SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
STGP40V60F STMicroelectronics STGP40V60F 3.4900
RFQ
ECAD 6023 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STGP40 标准 283 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13872-5 Ear99 8541.29.0095 50 400V,40a,10ohm,15V 沟渠场停止 600 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V,40a (456µJ)(在411µJ上) 226 NC 52NS/208NS
IRG4BC30FPBF International Rectifier IRG4BC30FPBF 1.1200
RFQ
ECAD 770 0.00000000 国际整流器 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 100 W TO-220AB 下载 Ear99 8541.29.0095 1 480V,17a,23ohm,15v - 600 v 31 a 124 a 1.8V @ 15V,17a (230µJ)(在1.18MJ上) 51 NC 21NS/200NS
BSM200GB120DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies BSM200GB120DLCE3256HDLA1 -
RFQ
ECAD 8135 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM200 1550 w 标准 Ag-62mmhb - 过时的 1 半桥 - 1200 v 420 a 2.6V @ 15V,200a 5 ma 13 nf @ 25 V
IXYH40N65C3H1 IXYS IXYH40N65C3H1 8.7397
RFQ
ECAD 4991 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXYH40 标准 300 w TO-247(IXYH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 120 ns pt 650 v 80 a 180 a 2.2V @ 15V,40a (860µJ)(在400µJ上) 70 NC 26NS/106NS
SIGC81T60NCX7SA1 Infineon Technologies SIGC81T60NCX7SA1 -
RFQ
ECAD 7596 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SIGC81T60 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 1 300V,100A,2.2OHM,15V npt 600 v 100 a 300 a 2.5V @ 15V,100a - 95NS/200NS
SIGC100T65R3EX1SA2 Infineon Technologies SIGC100T65R3EX1SA2 -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 SIGC100 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 1 - 沟渠场停止 650 v 200 a 600 a 1.9V @ 15V,200a - -
IRGS4045DTRLPBF Infineon Technologies IRGS4045DTRLPBF -
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 77 w D²Pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 400V,6A,47OHM,15V 74 ns - 600 v 12 a 18 a 2V @ 15V,6A 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) 19.5 NC 27ns/75ns
73389_Q Fairchild Semiconductor 73389_Q 0.6300
RFQ
ECAD 8832 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 - 0000.00.0000 216
IXBH14N250A IXYS IXBH14N250A -
RFQ
ECAD 9458 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXBH14 标准 TO-247AD - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 2500 v - - -
IXA12IF1200PB IXYS ixa12if1200pb 4.4000
RFQ
ECAD 9152 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXA12IF1200 标准 85 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V,10a,100ohm,15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V,10a 1.1MJ(在)上,1.1MJ off) 27 NC -
NGTB50N60FL2WG onsemi NGTB50N60FL2WG -
RFQ
ECAD 5122 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 NGTB50 标准 417 w TO-247-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,50a,10ohm,15V 94 ns 沟渠场停止 600 v 100 a 200 a 2V @ 15V,50a 1.5mj(在)上,460µJ off) 220 NC 100NS/237NS
MG06300D-BN4MM Littelfuse Inc. MG06300D-BN4MM -
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 Littelfuse Inc. - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 940 w 标准 D3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 半桥 - 600 v 400 a 1.45V @ 15V,300a ty(typ) 1 MA 19 nf @ 25 V
IXA12IF1200HB IXYS IXA12IF1200HB 5.3500
RFQ
ECAD 450 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXA12IF1200 标准 85 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,10a,100ohm,15V 350 ns pt 1200 v 20 a 2.1V @ 15V,10a 1.1MJ(在)上,1.1MJ off) 27 NC -
FB50R07W2E3C36BPSA1 Infineon Technologies FB50R07W2E3C36BPSA1 63.6600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FB50R07 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15
STGB19NC60KDT4 STMicroelectronics STGB19NC60KDT4 6.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STGB19 标准 125 w D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,12a,10ohm,15V 31 ns - 600 v 35 a 75 a 2.75V @ 15V,12A 165µJ(在)上,255µJ(OFF) 55 NC 30ns/105ns
APTGT75SK120T1G Microsemi Corporation APTGT75SK120T1G -
RFQ
ECAD 3648 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP1 357 w 标准 SP1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1200 v 110 a 2.1V @ 15V,75a 250 µA 是的 5.34 NF @ 25 V
APTGF165A60D1G Microsemi Corporation APTGF165A60D1G -
RFQ
ECAD 4615 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 D1 781 w 标准 D1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 半桥 npt 600 v 230 a 2.45V @ 15V,200a 250 µA 9 nf @ 25 V
APTGF30X60T3G Microsemi Corporation APTGF30X60T3G -
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 140 w 标准 SP3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 npt 600 v 42 a 2.45V @ 15V,30a 250 µA 是的 1.35 NF @ 25 V
APTGT200DU120G Microchip Technology APTGT200DU120G 235.4600
RFQ
ECAD 6658 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP6 APTGT200 890 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双重,共同来源 沟渠场停止 1200 v 280 a 2.1V @ 15V,200a 350 µA 14 NF @ 25 V
APTGT30DDA60T3G Microsemi Corporation APTGT30DA60T3G -
RFQ
ECAD 8420 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SP3 90 W 标准 SP3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 沟渠场停止 600 v 50 a 1.9V @ 15V,30a 250 µA 是的 1.6 nf @ 25 V
APTGT50DU170TG Microsemi Corporation APTGT50DU170TG -
RFQ
ECAD 6803 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP4 312 w 标准 SP4 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双重,共同来源 沟渠场停止 1700 v 75 a 2.4V @ 15V,50a 250 µA 是的 4.4 NF @ 25 V
APTGT50H170TG Microchip Technology APTGT50H170TG 210.4000
RFQ
ECAD 2528 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP4 APTGT50 312 w 标准 SP4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 完整的桥梁逆变器 沟渠场停止 1700 v 75 a 2.4V @ 15V,50a 250 µA 是的 4.4 NF @ 25 V
MWI35-12A7 IXYS MWI35-12A7 -
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 E2 MWI35 280 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三相逆变器 npt 1200 v 62 a 2.8V @ 15V,35a 2 ma 2 NF @ 25 V
MWI75-12E8 IXYS MWI75-12E8 -
RFQ
ECAD 8374 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E3 MWI75 500 w 标准 E3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 1200 v 130 a 2.5V @ 15V,75a 1.1 MA 5.7 nf @ 25 V
IXSN55N120A IXYS IXSN55N120A -
RFQ
ECAD 4086 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 IXSN55 500 w 标准 SOT-227B 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 1200 v 110 a 4V @ 15V,55a 1 MA 8 nf @ 25 V
CM800HA-28H Powerex Inc. CM800HA-28H -
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 4800 w 标准 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 1400 v 800 a 3.6V @ 15V,800A 5 ma 172 NF @ 10 V
STGB18N40LZ-1 STMicroelectronics STGB18N40LZ-1 -
RFQ
ECAD 8808 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STGB18 逻辑 150 w i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 300V,10A,5V - 420 v 30 a 40 a 1.7V @ 4.5V,10a - 29 NC 650NS/13.5µS
STGP19NC60W STMicroelectronics STGP19NC60W 4.3100
RFQ
ECAD 351 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STGP19 标准 130 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 390V,12a,10ohm,15V - 600 v 40 a 2.5V @ 15V,12A (81µJ)(在125µJ上) 53 NC 25NS/90NS
RJH60F7ADPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH60F7ADPK-00 t0 -
RFQ
ECAD 7748 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJH60F7 标准 328.9 w to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 RJH60F7ADPK00T0 Ear99 8541.29.0095 1 400V,30a,5ohm,15V 140 ns 600 v 90 a 1.75V @ 15V,50a - 63NS/142NS
IRG6B330UDPBF Infineon Technologies IRG6B330UDPBF -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRG6B330 标准 160 w TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 196V,25a,10ohm 60 ns 330 v 70 a 2.76V @ 15V,120a - 85 NC 47NS/176NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库