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![]() | LS26VPS DFN 8L ROHS | 2.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜135°C(TJ) | 表面安装 | 8-vfdfn裸露的垫子 | 350兆 | 8-DFN(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 13pf @ 20V | 40 V | 7.5 V @ 1 µA | 50欧姆 | 10 MA | ||||
![]() | NTE467 | 1.3100 | ![]() | 63 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 310 MW | 到92 | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE467 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 10pf @ 12V | 30 V | 50 mA @ 20 V | 30欧姆 | ||||||
![]() | SST403 SOIC 8L-Tr | 9.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | SST403 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 300兆 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2,500 | 2 n 通道(双) | 50 V | 8pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 10 V | 500 mv @ 1 na | ||||||||
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![]() | 2N5546 | 36.4200 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-2N5546 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | TF262th-4-TL-H | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | TF262 | 100兆 | VTFP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 3.5pf @ 2V | 140 µA @ 2 V | 200 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||
![]() | 2n5638rlrag | - | ![]() | 8184 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3) | 2N5638 | 310 MW | TO-92(to-226) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 30 V | 10pf @ 12v(vgs) | 35 v | 50 mA @ 20 V | 30欧姆 | |||||
![]() | LSK389B SOIC 8L ROHS | 10.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | LSK389 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 400兆 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 40 V | 25pf @ 10V | 40 V | 6 mA @ 10 V | 300 mV @ 1 µA | 10 MA | ||||
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![]() | 2N4391 | 4.7500 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N4391 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 400 mv | 14pf @ 20V | 40 V | 50 mA @ 20 V | 4 V @ 1 na | 30欧姆 | ||||
![]() | J203-18 | - | ![]() | 5551 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 8536.69.4040 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | 2N4856 | 3.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 300兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N4856 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | - | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | ||||||
![]() | MQ2N4861UB | 80.7975 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/385 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 360兆w | UB | - | 到达不受影响 | 150-MQ2N4861UB | 1 | n通道 | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 8 ma @ 15 V | 800 MV @ 500 PA | 60欧姆 | |||||||
![]() | 2N4392-E3 | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4392 | 1.8 w | TO-206AA(to-18) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | ||||
![]() | J2A080GX0/T0BG295, | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | - | - | J2A080 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 935292489118 | 0000.00.0000 | 12,500 | - | - | |||||||||
![]() | MX2N4856UB/TR | 68.9206 | ![]() | 4171 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX2N4856UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||
MQ2N4391 | 27.9965 | ![]() | 6982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | TO-18((TO-206AA) | - | 到达不受影响 | 150-MQ2N4391 | 1 | n通道 | - | ||||||||||||||
![]() | j2a012yxy/s1ay7uzj | - | ![]() | 9192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | J2A0 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||
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![]() | TF262th-5-TL-H | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | TF262 | 100兆 | VTFP | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n通道 | 3.5pf @ 2V | 210 µA @ 2 V | 200 mV @ 1 µA | 1 MA | ||||||
![]() | 2N4859 | 3.0000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 300兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-2N4859 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | n通道 | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 25欧姆 | |||||
![]() | 2N4393 | - | ![]() | 8910 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 2N4393 | 1.8 w | TO-206AA(to-18) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 20 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | ||||
![]() | J3D016YXV/T1AY599J | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | J3D0 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||
![]() | U1897 | - | ![]() | 6726 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | U1897 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n通道 | 16pf @ 20V | 40 V | 30 ma @ 20 V | 5 V @ 1 na | 30欧姆 | |||||
![]() | U440 | - | ![]() | 7369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-71-6 | U440 | 500兆 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 n 通道(双) | 3pf @ 10V | 25 v | 6 mA @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||
![]() | LS840 SOIC 8L ROHS | 10.3400 | ![]() | 2564 | 0.00000000 | 线性集成系统公司 | LS840 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 400兆 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 10pf @ 20V | 60 V | 500 µA @ 20 V | 1 v @ 1 na | ||||||
![]() | MQ2N4860UB/TR | 80.9438 | ![]() | 1555年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/385 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 360兆w | UB | - | 到达不受影响 | 150-MQ2N4860UB/TR | 100 | n通道 | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 20 ma @ 15 V | 2 V @ 500 PA | 40欧姆 | |||||||
![]() | P1086 | - | ![]() | 4662 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | P1086 | 350兆 | TO-92-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | P通道 | 45pf @ 15V | 30 V | 10 ma @ 20 V | 10 V @ 1 µA | 75欧姆 |
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