100纳安		国民党	300mV@20mA，2A	100 @ 1.5A，2V	100兆赫兹
FGA40T65UQDF	-	询价	6336	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-3P-3、SC-65-3	FGA40T65	标准		231 W	TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	450				400V，40A，6欧姆，15V											89纳秒	不扩散条约	650伏	80A	120A	1.67V@15V，40A	989μJ（开），310μJ（关）	306碳纳米	32纳秒/271纳秒
FTD2015-TL-E	0.5400	询价	57	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
MTP75N06HD	1.0700	询价	9803	onsemi	*	大部分	的积极											-	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-MTP75N06HD	EAR99	8541.29.0095	1
VEC2402-TL-E	0.2800	询价	102	onsemi	*	大部分	的积极											-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000
NTA7002NT1G	0.3600	询价	113	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	SC-75、SOT-416	NTA7002		MOSFET（金属O化物）		SC-75、SOT-416	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道			30V	154mA（Tj）	2.5V、4.5V	7欧姆@154mA，4.5V	1.5V@100μA		±10V	20pF@5V	-	300毫W（Tj）
PN4092_J18Z	-	询价	2619	onsemi	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	PN409			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道										16pF@20V												40V	15毫安@20伏	2V@1nA		50欧姆
J202_D26Z	-	询价	8654	onsemi	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	J202			625毫W	TO-92-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2,000		N沟道										-												40V	20V时为900μA	800毫伏@10纳安
FQPF3N90_NL	-	询价	8863	onsemi	QFET®	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3全包	FQPF3		MOSFET（金属O化物）		TO-220F-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道			900伏	2.1A（温度）	10V	4.25欧姆@1.05A，10V	5V@250μA	26nC@10V	±30V	910pF@25V	-	43W（温度）
MTA15N06	0.5200	询价	33	onsemi	*	大部分	的积极											下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
NTD3817N-35G	-	询价	1011	onsemi	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-251-3 短截线，IPak	新台币38元		MOSFET（金属O化物）		爱帕克	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道			16V	7.6A（Ta）、34.5A（Tc）	4.5V、10V	13.9毫欧@15A，10V	2.5V@250μA	10.5nC@4.5V	±16V	702pF@12V	-	1.2W（Ta）、25.9W（Tc）
NTMFS002P03P8ZT1G	3.2400	询价	2	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	8-PowerTDFN，5接口			MOSFET（金属O化物）		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		P沟道			30V	40.2A（Ta）、263A（Tc）	4.5V、10V	1.4毫欧@23A，10V	3V@250μA	217nC@4.5V	±25V	14950pF@15V	-	3.3W（Ta）、138.9W（Tc）
NTMFS4C922NAT3G	0.8003	询价	7091	onsemi	-	卷带式 (TR)	的积极						NTMFS4					-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	488-NTMFS4C922NAT3GTR	EAR99	8541.29.0095	5,000
FQD11P06TF	-	询价	8976	onsemi	QFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	FQD1		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		P沟道			60V	9.4A（温度）	10V	185毫欧@4.7A，10V	4V@250μA	17nC@10V	±30V	550pF@25V	-	2.5W（Ta）、38W（Tc）
2SC2314E	0.1500	询价	170	onsemi	*	大部分	的积极											下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²