RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3861）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGB3NB60SDT4	-	RFQ	7697	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB3	标准			70 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，3A，1KOHM，15V														1.7 µs	-	600 v	6 a	25 a	1.5V @ 15V，3A	1.15MJ）	18 NC	125NS/3.4µs
STGD3NB60HDT4	-	RFQ	6388	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD3	标准			50 W		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				480V，3A，10欧姆，15V														95 ns	-	600 v	10 a	24 a	2.8V @ 15V，3A	33µJ（离）	21 NC	5NS/53NS
STGP12NB60KD	-	RFQ	7592	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP12	标准			125 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，12a，10ohm，15V														80 ns	-	600 v	30 a	60 a	2.8V @ 15V，12a	258µJ（离）	54 NC	25NS/96NS
STGD10NC60KT4	-	RFQ	5653	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD10	标准			60 W		DPAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				390V，5A，10欧姆，15V															-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	（55µJ）（在），85µJ（85µJ）中	19 nc	17ns/72ns
STGP6NC60HD	1.4200	RFQ	2143	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP6	标准			56 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5122-5	Ear99	8541.29.0095	50				390V，3A，10欧姆，15V														21 ns	-	600 v	15 a	21 a	2.5V @ 15V，3A	（在）（68µJ）上的20µJ（OFF）	13.6 NC	12NS/76NS
STP17NF25	1.6700	RFQ	946	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP17			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	17a（TC）	10V	165mohm @ 8.5a，10v	4V @ 250µA	29.5 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STF19NM50N	4.5600	RFQ	996	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF19			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±25V	1000 pf @ 50 V	-	30W（TC）
STGW75M65DF2	6.3500	RFQ	3289	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW75	标准			468 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16974	Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，3.3OHM，15V														165 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	（690µJ）（在），2.54mj coft）	225 NC	47NS/125NS
STGE200N60K	-	RFQ	1964年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-	底盘安装	同位素	STGE200					-	isotop®	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	-																		-	600 v	150 a		-					不
STB5NK50Z-1	-	RFQ	9829	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STB5N			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					500 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	28 NC @ 10 V	±30V	535 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STGP30IH65DF	1.1531	RFQ	6110	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准			180 w		TO-220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGP30IH65DF	Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，22ohm，15V															沟渠场停止	650 v	60 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	-	80 NC	-
STGP14NC60KD	1.8700	RFQ	5211	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP14	标准			80 W		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5121-5	Ear99	8541.29.0095	50				390V，7A，10欧姆，15V														37 ns	-	600 v	25 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	（82µJ）（在155µj（（）上	34.4 NC	22.5NS/116NS
STL220N6F7	3.5300	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL220			MOSFET （金属 o化物）			PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					60 V	120A（TC）	10V	1.4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	4.8W（ta），187w（tc）
Stu90n4f3	-	RFQ	5820	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu90			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
ST50V10100	75.9300	RFQ	8771	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	M243	ST50		-	ldmos			M243	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST50V10100			50	-		18a		100W	18db											-
STF25NM50N	-	RFQ	8355	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF25			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4655-5	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	22a（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2565 PF @ 25 V	-	40W（TC）
STH185N10F3-6	-	RFQ	6218	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F3	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH185			MOSFET （金属 o化物）			H2PAK-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	180a（TC）	10V	4.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	114.6 NC @ 10 V	±20V	6665 PF @ 25 V	-	315W（TC）
ST13003D-K	0.7100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	包	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	ST13003				40 W		SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500																				400 v	1.5 a						1ma		NPN	3V @ 500mA，1.5a	5 @ 1A，2V	-
STW25NM60ND	-	RFQ	5059	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW25N			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8455-5	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STP40NF03L	1.0700	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	40a（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	770 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STGD18N40LZ-1	-	RFQ	8467	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD18	逻辑			125 w		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75				300V，10A，5V															-	420 v	25 a	40 a	1.7V @ 4.5V，10a	-	29 NC	650NS/13.5µS
STGWT40H65FB	4.3000	RFQ	416	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT40	标准			283 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，5ohm，15V															沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（498MJ）（在363mj上）	210 NC	40NS/142NS
STD4N62K3	1.9100	RFQ	433	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4N62			MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					620 v	3.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.9A，10V	4.5V @ 50µA	14 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 50 V	-	70W（TC）
SCT20N120	17.0800	RFQ	127	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCT20			sicfet （碳化硅）			HIP247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15170	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1200 v	20A（TC）	20V	290MOHM @ 10a，20v	3.5V @ 1mA	45 NC @ 20 V	+25V，-10V	650 pf @ 400 V	-	175W（TC）
Ste48nm50	30.5400	RFQ	3141	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste48			MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					550 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	5V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	450W（TC）
STX616	-	RFQ	3139	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX616				2.8 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																				500 v	1.5 a						50µA		NPN	1V @ 200mA，1a	12 @ 500mA，5V	-
STB25NM60ND	-	RFQ	3311	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB25N			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STF20N60M2-EP	1.1772	RFQ	6860	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20			MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	13A（TC）	10V	-	4.75V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V		-	-
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					Stu5n							-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3,000
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3861）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²