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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 输入 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 反向恢复T (trr) IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) NTC热敏电阻 输入电容 (Cies) @ Vce Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
IHW30N90R Infineon Technologies IHW30N90R -
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ECAD 第1409章 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -40°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 454 W PG-TO247-3-1 下载 1(无限制) REACH 不出行 SP000209140 EAR99 8541.29.0095 240 600V,30A,15欧姆,15V 沟渠场站 900伏 60A 90A 1.7V@15V,30A 1.46毫焦耳 200℃ -/511ns
IRF7754TRPBF Infineon Technologies IRF7754TRPBF -
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ECAD 3308 0.00000000 英飞凌科技 HEXFET® 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) IRF775 MOSFET(金属O化物) 1W 8-TSSOP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 2 个 P 沟道(双) 12V 5.5A 25毫欧@5.4A,4.5V 900mV@250μA 22nC@4.5V 1984pF@6V 逻辑电平门
IKW50N65F5AXKSA1 Infineon Technologies IKW50N65F5AXKSA1 -
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ECAD 6525 0.00000000 英飞凌科技 汽车、AEC-Q101、TrenchStop™ 管子 过时的 -40°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 IKW50N 标准 270W PG-TO247-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 240 400V,25A,12欧姆,15V 77纳秒 650伏 80A 150A 2.1V@15V,50A 490μJ(开),140μJ(关) 108纳克 21纳秒/156纳秒
FS200R12KT4RPBPSA1 Infineon Technologies FS200R12KT4RPBPSA1 -
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ECAD 8368 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 FS200R12 - 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 6
BUZ355 Infineon Technologies BUZ355 -
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ECAD 8673 0.00000000 英飞凌科技 * 大部分 的积极 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 4
BSM75GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM75GB120DN2HOSA1 -
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ECAD 2236 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 过时的 150°C(太焦) 安装结构 模块 BSM75GB120 625W 标准 模块 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 半桥 - 1200伏 105A 3V@15V,75A 1.5毫安 5.5nF@25V
FP50R06W2E3B11BOMA1 Infineon Technologies FP50R06W2E3B11BOMA1 62.6193
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ECAD 7960 0.00000000 英飞凌科技 EasyPIM™2B 托盘 的积极 -40℃~150℃ 安装结构 模块 FP50R06 175W 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 15 天线塔 沟渠场站 600伏 65A 1.9V@15V,50A 1毫安 是的 3.1nF@25V
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP15N65H5XKSA1 3.2700
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ECAD 3463 0.00000000 英飞凌科技 TrenchStop® 管子 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 IKP15N65 标准 105W PG-TO220-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 400V,7.5A,39欧姆,15V 48纳秒 - 650伏 30A 45A 2.1V@15V,15A 120μJ(开),50μJ(关) 38nC 17纳秒/160纳秒
FS200R07A1E3BOMA1 Infineon Technologies FS200R07A1E3BOMA1 -
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ECAD 9175 0.00000000 英飞凌科技 HybridPACK™1 托盘 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 FS200R07 790W 标准 AG-混合1-1 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001364328 EAR99 8541.29.0095 1 天线塔 沟渠场站 650伏 250A 1.9V@15V,200A 1毫安 是的 13nF@25V
IRG7T400SD12B Infineon Technologies IRG7T​​​​400SD12B -
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ECAD 6406 0.00000000 英飞凌科技 - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 POWIR® 62 模块 IRG7T 2140W 标准 POWIR®62 下载 1(无限制) REACH 不出行 SP001542008 EAR99 8541.29.0095 15 单身的 - 1200伏 780A 2.2V@15V,400A 4毫安 58.5nF@25V
BFN26E6327 Infineon Technologies BFN26E6327 1.0000
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ECAD 2428 0.00000000 英飞凌科技 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 360毫W PG-SOT23-3-3 下载 不适用 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 300伏 200毫安 100nA(ICBO) 500mV@2mA、20mA 30@30mA,10V 70兆赫
FF300R08W2P2B11ABOMA1 Infineon Technologies FF300R08W2P2B11ABOMA1 89.8700
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ECAD 15 0.00000000 英飞凌科技 EasyPACK™ 托盘 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 FF300R08 20毫W 标准 AG-EASY2B-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 15 2 独立 - 750伏 200A 1.18V@15V,200A 1毫安 是的 53nF@50V
BSC0702LSATMA1 Infineon Technologies BSC0702LSATMA1 1.7400
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ECAD 1330 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN BSC0702 MOSFET(金属O化物) PG-TDSON-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 60V 100A(温度) 4.5V、10V 2.3毫欧@50A,10V 2.3V@49μA 30nC@4.5V ±20V 4400pF@30V 标准 83W(温度)
IPA60R650CEE8210XKSA1 Infineon Technologies IPA60R650CEE8210XKSA1 -
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ECAD 8037 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS™ 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) PG-TO220全包 - REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 600伏 9.9A(温度) 10V 650毫欧@2.4A,10V 3.5V@200μA 10V时为20.5nC ±20V 100V时为440pF - 28W(温度)
IQD063N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5CGATMA1 4.8300
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ECAD 5141 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 下载 1(无限制) REACH 不出行 5,000
FP150R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP150R12N3T7B11BPSA1 373.2600
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ECAD 10 0.00000000 英飞凌科技 EconoPIM™3 托盘 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 模块 20毫W 东部桥式调整器 AG-ECONO3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 天线塔 沟渠场站 1200伏 150A 1.8V@15V,150A 12微安 是的 30.1nF@25V
IPP60R600E6 Infineon Technologies IPP60R600E6 -
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ECAD 9675 0.00000000 英飞凌科技 CoolMOS E6™ 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) PG-TO220-3-1 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 600伏 7.3A(温度) 10V 600毫欧@2.4A,10V 3.5V@200μA 10V时为20.5nC ±20V 100V时为440pF - 63W(温度)
SIGC25T60SNCX7SA1 Infineon Technologies SIGC25T60SNCX7SA1 -
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ECAD 2513 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SIGC25 标准 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 1 400V,30A,11欧姆,15V 不扩散条约 600伏 30A 90A 2.5V@15V,30A - 44纳秒/324纳秒
IKA10N65ET6XKSA1 Infineon Technologies IKA10N65ET6XKSA1 -
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ECAD 1714 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 的积极 伊卡10N65 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 SP001639786 0000.00.0000 500
SIGC04T60EX1SA2 Infineon Technologies SIGC04T60EX1SA2 -
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ECAD 2116 0.00000000 英飞凌科技 TrenchStop™ 大部分 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 SIGC04 标准 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 0000.00.0000 1 - 沟渠场站 600伏 6A 18A 1.9V@15V,6A - -
BSZ440N10NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ440N10NS3GATMA1 0.8900
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ECAD 6 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN BSZ440 MOSFET(金属O化物) PG-TSDSON-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 100伏 5.3A(Ta)、18A(Tc) 6V、10V 44毫欧@12A,10V 2.7V@12μA 9.1nC@10V ±20V 640pF@50V - 29W(温度)
IPB80N04S204ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S204ATMA1 -
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ECAD 2325 0.00000000 英飞凌科技 OptiMOS™ 卷带式 (TR) SIC停产 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB IPB80N MOSFET(金属O化物) PG-TO263-3-2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 40V 80A(温度) 10V 3.4毫欧@80A,10V 4V@250μA 170nC@10V ±20V 5300pF@25V - 300W(温度)
FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Infineon Technologies FS55MR12W1M1HB11NPSA1 89.0900
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ECAD 43 0.00000000 英飞凌科技 EasyPACK™、CoolSiC™ 托盘 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 模块 FS55MR12 碳化硅(SiC) 20毫W AG-EASY1B 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 24 6 个 N 沟道(全桥) 1200V 15A(Tj) 79毫欧@15A、18V 5.15V@6mA 45nC@18V 1350pF @ 800V -
FF600R12KE7PEHPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7PEHPSA1 261.2688
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ECAD 9955 0.00000000 英飞凌科技 C、TRENCHSTOP™ 托盘 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 安装结构 模块 标准 AG-62MMHB - 符合ROHS3标准 8 半桥逆变器 沟渠场站 1200伏 600A 1.75V@15V,600A 100微安 92300pF@25V
FP15R12KS4CBOSA1 Infineon Technologies FP15R12KS4CBOSA1 108.6580
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ECAD 6979 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 最后一次购买 -40℃~125℃ 安装结构 模块 FP15R12 180W 标准 模块 下载 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200伏 30A 3.7V@15V,15A 5毫安 是的 1nF@25V
IRGP4062D-EPBF Infineon Technologies IRGP4062D-EPBF -
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ECAD 5241 0.00000000 英飞凌科技 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 标准 250W TO-247AD 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 25 400V,24A,10欧姆,15V 89纳秒 600伏 48A 72A 1.95V@15V,24A 115μJ(开),600μJ(关) 75℃ 41纳秒/104纳秒
DF80R07W1H5FPB50BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB50BPSA1 39.4100
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ECAD 30 0.00000000 英飞凌科技 - 托盘 的积极 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 30
IGC15T65QEX1SA1 Infineon Technologies IGC15T65QEX1SA1 -
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ECAD 4086 0.00000000 英飞凌科技 - 大部分 的积极 -40°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 IGC15T65 标准 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 0000.00.0000 1 - 沟渠场站 650伏 30A 90A 2.32V@15V,30A - -
FF150R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FF150R17KE4HOSA1 168.7000
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ECAD 7032 0.00000000 英飞凌科技 C 托盘 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 安装结构 模块 FF150R17 标准 模块 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 10 2 独立 沟渠场站 1700伏 150A 2.3V@15V,150A 1毫安 12nF@25V
IKN04N60RC2ATMA1 Infineon Technologies IKN04N60RC2ATMA1 0.9600
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ECAD 2 0.00000000 英飞凌科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA IKN04N 标准 6.8W PG-SOT223-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 448-IKN04N60RC2ATMA1DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 400V、4A、49欧姆、15V 39纳秒 - 600伏 7.5安 12A 2.3V@15V,4A 95μJ(开),62μJ(关) 24nC 8纳秒/126纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库