晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IAUA250N04S6N008AUMA1	3.3100	询价	1	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™ 6	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	5-PowerSFN	IAUA250	MOSFET（金属O化物）		PG-HSOF-5-1	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		40V	51A（塔）	7V、10V	0.8毫欧@100A，10V	3V@90μA	109nC@10V	±20V	7088pF@25V	-	172W（温度）
BCW65C	1.0000	询价	3062	英飞凌科技	-	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000
BC817K-25WH6327	0.0500	询价	23	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC817		500毫W	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	6,217														45V	500毫安	100nA（ICBO）		700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	170兆赫
IPD122N10N3GATMA1	1.6300	询价	22	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距122	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100伏	59A（TC）	6V、10V	12.2毫欧@46A，10V	3.5V@46μA	35nC@10V	±20V	2500pF@50V	-	94W（温度）
AUIRFN8403TR	-	询价	7640	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	IRFN8403	MOSFET（金属O化物）		8-PQFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		40V	95A（温度）	10V	3.3毫欧@50A，10V	3.9V@100μA	98nC@10V	±20V	3174pF@25V	-	4.3W（Ta）、94W（Tc）
IMT65R022M1HXTMA1	-	询价	3711	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	SIC停产				IMT65R				-	符合ROHS3标准		REACH 不出行				2,000
ISC007N04NM6ATMA1	3.3300	询价	3685	英飞凌科技	OptiMOS™6	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	ISC007N	MOSFET（金属O化物）		PG-TDSON-8FL	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		40V	48A（Ta）、381A（Tc）	6V、10V	0.7毫欧@50A，10V	2.8V@1.05mA	117nC@10V	±20V	8400pF@20V	-	3W（Ta）、188W（Tc）
IPF042N10NF2SATMA1	2.5100	询价	第792章	英飞凌科技	强IRFET™2	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	21A（Ta）、139A（Tc）	6V、10V	4.25毫欧@80A，10V	3.8V@93μA	85nC@10V	±20V	4000pF@50V	-	3.8W（Ta）、167W（Tc）
BSS119NH7978XTSA1	0.1200	询价	15	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		PG-SOT23-3-5	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道		100伏	190毫安（塔）	4.5V、10V	6欧姆@190mA，10V	2.3V@13μA	10V时为0.6nC	±20V	20.9pF@25V	-	500毫W（塔）
IRFR7546TRPBF	1.0400	询价	9	英飞凌科技	强IRFET™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IRFR7546	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道		60V	56A（温度）	6V、10V	7.9毫欧@43A，10V	3.7V@100μA	87nC@10V	±20V	3020pF@25V	-	99W（温度）
IRF8010SPBF	-	询价	5468	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100伏	80A（温度）	10V	15毫欧@45A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	3830pF@25V	-	260W（温度）
BSL205NL6327	-	询价	3099	英飞凌科技	OptiMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6	BSL205	MOSFET（金属O化物）	500毫W	PG-TSOP6-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			20V	2.5A		50毫欧@2.5A，4.5V	1.2V@11μA	3.2nC@4.5V		419pF@10V	逻辑电平门
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	询价	2	英飞凌科技	CoolMOS™PFD7	管子	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAN60	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	25A（温度）	10V	125毫欧@7.8A，10V	4.5V@390μA	36nC@10V	±20V	1503 pF @ 400 V	-	32W（温度）
IPA040N06NXKSA1	2.6000	询价	4247	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA040	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道		60V	69A（温度）	6V、10V	4毫欧@69A，10V	3.3V@50μA	44nC@10V	±20V	3375pF@30V	-	36W（温度）
IPSA70R1K2P7SAKMA1	0.7900	询价	6	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	管子	不适合新设计	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IPSA70	MOSFET（金属O化物）		PG-TO251-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	75		N沟道		700伏	4.5A（温度）	10V	1.2欧姆@900mA，10V	3.5V@40μA	4.8nC@400V	±16V	174 pF @ 400 V	-	25W（温度）
BCX5116H6327XTSA1	-	询价	7007	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	SIC停产	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	BCX5116		2W	PG-SOT89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000														45V	1A	100nA（ICBO）	国民党	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	125兆赫
IRF7726TRPBF	-	询价	4867	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.118英寸，3.00毫米宽）	IRF7726	MOSFET（金属O化物）		微8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道		30V	7A（塔）	4.5V、10V	26毫欧@7A，10V	2.5V@250μA	69nC@10V	±20V	2204pF@25V	-	1.79W（塔）
IPA80R310CEXKSA1	-	询价	3884	英飞凌科技	CoolMOS™ CE	管子	SIC停产	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPA80R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		800V	6.8A（温度）		310毫欧@11A，10V	3.9V@1mA	91nC@10V		100V时为2320pF	-	35W（温度）
IPW50R350CPFKSA1	-	询价	1989年	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IPW50R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO247-3-1	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	240		N沟道		550伏	10A（温度）	10V	350mOhm@5.6A，10V	3.5V@370μA	25nC@10V	±20V	1020 pF @ 100 V	-	89W（温度）
IPI60R385CP	1.0300	询价	78	英飞凌科技	CoolMOS™	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		PG-TO262-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	9A（温度）	10V	385毫欧@5.2A，10V	3.5V@340μA	22nC@10V	±20V	790 pF @ 100 V	-	83W（温度）
IRF3711ZCS	-	询价	6394	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）	REACH 不出行	*IRF3711ZCS	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		20V	92A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@15A，10V	2.45V@250μA	24nC@4.5V	±20V	2150pF@10V	-	79W（温度）
IRF7488TRPBF	-	询价	8813	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道		80V	6.3A（塔）	10V	29毫欧@3.8A，10V	4V@250μA	57nC@10V	±20V	1680pF@25V	-	2.5W（塔）
IPD60R180P7ATMA1	2.7400	询价	12	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD60R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	18A（温度）	10V	180毫欧@5.6A，10V	4V@280μA	25nC@10V	±20V	1081 pF @ 400 V	-	72W（温度）
IRFS3004TRL7PP	4.9900	询价	5	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7、D²Pak（6引脚+接片）、TO-263CB	IRFS3004	MOSFET（金属O化物）		D2PAK（7导联）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		40V	240A（温度）	10V	1.25毫欧@195A，10V	4V@250μA	240nC@10V	±20V	9130pF@25V	-	380W（温度）
BFP183WE6327	1.0000	询价	5743	英飞凌科技	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343			450毫W	PG-SOT343-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1			22分贝											12V	65毫安		NPN		70@15mA，8V	8GHz	0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IPA65R190CFDXKSA1	-	询价	3510	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R	MOSFET（金属O化物）		PG-TO220-3-111	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		650伏	17.5A（温度）	10V	190毫欧@7.3A，10V	4.5V@730μA	68nC@10V	±20V	1850pF@100V	-	34W（温度）
IRFS4620PBF	-	询价	4240	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		200V	24A（温度）	10V	77.5毫欧@15A，10V	5V@100μA	38nC@10V	±20V	1710pF@50V	-	144W（温度）
IPC50R045CPX1SA1	-	询价	6579	英飞凌科技	-	大部分	的积极				IPC50				-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP000236099		0000.00.0000	1					-
SPB20N60S5ATMA1	-	询价	6488	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	SPB20N	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	190毫欧@13A，10V	5.5V@1mA	10V时为103nC	±20V	3000pF@25V	-	208W（温度）
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	询价	13	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	IPB320	MOSFET（金属O化物）		PG-TO263-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		200V	34A（温度）	10V	32毫欧@34A，10V	4V@90μA	29nC@10V	±20V	100V时为2350pF	-	136W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²