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晶体管（（324）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
G60N04K Goford Semiconductor G60N04K 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252（DPAK） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 60a 7mohm @ 30a，10v 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1800 pf @ 20 V 65W
1002 Goford Semiconductor 1002 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 2a 250MOHM @ 2A，10V 3V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±20V 387 PF @ 10 V 1.3W
G16P03S Goford Semiconductor G16P03S 0.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 P通道 30 V 16a 12mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 15 V 3W
G20N03K Goford Semiconductor G20N03K 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 30A（TC） 4.5V，10V 20mohm @ 10a，10v 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±20V 923 PF @ 15 V - 33W（TC）
G700P06D3 Goford Semiconductor G700P06D3 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 g 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（3.15x3.05） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 60 V 18A（TC） 4.5V，10V 70MOHM @ 4A，10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1446 pf @ 30 V - 32W（TC）
G180N06S2 Goford Semiconductor G180N06S2 0.8000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） G180 MOSFET （金属 o化物） 2W（TC） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 2 n 通道（双） 60V 8A（TC） 20mohm @ 6a，10v 2.4V @ 250µA 58nc @ 10V 2330pf @ 30V 标准
G58N06F Goford Semiconductor G58N06F 0.9700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 戈福德半导体 Trechfet® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 50 n通道 60 V 35A（TC） 4.5V，10V 13mohm @ 30a，10v 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 30006 PF @ 30 V 标准 44W（TC）
G050P03T Goford Semiconductor G050P03T 1.1700
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 50 P通道 30 V 85A（TC） 4.5V，10V 5mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 6922 PF @ 15 V - 100W（TC）
G1K1P06LL Goford Semiconductor G1K1P06LL 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-6L 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 3,000 P通道 60 V 3A（TC） 4.5V，10V 110MOHM @ 2A，10V 2.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 1035 PF @ 30 V - 1.5W（TC）
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2.4124
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT035N10T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 100 v 190a（TC） 10V 3.5mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 68 NC @ 10 V ±20V 6057 PF @ 50 V - 250W（TC）
G1007 Goford Semiconductor G1007 0.1369
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-G1007Tr Ear99 8541.29.0000 4,000 n通道 100 v 7A（TC） 4.5V，10V 110MOHM @ 1A，10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 612 PF @ 50 V - 28W（TC）
G60N10K Goford Semiconductor G60N10K 0.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 n通道 90 v 60a（TC） 4.5V，10V 25mohm @ 20a，10v 2.5V @ 250µA 111 NC @ 10 V ±20V 4118 PF @ 50 V - 56W（TC）
GT013N04D5 Goford Semiconductor GT013N04D5 0.5251
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT013N04D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 40 V 195a（TC） 10V 1.7MOHM @ 30a，10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±20V 3927 PF @ 20 V - 78W（TC）
6703 Goford Semiconductor 6703 0.0777
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） SOT-23-6L - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-6703Tr Ear99 8541.29.0000 3,000 - 20V 2.9a（ta），3a（ta） 59MOHM @ 2.5a，2.5V，110MOHM @ 3A，4.5V 1.2V @ 250µA，1V @ 250µA - 300pf @ 10V，405pf @ 10V 标准
G230P06K Goford Semiconductor G230P06K 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 Rohs符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 60a（TC） 10V 20mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4581 PF @ 30 V - 115W（TC）
G700P06H Goford Semiconductor G700P06H 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA MOSFET （金属 o化物） SOT-223 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0000 2,500 P通道 60 V 5A（TC） 4.5V，10V 75mohm @ 6a，10v 2.5V @ 250µA 15.8 NC @ 10 V ±20V 1459 PF @ 30 V - 3.1W（TC）
G085P02TS Goford Semiconductor G085P02TS 0.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度） MOSFET （金属 o化物） 8-tssop 下载 Rohs符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0000 5,000 P通道 20 v 8.2A（TC） 1.8V，4.5V 8.5MOHM @ 4.2A，4.5V 900mv @ 250µA 29 NC @ 10 V ±8V 1255 pf @ 10 V - 1.05W（TC）
GT080N08D5 Goford Semiconductor GT080N08D5 0.3673
RFQ
 ECAD 3711 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT080N08D5TR Ear99 8541.29.0000 5,000 n通道 85 v 65A（TC） 10V 8mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1885 PF @ 50 V - 69W（TC）
G33N03S Goford Semiconductor G33N03S 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 30 V 13A（TC） 4.5V，10V 12mohm @ 8a，10v 1.1V @ 250µA 13 NC @ 5 V ±20V 1550 pf @ 15 V - 2.5W（TC）
G230P06F Goford Semiconductor G230P06F 0.9800
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 Rohs符合条件 不适用 到达不受影响 3141-G230P06F Ear99 8541.29.0000 50 P通道 60 V 42A（TC） 10V 23mohm @ 10a，10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 4669 PF @ 30 V - 67.57W（TC）
G2014 Goford Semiconductor G2014 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 6-WDFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 6-DFN（2x2） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 14A（TC） 2.5V，10V 7MOHM @ 5A，10V 900mv @ 250µA 17.5 NC @ 4.5 V ±12V 1710 PF @ 10 V - 3W（TC）
G2304 Goford Semiconductor G2304 0.4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 3.6a（ta） 4.5V，10V 58mohm @ 3.6A，10V 2.2V @ 250µA 4 NC @ 10 V ±20V 230 pf @ 15 V 标准 1.7W（TA）
GC11N65K Goford Semiconductor GC11N65K 0.6080
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 V ±30V 901 PF @ 50 V - 78W（TC）
GT110N06D5 Goford Semiconductor GT110N06D5 0.9100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 戈福德半导体 GT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET （金属 o化物） 8-DFN（4.9x5.75） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 5,000 n通道 60 V 45A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±20V 1202 PF @ 30 V - 69W（TC）
2301 Goford Semiconductor 2301 0.0270
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 3A（3A） 2.5V，4.5V 56mohm @ 1.7a，4.5V 900mv @ 250µA 12 nc @ 2.5 V ±10V 405 pf @ 10 V - 1W（ta）
GC20N65Q Goford Semiconductor GC20N65Q 3.5300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 10V 170MOHM @ 10a，10v 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±30V 1724 PF @ 100 V - 151W（TC）
G70P02K Goford Semiconductor G70P02K 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 15 v 70A（TC） 2.5V，4.5V 8.5MOHM @ 20A，4.5V 1.5V @ 250µA 55 NC @ 4.5 V ±12V 3500 PF @ 10 V - 70W（TC）
GT030N08T Goford Semiconductor GT030N08T 2.3624
RFQ
 ECAD 1020 0.00000000 戈福德半导体 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 - Rohs符合条件 到达不受影响 3141-GT030N08T Ear99 8541.29.0000 50 n通道 85 v 200a（TC） 10V 3mohm @ 20a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 5822 PF @ 50 V - 260W（TC）
G20P06K Goford Semiconductor G20P06K 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 20A（TC） 10V 45mohm @ 12a，10v 3.5V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 3430 PF @ 30 V 90W（TC）
GT110N06S Goford Semiconductor GT110N06S 0.7300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 戈福德半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 60 V 14A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 14a，10v 2.4V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1300 pf @ 25 V - 3W（TC）
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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