RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
APTGT300DU60G	217.6800	RFQ	5498	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTGT300		1150 w	标准	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	APTGT300DU60GMP-ND	Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源			沟渠场停止	600 v	430 a		1.8V @ 15V，300A				350 µA	不	24 NF @ 25 V
APTGF50DU120TG	-	RFQ	5314	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4			312 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重，共同来源			npt	1200 v	75 a		3.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V
APTGT400A120D3G	400.2900	RFQ	6305	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT400		2100 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	1200 v	580 a		2.1V @ 15V，400A				750 µA	不	29 nf @ 25 V
IXGR32N170AH1	-	RFQ	8538	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准	200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1360V，21a，2.7Ohm，15V	230 ns	npt	1700 v	26 a	200 a	5.2V @ 15V，21a	1.5mj（（）	155 NC	46NS/260NS
IXYP20N120B4	15.2094	RFQ	1757年	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准	375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N120B4	Ear99	8541.29.0095	50		960V，20a，10ohm，15V	47 ns	-	1200 v	76 a	130 a	2.1V @ 15V，20A	3.9MJ（在）上，1.6MJ off）	44 NC	15NS/200NS
VKI50-12P1	-	RFQ	6811	ixys	-	盒子	过时的	-	底盘安装	Eco-PAC2			208 w	标准	Eco-PAC2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	完整的桥梁逆变器			npt	1200 v	49 a		3.7V @ 15V，50a				1.1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
AIMZHN120R080M1TXKSA1	14.3275	RFQ	1415	Infineon技术	*	管子	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R080M1TXKSA1			240
FGPF7N60RUFDTU	0.5100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准	41 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		300V，7A，30OHM，15V	65 ns	-	600 v	14 a	21 a	2.8V @ 15V，7a	230µJ（在）上，100µJ（OFF）	24 NC	60NS/60NS
PSDC312E8427618NOSA1	-	RFQ	5945	Infineon技术	-	托盘	过时的				PSDC312					-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
FF600R12KE7EHPSA1	310.8200	RFQ	10	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器			沟渠场停止	1200 v	600 a		1.75V @ 15V，600A				100 µA	不	92.3 NF @ 25 V
DGTD120T40S1PT	-	RFQ	6715	二极管合并	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	DGTD120	标准	357 w		TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450		600V，40a，10ohm，15V	100 ns	现场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	1.96mj（在）上，540µJ off）	341 NC	65NS/308NS
IXGQ150N30TCD1	-	RFQ	3666	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ150	标准			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		-		-	300 v	150 a		-	-		-
APTGF300A120D3G	-	RFQ	7312	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	D-3模块			2100 w	标准	D3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	半桥			npt	1200 v	420 a		3.7V @ 15V，300A				5 ma	不	19 nf @ 25 V
MKI100-12E8	-	RFQ	3884	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mki		640 w	标准	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	完整的桥梁逆变器			npt	1200 v	165 a		2.5V @ 15V，100a				1.4 MA	不	7.4 nf @ 25 V
IXXH60N65B4H1	13.4200	RFQ	7731	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH60	标准	380 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，60a，5ohm，15V	150 ns	pt	650 v	116 a	230 a	2V @ 15V，60a	3.13MJ（在）上，1.15MJ（OFF）	95 NC	37NS/145NS
HGT1S14N36G3VLT	-	RFQ	7218	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	HGT1S14	逻辑	100 W		i2pak（（TO-262）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		300V，7a，25ohm，5V		-	390 v	18 a		2.2V @ 5V，14a	-	24 NC	- /7µs
APT50GP60JDQ2	32.4200	RFQ	6093	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT50GP60		329 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			pt	600 v	100 a		2.7V @ 15V，50a				525 µA	不	5.7 nf @ 25 V
IXGT24N60C	-	RFQ	7102	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准	150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，24a，10ohm，15V		-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS
STGW19NC60HD	3.2600	RFQ	7698	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW19	标准	140 w		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		390V，12a，10ohm，15V	31 ns	-	600 v	42 a	60 a	2.5V @ 15V，12A	（85µJ）（在189µj of）上	53 NC	25NS/97NS
IXYX110N120A4	39.8300	RFQ	13	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYX110	标准	1360 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixyx110n120a4	Ear99	8541.29.0095	30		600V，50a，1.5Ohm，15V		pt	1200 v	375 a	900 a	1.8V @ 15V，110a	2.5MJ（在）上，8.4MJ off）	305 NC	42NS/550NS
IKZA75N65EH7XKSA1	9.2900	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的									下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
NXH50C120L2C2ESG	83.7000	RFQ	6	Onmi	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	26-PowerDip 模块（1.199英寸，47.20mm）	NXH50		20兆	三相桥梁整流器	26浸	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH50C120L2C2ESG	Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器			-	1200 v	50 a		2.4V @ 15V，50a				250 µA	是的	11.897 NF @ 20 V
FGA20S125P	-	RFQ	4601	Onmi	-	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA20S125	标准	250 w		to-3pn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		-		沟渠场停止	1250 v	40 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-	129 NC	-
FP50R12W2T7PB11BPSA1	-	RFQ	9287	Infineon技术	EasyPim™	托盘	在sic中停产	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP50R12		20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	18	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	50 a		-				8 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
FGH40T70SHD-F155	-	RFQ	7037	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FGH40	标准	268 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		400V，40a，6ohm，15V	37 ns	沟渠场停止	700 v	80 a	120 a	2.15V @ 15V，40a	1.15MJ（在）上，271µJ off）	69 NC	22ns/66ns
IXGT16N170A	14.3900	RFQ	1962年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT16	标准	190 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		850V，16a，10ohm，15V		npt	1700 v	16 a	40 a	5V @ 15V，11a	900µJ（离）	65 NC	36NS/160NS
APT80GA60LD40	12.9500	RFQ	6881	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT80GA60	标准	625 w		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，47A，4.7OHM，15V	22 ns	pt	600 v	143 a	240 a	2.5V @ 15V，47a	（840µJ）（在751µJ上）	230 NC	23ns/158ns
APTGV25H120BG	-	RFQ	2599	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP4			156 w	标准	SP4	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥			NPT，沟渠场停止	1200 v	40 a		2.1V @ 15V，25a				250 µA	不	1.8 nf @ 25 V
IRG4CC80UD	-	RFQ	5429	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	死	irg4cc	标准			死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		-		-	600 v			-	-		-
IXBF12N300	35.1392	RFQ	1975年	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF12	标准	125 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		-	1.4 µs	-	3000 v	26 a	98 a	3.2V @ 15V，12A	-	62 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²