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晶体管（（13833）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
94-2498	-	RFQ	5742	Infineon技术	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-
BSO4410T	-	RFQ	4097	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	11.1a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 11.1a，10v	2V @ 42µA	21 NC @ 5 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IMW65R083M1HXKSA1	11.0700	RFQ	119	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R	sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	24A（TC）	18V	111MOHM @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nc @ 18 V	+20V，-2V	624 PF @ 400 V	-	104W（TC）
BSC120N03MSGATMA1	0.6600	RFQ	19	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC120	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		30 V	11a（11a），39a （TC）	4.5V，10V	12mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
IPW65R080CFDAFKSA1	12.7400	RFQ	950	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R080	MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	43.3a（TC）	10V	80MOHM @ 17.6A，10V	4.5V @ 1.76mA	161 NC @ 10 V	±20V	4440 pf @ 100 V	-	391W（TC）
IPA65R045C7XKSA1	14.6900	RFQ	61	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R045	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	18A（TC）	10V	45mohm @ 24.9a，10v	4V @ 1.25mA	93 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	35W（TC）
FZ1500R33HL3BPSA3	1.0000	RFQ	35	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FZ1500R33HL3BPSA3-448			1
IRF9358TRPBF	1.3800	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9358	MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）			30V	9.2a		16.3mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38nc @ 10V		1740pf @ 25V	逻辑级别门
IPA60R600E6	0.8100	RFQ	640	Infineon技术	Coolmos E6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IRFZ44NSTRLPBF	1.7300	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
SPD04N60C3ATMA1	1.9900	RFQ	9264	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
AUIRFR2407	-	RFQ	1923年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520320	Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	42A（TC）	10V	26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
SPA11N60C3XKSA1	3.7000	RFQ	7149	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	3.9V @ 500µA	60 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IPI90R340C3XKSA2	6.4000	RFQ	2650	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90R340	MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		900 v	15A（TC）	10V	340MOHM @ 9.2A，10V	3.5V @ 1mA	94 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IPB45N06S4L08ATMA1	-	RFQ	7933	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB45N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	45A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 45A，10V	2.2V @ 35µA	64 NC @ 10 V	±16V	4780 pf @ 25 V	-	71W（TC）
IRF6795MTR1PBF	-	RFQ	4682	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 32a，10v	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	4280 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），75W（75W）TC）
IPB65R150CFDATMA1	2.4796	RFQ	6108	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R150	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
IMZA65R083M1HXKSA1	11.9000	RFQ	54	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	26a（TC）	18V	111MOHM @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nc @ 18 V	+20V，-2V	624 PF @ 400 V	-	104W（TC）
PTFB093608FVV2R250XTMA1	-	RFQ	5295	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000997836	Ear99	8541.29.0095	250
IPP114N03LG	0.4300	RFQ	12	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	30A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	38W（TC）
BSP92PL6327HTSA1	-	RFQ	6726	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP92	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		250 v	260mA ta）	4.5V，10V	12ohm @ 260mA，10v	2V @ 130µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
F3L75R12W1H3B11BPSA1	64.3800	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L75R12		275 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单菜器													-	1200 v	45 a	1.7V @ 15V，30a	1 MA	是的	4.4 NF @ 25 V
IRF7749L2TR1PBF	-	RFQ	5676	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IMBG65R083M1HXTMA1	10.4400	RFQ	9390	Infineon技术	COOLSIC™M1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65R	sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	28a（TC）	18V	111MOHM @ 11.2A，18V	5.7V @ 3.3mA	19 nc @ 18 V	+23V，-5V	624 PF @ 400 V	-	126W（TC）
IRF7526D1	-	RFQ	2121	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		P通道		30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
BSC018NE2LSATMA1	1.4700	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC018	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		25 v	29a（ta），100a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 12 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
IRFH5306TR2PBF	-	RFQ	3012	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道		30 V	（15A）（TA），44A （TC）		8.1MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V		1125 PF @ 15 V	-
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4541	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
IPW65R037C6FKSA1	19.2400	RFQ	51	Infineon技术	Coolmos™C6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R037	MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	83.2a（TC）	10V	37mohm @ 33.1a，10v	3.5V @ 3.3mA	330 NC @ 10 V	±20V	7240 pf @ 100 V	-	500W（TC）
BFR183E6327HTSA1	0.5100	RFQ	26	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR183		450MW		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000			17.5db												12V	65mA					NPN	70 @ 15mA，8v	8GHz	0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²