晶体管(36)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce
GSID100A120T2C1A	-	询价	6323	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID100			800W	东部桥式调整器	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	3	天线塔														-	1200伏	200A		2.1V@15V，100A				1毫安	是的	13.7nF@25V
GSID600A120S4B1	-	询价	1496	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID600			3060W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	2	半桥														-	1200伏	1130A		2.1V@15V，600A				1毫安	是的	51nF@25V
GSID300A120S5C1	-	询价	2960	半Q	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	GSID300			1630W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1232	EAR99	8541.29.0095	2	天线塔														-	1200伏	430A		2.25V@15V，300A				1毫安	是的	30nF@25V
GP2T080A120U	11.8700	询价	第414章	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	GP2T080A		SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载		1（无限制）		1560-GP2T080A120U	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		1200伏	35A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	58nC@20V	+25V，-10V	1377pF@1000V	-	188W（温度）
GPA020A120MN-FD	-	询价	7236	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		223 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，20A，10欧姆，15V											425纳秒	沟渠场站	1200伏	40A	60A	2.5V@15V，20A	2.8mJ（开），480μJ（关）	210nC	30纳秒/150纳秒
GSID150A120S5C1	-	询价	第1331章	半Q	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	GSID150			1087 W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1230	EAR99	8541.29.0095	2	天线塔														-	1200伏	第285章		2.1V@15V，150A				1毫安	是的	21.2nF@25V
GSID100A120S5C1	-	询价	2783	半Q	-	大部分	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	GSID100			650W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-1229	EAR99	8541.29.0095	2	天线塔														-	1200伏	170一个		2.1V@15V，100A				1毫安	是的	13.7nF@25V
GP2T080A120H	11.0900	询价	65	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	GP2T080A		SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T080A120H	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		1200伏	35A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	61nC@20V	+25V，-10V	1377pF@1000V	-	188W（温度）
GPA030A135MN-FDR	-	询价	5364	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		329 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，30A，5欧姆，15V											450纳秒	沟渠场站	1350伏	60A	90A	2.4V@15V，30A	4.4mJ（开），1.18mJ（关）	300℃	30纳秒/145纳秒
GCMX080B120S1-E1	23.3200	询价	50	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMX080		SiCFET（碳化硅）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GCMX080B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10		N沟道		1200伏	30A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	58nC@20V	+25V，-10V	1336pF@1000V	-	142W（温度）
GPA040A120L-ND	-	询价	2278	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA		标准		455W		TO-264	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	25			600V，40A，5欧姆，15V											220纳秒	NPT 和测量	1200伏	80A	120A	2.8V@15V，40A	5.8mJ（开），1.5mJ（关）	510nC	41纳秒/200纳秒
GPA060A060MN-FD	-	询价	7066	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		347 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			400V，60A，10欧姆，15V											140纳秒	沟渠场站	600伏	120A	180A	2.3V@15V，60A	2.66mJ（开），1.53mJ（关）	225℃	45纳秒/150纳秒
GPA040A120L-FD	-	询价	3010	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA		标准		480W		TO-264	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	25			600V，40A，5欧姆，15V											200纳秒	沟渠场站	1200伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	5.3mJ（开），1.1mJ（关）	480℃	55纳秒/200纳秒
GPA030A120MN-FD	-	询价	1512	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		329 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，30A，10欧姆，15V											450纳秒	沟渠场站	1200伏	60A	90A	2.5V@15V，30A	4.5mJ（开），850μJ（关）	330℃	40纳秒/245纳秒
GP2T040A120U	20.8400	询价	30	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）			TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T040A120U	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		1200伏	63A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	118nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3192pF	-	322W（温度）
GSID200A120S3B1	-	询价	6870	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	D-3模块	GSID200			1595 W	标准	D3	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	2 独立														-	1200伏	400A		2V@15V，200A				1毫安	不	20nF@25V
GPA030A120I-FD	-	询价	3620	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		329 W		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，30A，10欧姆，15V											450纳秒	沟渠场站	1200伏	60A	90A	2.5V@15V，30A	4.5mJ（开），850μJ（关）	330℃	40纳秒/245纳秒
GPA040A120MN-FD	-	询价	2545	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		480W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，40A，5欧姆，15V											200纳秒	沟渠场站	1200伏	80A	120A	2.6V@15V，40A	5.3mJ（开），1.1mJ（关）	480℃	55纳秒/200纳秒
GPI040A060MN-FD	-	询价	7915	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		231 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			400V，40A，5欧姆，15V											60纳秒	沟渠场站	600伏	80A	120A	2.3V@15V，40A	1.46mJ（开），540μJ（关）	173 nC	35纳秒/85纳秒
GSID150A120S6A4	-	询价	4782	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID150			1035W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	单身的														-	1200伏	第275章		1.9V@15V，150A				1毫安	是的	20.2nF@25V
GSID100A120T2P2	-	询价	8230	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID100			710W	东部桥式调整器	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	3	天线塔														-	1200伏	200A		2.1V@15V，100A				1毫安	是的	13.7nF@25V
GPA015A120MN-ND	-	询价	第1402章	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		212W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，15A，10欧姆，15V											320纳秒	NPT 和测量	1200伏	30A	45A	2.5V@15V，15A	1.61mJ（开），530μJ（关）	210nC	25纳秒/166纳秒
GPA020A135MN-FD	-	询价	2337	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		223 W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，20A，10欧姆，15V											425纳秒	沟渠场站	1350伏	40A	60A	2.3V@15V，20A	2.5mJ（开），760μJ（关）	180℃	25纳秒/175纳秒
GP2T040A120H	21.2800	询价	75	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）			TO-247-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GP2T040A120H	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道		1200伏	63A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	118nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3192pF	-	322W（温度）
GSID150A120S3B1	-	询价	3805	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	D-3模块	GSID150			940W	标准	D3	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	4	2 独立														-	1200伏	300A		2V@15V，150A				1毫安	不	14nF@25V
GCMX040B120S1-E1	29.3400	询价	30	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMX040		SiC（碳化硅结晶体管）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		1560-GCMX040B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10		N沟道		1200伏	57A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	4V@10mA	121nC@20V	+25V，-10V	1000V时为3185pF	-	242W（温度）
GPA025A120MN-ND	-	询价	6976	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		标准		312W		TO-3PN	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1			600V，25A，10欧姆，15V											480纳秒	NPT 和测量	1200伏	50A	75A	2.5V@15V，25A	4.15mJ（开），870μJ（关）	350℃	57纳秒/240纳秒
GSID080A120B1A5	-	询价	6824	半Q	放大器+™	大部分	过时的	-40℃～150℃	安装结构	模块	GSID080			1710W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准		REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200伏	160A		2V@15V，80A				1毫安	是的	7nF@25V
GPA042A100L-ND	-	询价	4213	半Q	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-264-3、TO-264AA		标准		463 W		TO-264	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	25			600V，60A，50欧姆，15V											465纳秒	NPT 和测量	1000伏	60A	120A	2.9V@15V，60A	13.1mJ（开），6.3mJ（关）	405nC	230纳秒/1480纳秒
GCMS080B120S1-E1	25.9600	询价	75	半Q	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	SOT-227-4，迷你块	GCMS080		SiCFET（碳化硅）			SOT-227	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH旅行	1560-GCMS080B120S1-E1	EAR99	8541.29.0095	10		N沟道		1200伏	30A（温度）	20V	100毫欧@20A，20V	4V@10mA	58nC@20V	+25V，-10V	1374pF@1000V	-	142W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(36)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²