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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IHW30N120R3FKSA1	-	RFQ	3253	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW30	标准	349 w		PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		600V，30a，10ohm，15V		-	1200 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V，30a	1.47MJ（）	263 NC	- /326ns
IXGR50N60A2U1	-	RFQ	8156	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR50	标准	200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		480V，50a，5ohm，15V		pt	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，50a	3.5MJ（）	140 NC	20N/410NS
FGA50N100BNTD2	-	RFQ	3023	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FGA50N100	标准	156 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		600V，60a，10ohm，15V	75 ns	腐败和战战trench	1000 v	50 a	200 a	2.9V @ 15V，60a	-	257 NC	34NS/243NS
APTGL60DSK120T3G	-	RFQ	8130	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3			280 w	标准	SP3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器			沟渠场停止	1200 v	80 a		2.25V @ 15V，50a				250 µA	是的	2.77 NF @ 25 V
STGP15M65DF2	2.3600	RFQ	2389	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP15	标准	136 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，15a，12ohm，15V	142 ns	沟渠场停止	650 v	30 a	60 a	2V @ 15V，15a	（90µJ）（在），450µJ（450µJ）中	45 NC	24ns/93ns
APT25GR120SSCD10	-	RFQ	5487	Microsemi Corporation	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT25GR120	标准	521 w		d3pa k	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		600V，25a，4.3Ohm，15V		npt	1200 v	75 a	100 a	3.2V @ 15V，25a	（434µJ）（在466 µJ上）	203 NC	16ns/122ns
BSM50GB170DN2HOSA1	-	RFQ	6031	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM50G		500 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥			-	1700 v	72 a		3.9V @ 15V，50a					不	8 nf @ 25 V
APT36GA60B	4.8100	RFQ	9843	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT36GA60	标准	290 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，20a，10ohm，15V		pt	600 v	65 a	109 a	2.5V @ 15V，20A	307µJ（在）上，254µJ（OFF）	102 NC	16ns/122ns
IXYH50N120C3D1	14.0000	RFQ	2	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准	625 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，50A，5OHM，15V	195 ns	-	1200 v	90 a	210 a	4V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
FP75R12KT4B16BOSA1	200.9200	RFQ	6	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP75R12		385 w	三相桥梁整流器	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	150 a		2.25V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
APTGL700SK120D3G	312.7200	RFQ	9898	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGL700		3000 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	840 a		2.2V @ 15V，600A				5 ma	不	37.2 NF @ 25 V
IRG7CH23K10EF	-	RFQ	9368	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH					下载		不适用	到达不受影响	SP001545918	过时的	0000.00.0000	1
VII25-06P1	-	RFQ	2705	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii		82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥			npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	是的	8 nf @ 25 V
NGTB50N65S1WG	-	RFQ	9700	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB50	标准	300 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，50a，10ohm，15V	70 ns	沟	650 v	140 a	140 a	2.45V @ 15V，50a	1.25mj（在）上，530µJ off）	128 NC	75NS/128NS
IXGH34N60B2	-	RFQ	6416	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH34	标准	190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，24A，5OHM，15V		-	600 v	70 a	150 a	1.55V @ 15V，24a	640µJ（OFF）	66 NC	13NS/150NS
DF900R12IP4DBOSA1	598.4567	RFQ	6015	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF900R12		5100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单菜器			沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	是的	54 NF @ 25 V
APT50GF120JRDQ3	86.5400	RFQ	8295	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT50GF120		521 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			npt	1200 v	120 a		3V @ 15V，75a				750 µA	不	5.32 NF @ 25 V
IRG4PC50SPBF	-	RFQ	3340	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准	200 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		480V，41A，5OHM，15V		-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	180 NC	33NS/650NS
STGF7NC60HD	-	RFQ	4803	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF7	标准	25 w		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		390V，7A，10欧姆，15V	37 ns	-	600 v	10 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	95µJ（在）上，115µJ（115µJ）	35 NC	18.5NS/72NS
STGP20M65DF2	2.7400	RFQ	1116	Stmicroelectronics	m	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP20	标准	166 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，20A，12OHM，15V	166 ns	沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（140µJ）（在560µJ上）	63 NC	26NS/108NS
IRGP4063-EPBF	-	RFQ	9533	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准	330 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		400V，48a，10ohm，15V		沟	600 v	96 a	144 a	2.14V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	95 NC	60NS/145NS
APT47GA60JD40	31.9400	RFQ	3084	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT47GA60		283 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			pt	600 v	87 a		2.5V @ 15V，47a				275 µA	不	6.32 NF @ 25 V
IGW30N60TFKSA1	3.9300	RFQ	243	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IGW30N	标准	187 W		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，30a，10.6Ohm，15V		沟渠场停止	600 v	60 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	1.46mj	167 NC	23ns/254ns
APTGT75A60T1G	54.6800	RFQ	5312	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1	APTGT75		250 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥			沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a				250 µA	是的	4.62 NF @ 25 V
STGB5H60DF	1.4300	RFQ	1677年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB5	标准	88 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，5A，47OHM，15V	134.5 ns	沟渠场停止	600 v	10 a	20 a	1.95V @ 15V，5A	（56µJ）（在78.5µJ上）	43 NC	30NS/140NS
SIGC11T60SNCX1SA1	-	RFQ	7266	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC11	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1		400V，10a，25ohm，15V		npt	600 v	10 a	30 a	2.4V @ 15V，10a	-		28ns/198ns
PP600T120	-	RFQ	2506	Powerex Inc.	-	大部分	积极的	-	-	-	PP600			-	-	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	-			-				-					不
SGL60N90DG3YDTU	-	RFQ	2961	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL60	标准	180 w		TO-264-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	150		-	1.5 µs	沟	900 v	60 a	120 a	2.7V @ 15V，60a	-	260 NC	-
SIGC10T60EX7SA3	-	RFQ	4833	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC10	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	600 v	20 a	60 a	1.9V @ 15V，20A	-		-
STGP30H65F	3.1200	RFQ	14	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP30	标准	260 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		400V，30a，10ohm，15V		沟渠场停止	650 v	60 a	120 a	2.4V @ 15V，30a	350µJ（在）上，400µJ（400µJ）	105 NC	50NS/160NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²