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IGBT（8343）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	测试条件	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
APTGL325DA120D3G	-	RFQ	6170	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块			1500 w	标准	D3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	420 a		2.2V @ 15V，300A				5 ma	不	18.6 NF @ 25 V
MG1775S-BN4MM	-	RFQ	2092	Littelfuse Inc.	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	S-3模块			520 w	标准	S3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		-MG1775S-BN4MM	Ear99	8541.29.0095	50	半桥			沟渠场停止	1700 v	125 a		2.45V @ 15V，75a				3 ma	不	6.8 nf @ 25 V
VII50-06P1	-	RFQ	1356	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vii		130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥			npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	是的	16 NF @ 25 V
hgtg18nnnnnnnnnnnnnd	-	RFQ	8484	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	HGTG18N120	标准	390 w		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450		960V，18a，3ohm，15V	75 ns	npt	1200 v	54 a	160 a	2.7V @ 15V，18A	1.9MJ（在）上，1.8MJ off）	165 NC	23ns/170ns
VS-GA200TH60S	-	RFQ	8699	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GA200		1042 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGA200TH60S	Ear99	8541.29.0095	12	半桥			-	600 v	260 a		1.9V @ 15V，200a（类型）				5 µA	不	13.1 NF @ 25 V
IKD04N60RFATMA1	1.1500	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD04N60	标准	75 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		400V，4A，43OHM，15V	34 ns	沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	60µJ（在）上，50µJ（50µJ）	27 NC	12NS/116NS
IXGH24N120C3H1	8.7748	RFQ	7480	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准	250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		600V，20A，5OHM，15V	70 ns	pt	1200 v	48 a	96 a	4.2V @ 15V，20A	1.16mj（在）（470µJ）上）	79 NC	16ns/93ns
KGF65A6H	-	RFQ	9018	桑肯	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	KGF65	标准	405 w		TO-247-3	下载	Rohs符合条件			1261-KGF65A6H	Ear99	8541.29.0095	1,440		400V，60a，10ohm，15V	50 ns	沟渠场停止	650 v	80 a	100 a	2.37V @ 15V，60a	1.4MJ（在）上，1.3MJ off）	110 NC	50NS/130NS
SGW13N60UFDTM	1.7100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGW13	标准	60 W		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800		300V，6.5a，50ohm，15V	55 ns	-	600 v	13 a	52 a	2.6V @ 15V，6.5a	（85µJ）（在），95µJ（95µJ）中	25 NC	20N/70NS
APTGL475DA120D3G	250.4300	RFQ	1925年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGL475		2080 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	610 a		2.2V @ 15V，400A				5 ma	不	24.6 nf @ 25 V
FP35R12N2T7BPSA2	119.8200	RFQ	7341	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12		20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a				7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	321.4800	RFQ	8	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCGLQ		470 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCGLQ75DDU120CTBL3NG	Ear99	8541.29.0095	1	全桥			-	1200 v	160 a		2.4V @ 15V，75a				50 µA	是的	4.4 NF @ 25 V
STGD18N40LZ-1	-	RFQ	8467	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD18	逻辑	125 w		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		300V，10A，5V		-	420 v	25 a	40 a	1.7V @ 4.5V，10a	-	29 NC	650NS/13.5µS
MIF100R12C1PF-BP	-	RFQ	5447	微商业公司	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	MIF100		675兆	-	模块	下载				353-MIF100R12C1PF-BP	Ear99	8541.29.0095	1	2独立			npt	1200 v	100 a		3V @ 15V，100a				1 MA	不	6700 PF @ 25 V
FS10R06VE3BOMA1	-	RFQ	2825	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS10R06		50 W	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	三相逆变器			-	600 v	16 a		2V @ 15V，10a				1 MA	不	550 pf @ 25 V
IXGH50N60B	-	RFQ	7731	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准	300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH50N60B-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		480V，50a，2.7Ohm，15V		-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
FF600R12ME4PB11BOSA1	391.2133	RFQ	6278	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计				FF600R12					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6
IXA4I1200UC-tub	1.8237	RFQ	9977	ixys	XPT™	管子	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXA4I1200	标准	45 W		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixa4i1200uc-tub	Ear99	8541.29.0095	70		600V，3A，330OHM，15V		pt	1200 v	9 a		2.1V @ 15V，3A	（400µJ）（在300µJ上）	12 nc	70NS/250NS
SIGC28T60EX1SA4	-	RFQ	3188	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC28	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-		沟渠场停止	600 v	50 a	150 a	1.85V @ 15V，50a	-		-
FP35R12N2T7B11BPSA1	93.5100	RFQ	5	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12		20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a				7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
IXYP30N120B4	14.5226	RFQ	5510	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120B4	Ear99	8541.29.0095	50
IXYH8N250CV1HV	24.7200	RFQ	7153	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH8N250	标准	280 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		1250V，8a，15ohm，15V	5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
NGTB40N65IHRWG	-	RFQ	4756	Onmi	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	NGTB40	标准	405 w		TO-247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		400V，40a，10ohm，15V		现场停止	650 v	80 a	160 a	1.7V @ 15V，40a	420µJ（离）	190 NC	-
APTGT200DA120D3G	183.8100	RFQ	9223	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D-3模块	APTGT200		1050 w	标准	D3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的			沟渠场停止	1200 v	300 a		2.1V @ 15V，200a				6 ma	不	14 NF @ 25 V
FGPF15N60UNDF	-	RFQ	9917	Onmi	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FGPF15	标准	42 W		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2156-FGPF15N60UNDF-488	Ear99	8541.29.0095	50		400V，15a，10ohm，15V	82.4 ns	npt	600 v	30 a	45 a	2.7V @ 15V，15a	（370µJ）（在67μj上）	43 NC	9.3NS/54.8NS
FS300R120E4B0SA1	-	RFQ	5062	Infineon技术	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
STGB10M65DF2	2.2700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB10	标准	115 w		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，10a，22ohm，15V	96 ns	沟渠场停止	650 v	20 a	40 a	2V @ 15V，10a	（120µJ）（在）中，270µJ（OFF）	28 NC	19NS/91NS
STGB50H65FB2	1.3018	RFQ	1371	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB50	标准	272 w		d²pak（to-263）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGB50H65FB2	Ear99	8541.29.0095	1,000		400V，50a，4.7Ohm，15V		沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
FP75R12N2T7BPSA1	135.9400	RFQ	7	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12		20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器			沟渠场停止	1200 v	75 a		1.55V @ 15V，75a				14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
stgp3nb60f	-	RFQ	8981	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stgp3	标准	68 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		480V，3A，10欧姆，15V	45 ns	-	600 v	6 a	24 a	2.4V @ 15V，3A	125µJ（离）	16 NC	12.5NS/105NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（8343）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²