晶体管(39)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
P3M12080K4	11.9000	询价	9034	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12080K4			1		N沟道	1200伏	47A	15V	96毫欧@20A，15V	2.4V@5mA（典型值）		+21V、-8V		-	221W
P3M12017K4	39.7500	询价	7138	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12017K4			1		N沟道	1200伏	151A	15V	24毫欧@75A，15V	2.5V@75mA（典型值）		+25V，-10V		-	789W
P3M07013K4	33.9000	询价	4850	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M07013K4			1		N沟道	750伏	140A	15V	16毫欧@75A，15V	2.2V@75mA（典型值）		+19V，-8V		-	428W
P1H06300D8	4.9800	询价	7689	PN结半导体	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装			GaNFET（N化镓）		DFN8*8	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P1H06300D8TR			1		N沟道	650伏	10A	6V	-			+10V，-20V		-	55.5W
P3M06120K3	9.0500	询价	6996	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06120K3			1		N沟道	650伏	27A	15V	158毫欧@10A，15V	2.2V@5mA		+20V、-8V		-	131W
P3M12040K3	20.9800	询价	8887	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12040K3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1200伏	63A	15V	48毫欧@40A，15V	2.2V@40mA（典型值）		+21V、-8V		-	349W
P3M171K2K3	5.5900	询价	2230	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M171K2K3			1		N沟道	1700伏	6A	15V	1.4欧姆@2A，15V	2.2V@2mA（典型值）		+19V，-8V		-	68W
P3M12040K4	20.9800	询价	2699	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12040K4			1		N沟道	1200伏	63A	15V	48毫欧@40A，15V	2.2V@40mA（典型值）		+21V、-8V		-	349W
P3M12080G7	11.9000	询价	1610	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiCFET（碳化硅）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12080G7TR			1		N沟道	1200伏	32A	15V	96毫欧@20A，15V	2.2V@30mA（典型值）		+19V，-8V		-	136W
P3M06120K4	9.0500	询价	2705	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06120K4			1		N沟道	650伏	27A	15V	158毫欧@10A，15V	2.2V@5mA		+20V、-8V		-	131W
PAA12400BM3	882.3600	询价	3564	PN结半导体	-	托盘	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	PAA12400	碳化硅（SiC）	-	模块	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-PAA12400BM3			1	2个N沟道（半桥）		1200V（1.2kV）	350A		7.3毫欧@300A，20V	5V@100mA	-		29.5pF@1000V	-
P3M06060K4	10.3800	询价	7995	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060K4			1		N沟道	650伏	48A	15V	79毫欧@20A，15V	2.4V@5mA（典型值）		+20V、-8V		-	188W
P3M173K0K3	5.0800	询价	6554	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M173K0K3			1		N沟道	1700伏	4A	15V	3.6欧姆@600mA，15V	2.2V@600μA（典型值）		+19V，-8V		-	63W
P3M06300T3	4.9800	询价	7695	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-2		SiCFET（碳化硅）		TO-220-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06300T3			1		N沟道	650伏	9A	15V	500mOhm@4.5A，15V	2.2V@5mA		+20V、-8V		-	35W
P3M12025K4	28.7400	询价	30	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12025K4			1		N沟道	1200伏	112A	15V	35毫欧@50A，15V	2.2V@50mA（典型值）		+19V，-8V		-	577W
P3M06060K3	10.3800	询价	9755	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060K3			1		N沟道	650伏	48A	15V	79毫欧@20A，15V	2.2V@20mA（典型值）		+20V、-8V		-	188W
P3M12160K3	8.8300	询价	8824	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12160K3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1200伏	19A	15V	192毫欧@10A，15V	2.4V@2.5mA（典型值）		+21V、-8V		-	110W
P3M171K0F3	6.1000	询价	2987	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220F-2		SiCFET（碳化硅）		TO-220F-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M171K0F3			1		N沟道	1700伏	5.5A	15V	1.4欧姆@2A，15V	2.2V@2mA（典型值）		+19V，-8V		-	51W
P3M173K0T3	5.0800	询价	8943	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-2		SiCFET（碳化硅）		TO-220-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M173K0T3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1700伏	4A	15V	2.6欧姆@600mA，15V	2.2V@600μA（典型值）		+19V，-8V		-	75W
P3M06040K3	12.1700	询价	2030年	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06040K3	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	650伏	68A	15V	50毫欧@40A，15V	2.4V@7.5mA（典型值）		+20V、-8V		-	254W
P3M06300D8	4.9800	询价	7160	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DFN8*8		SiCFET（碳化硅）		DFN8*8	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06300D8TR			1		N沟道	650伏	9A	15V	500mOhm@4.5A，15V	2.2V@5mA		+20V、-8V		-	32W
P3M12160K4	8.8300	询价	9289	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12160K4			1		N沟道	1200伏	19A	15V	192毫欧@10A，15V	2.4V@2.5mA（典型值）		+21V、-8V		-	110W
P3M17040K4	35.8600	询价	4762	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M17040K4			1		N沟道	1700伏	73A	15V	60毫欧@50A，15V	2.2V@50mA（典型值）		+19V，-8V		-	536W
P3M171K0G7	6.1000	询价	7429	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiCFET（碳化硅）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M171K0G7	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	1700伏	7A	15V	1.4欧姆@2A，15V	2.2V@2mA（典型值）		+19V，-8V		-	100W
P3M12025K3	28.7400	询价	2069	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12025K3			1		N沟道	1200伏	113A	15V	35毫欧@50A，15V	2.4V@17.7mA（典型值）		+21V，-10V		-	524W
P3M06060T3	10.3800	询价	8146	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-2		SiCFET（碳化硅）		TO-220-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060T3			1		N沟道	650伏	46A	15V	79毫欧@20A，15V	2.2V@20mA（典型值）		+20V、-8V		-	170W
P3M173K0F3	5.0800	询价	8624	PN结半导体	P3M	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220F-2		SiCFET（碳化硅）		TO-220F-2L	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M173K0F3			1		N沟道	1700伏	1.97A	15V	3.6欧姆@0.25A，15V	2.2V@1.5mA（典型值）		+19V，-8V		-	19W
P3M12040G7	20.9800	询价	8324	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiCFET（碳化硅）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M12040G7TR			1		N沟道	1200伏	69A	15V	53毫欧@40A，15V	2.2V@40mA（典型值）		+19V，-8V		-	357W
P3M06300D5	4.9800	询价	4032	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	DFN5*6		SiCFET（碳化硅）		DFN5*6	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06300D5TR			1		N沟道	650伏	9A	15V	500mOhm@4.5A，15V	2.2V@5mA		+20V、-8V		-	26W
P3M06060G7	10.3800	询价	7390	PN结半导体	P3M	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA		SiCFET（碳化硅）		D2PAK-7	下载	符合ROHS3标准	REACH旅行	4237-P3M06060G7TR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	650伏	44A	15V	79毫欧@20A，15V	2.2V@20mA（典型值）		+20V、-8V		-	159W

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(39)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²