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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
VS-GT250SA60S	35.5788	RFQ	5342	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克			750 w	标准	SOT-227	下载			到达不受影响	112-VS-GT250SA60S	Ear99	8541.29.0095	160	单身的			沟渠场停止	600 v	359 a		1.16V @ 15V，100a				100 µA	不	24.2 NF @ 25 V
NXH240B120H3Q1PG	158.9100	RFQ	4656	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			158 w	标准	32-PIM（71x37.4）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH240B120H3Q1PG	Ear99	8541.29.0095	21	三重，双重来源			沟渠场停止	1200 v	68 a		2V @ 15V，80a				400 µA	是的	18.151 NF @ 20 V
RGW60TK65DGVC11	6.6900	RFQ	5259	Rohm半导体	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3PFM，SC-93-3	RGW60	标准	72 w		to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		400V，30a，10ohm，15V	92 ns	沟渠场停止	650 v	33 a	120 a	1.9V @ 15V，30a	480µJ（在）上，490µj（）	84 NC	37NS/114NS
FS450R12OE4BOSA1	826.7500	RFQ	6160	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS450R12		2250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	660 a		2.1V @ 15V，450a				3 ma	是的	28 NF @ 25 V
MIXA61WB1200TEH	112.4940	RFQ	9243	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixa61			-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXA61WB1200TEH			5	-			-				-
6PS18012E4FG35689NWSA1	-	RFQ	1965年	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6PS18012			标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v			-					是的
SGH23N60UFDTU	-	RFQ	5144	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	SGH23	标准	100 W		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		300V，12a，23ohm，15V	60 ns	-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	49 NC	17NS/60NS
FB10R06KL4GB1BOMA1	-	RFQ	1375	Infineon技术	-	托盘	过时的				FB10R06					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		20
APTGT75DA170T1G	-	RFQ	8674	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1			465 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1700 v	130 a		2.4V @ 15V，75a				250 µA	是的	6.8 nf @ 25 V
IXYK140N120A4	39.3700	RFQ	185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK140	标准	1500 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyk140n120a4	Ear99	8541.29.0095	25		600V，70a，1.5Ohm，15V	47 ns	pt	1200 v	480 a	1200 a	1.7V @ 15V，140a	4.9MJ（在）上，12MJ（12MJ）	420 NC	52NS/590NS
APT40GP60BG	13.1000	RFQ	1300	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT40GP60	标准	543 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，40a，5ohm，15V		pt	600 v	100 a	160 a	2.7V @ 15V，40a	（385µJ）（在352µJ上）	135 NC	20NS/64NS
APTGF50DA120TG	-	RFQ	9596	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			312 w	标准	SP4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
AUIRG4BC30Ust	-	RFQ	3008	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	auirg4	标准	100 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001512374	Ear99	8541.29.0095	800		480V，12a，23ohm，15V		-	600 v	23 a	92 a	2.1V @ 15V，12A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	50 NC	17NS/78NS
IRGB30B60KPBF	-	RFQ	1963年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	370 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，30a，10ohm，15V		npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
IRG4PSH71UDPBF	-	RFQ	4618	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准	350 w		SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		960V，70A，5OHM，15V	110 ns	-	1200 v	99 a	200 a	2.7V @ 15V，70a	8.8mj（在）（9.4MJ）上）	380 NC	46NS/250NS
CM75TL-24NF	-	RFQ	5603	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			520 w	标准	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器			-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a				1 MA	不	11.5 nf @ 10 V
FS35R12KE3GBPSA1	109.1653	RFQ	2376	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12		200 w	标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器			-	1200 v	55 a		2.15V @ 15V，35a				5 ma	是的	2.5 nf @ 25 V
STGB40H65FB	3.8500	RFQ	8354	Stmicroelectronics	HB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB40	标准	283 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，40a，5ohm，15V		沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
IRGP4068DPBF	-	RFQ	4180	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4068	标准	330 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		400V，48a，10ohm，15V		沟	600 v	96 a	144 a	2.14V @ 15V，48a	1.28MJ（）	95 NC	- /145ns
CM300DY-12NF	-	RFQ	5731	Powerex Inc.	IGBTMOD™	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			780 w	标准	模块	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥			-	600 v	300 a		2.2V @ 15V，300A				1 MA	不	45 NF @ 10 V
IRGBC40S	-	RFQ	1054	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	160 w		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				-	600 v	50 a		1.8V @ 15V，31a
IXSH30N60C	-	RFQ	4296	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准	200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，30a，4.7Ohm，15V		pt	600 v	55 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	（700µJ）（离）	100 NC	30NS/90NS
GB100XCP12-227	-	RFQ	4226	基因半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4				标准	SOT-227	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	10	单身的			pt	1200 v	100 a		2V @ 15V，100a				1 MA	不	8.55 NF @ 25 V
APT35GN120L2DQ2G	10.7800	RFQ	8917	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT35GN120	标准	379 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		800V，35A，2.2OHM，15V		NPT，沟渠场停止	1200 v	94 a	105 a	2.1V @ 15V，35a	2.315MJ（）	220 NC	24NS/300NS
IGW50N65H5AXKSA1	5.0535	RFQ	1667年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW50N65	标准	270 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		400V，25a，12ohm，15V		沟	650 v	80 a	150 a	2.1V @ 15V，50a	（450µJ）（在160µJ上）	116 NC	21NS/173NS
FF450R12KT4PHOSA1	264.3550	RFQ	7292	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	半桥			沟渠场停止	1200 v	450 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
IXYN150N60B3	40.0090	RFQ	2280	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn150	标准	830 w		SOT-227B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		400V，75A，2OHM，15V	88 ns	-	600 v	250 a	750 a	2.2V @ 15V，150a	4.2MJ（在）上，2.6MJ off）	260 NC	27NS/167NS
IXGH30N60A	-	RFQ	9587	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准	200 w		TO-247AD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		-	600 v	50 a		3V @ 15V，30a	-		-
IXST30N60B	-	RFQ	7457	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST30	标准	200 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，30a，4.7Ohm，15V		pt	600 v	55 a	110 a	2V @ 15V，30a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
GT20N135SRA，S1E	3.2800	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	312 w		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		300V，40a，39ohm，15V		-	1350 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，40a	- （700µJ（OFF））	185 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²