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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SMBT3906UE6327HTSA1	0.1037	RFQ	4313	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	SMBT 3906			330MW		PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40V	200mA						50NA（iCBO）			2 PNP （双）	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IRL1004STRR	-	RFQ	4452	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL1004		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	130a（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 78A，10V	1V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±16V	5330 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
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IRL3102STRL	-	RFQ	9348	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IRF540NSTRLPBF	1.6700	RFQ	29	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF540		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	33A（TC）	10V	44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
BC847BWE6327	0.0200	RFQ	84	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆		PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IRF7404TRPBF	1.0300	RFQ	54	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7404		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道		20 v	6.7a（ta）	2.7V，4.5V	40mohm @ 3.2a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	50 NC @ 4.5 V	±12V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPB720P15LMATMA1	6.0400	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB720p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		150 v	4.6a（ta），41A（tc）	4.5V，10V	72MOHM @ 37A，10V	2V @ 5.55mA	224 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 75 V	-	3.8W（300W），300W （TC）
IRG4BC20KPBF	-	RFQ	6841	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，9a，50ohm，15V												-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（150µJ）（在），250µJ（250µJ）中	34 NC	28NS/150NS
IRG4P254SPBF	-	RFQ	1827年	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4P254	标准		200 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4P254SPBF	Ear99	8541.29.0095	25			200V，55A，5OHM，15V												-	250 v	98 a	196 a	1.5V @ 15V，55a	380µJ（在）上，3.5MJ off）	200 NC	40NS/270NS
IPD600N25N3GBTMA1	-	RFQ	5974	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD600N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
ipn50r1k4ceatma1	0.6700	RFQ	3453	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN50R1		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		500 v	4.8A（TC）	13V	1.4OHM @ 900mA，13v	3.5V @ 70µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	178 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IPI65R110CFDXKSA1	-	RFQ	7514	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
FP100R12KT4BOSA1	224.2200	RFQ	8	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP100R12			515 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	100 a		2.2V @ 15V，100a				1 MA	是的	6.3 NF @ 25 V
IKW30N65NL5	-	RFQ	4690	Infineon技术	Trenchstop™5	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，23ohm，15V											59 ns	沟渠场停止	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	560µJ（在）上，1.35MJ（OFF）	168 NC	59NS/283NS
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BCR 162F E6327	-	RFQ	6346	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 162			200兆		PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IAUS200N08S5N023ATMA1	4.8300	RFQ	652	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IAUS200		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		80 V	200a（TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 130µA	110 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 40 V	-	200W（TC）
AUIRFR5410	-	RFQ	3591	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRL1104STRR	-	RFQ	8950	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	2.4W（ta），167W（tc）
IPP80P04P4L06AKSA1	-	RFQ	8678	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		P通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 150µA	104 NC @ 10 V	+5V，-16V	6580 pf @ 25 V	-	88W（TC）
AUIRFSL6535	-	RFQ	4875	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO262-3-901	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IAUS240N08S5N019ATMA1	5.5200	RFQ	6815	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IAUS240		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		80 V	240a（TC）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 160µA	130 NC @ 10 V	±20V	9264 PF @ 40 V	-	230W（TC）
IPP072N10N3GXKSA1	2.4000	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP072		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	6V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	3.5V @ 90µA	68 NC @ 10 V	±20V	4910 PF @ 50 V	-	150W（TC）
SPI15N60CFDHKSA1	-	RFQ	1931年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI15N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		650 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
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BCR119WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8919	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR119			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
IRLB3034PBF	3.8000	RFQ	840	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLB3034		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	162 NC @ 4.5 V	±20V	10315 PF @ 25 V	-	375W（TC）
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FP15R12KE3GBOSA1	73.6600	RFQ	6	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FP15R12			105 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟渠场停止	1200 v	25 a		2.15V @ 15V，15a				1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²