电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 测试条件 | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGP40V60F | 3.4900 | ![]() | 6023 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STGP40 | 标准 | 283 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13872-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,40a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 160 a | 2.3V @ 15V,40a | (456µJ)(在411µJ上) | 226 NC | 52NS/208NS | ||||||||
![]() | IRG4BC30FPBF | 1.1200 | ![]() | 770 | 0.00000000 | 国际整流器 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 标准 | 100 W | TO-220AB | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 480V,17a,23ohm,15v | - | 600 v | 31 a | 124 a | 1.8V @ 15V,17a | (230µJ)(在1.18MJ上) | 51 NC | 21NS/200NS | ||||||||||||
![]() | BSM200GB120DLCE3256HDLA1 | - | ![]() | 8135 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM200 | 1550 w | 标准 | Ag-62mmhb | - | 过时的 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 420 a | 2.6V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 13 nf @ 25 V | |||||||||||||
![]() | IXYH40N65C3H1 | 8.7397 | ![]() | 4991 | 0.00000000 | ixys | GenX3™,XPT™ | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXYH40 | 标准 | 300 w | TO-247(IXYH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,30a,10ohm,15V | 120 ns | pt | 650 v | 80 a | 180 a | 2.2V @ 15V,40a | (860µJ)(在400µJ上) | 70 NC | 26NS/106NS | |||||||
![]() | SIGC81T60NCX7SA1 | - | ![]() | 7596 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC81T60 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 300V,100A,2.2OHM,15V | npt | 600 v | 100 a | 300 a | 2.5V @ 15V,100a | - | 95NS/200NS | |||||||||||
![]() | SIGC100T65R3EX1SA2 | - | ![]() | 1275 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | SIGC100 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 650 v | 200 a | 600 a | 1.9V @ 15V,200a | - | - | |||||||||||
![]() | IRGS4045DTRLPBF | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | 77 w | D²Pak | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V,6A,47OHM,15V | 74 ns | - | 600 v | 12 a | 18 a | 2V @ 15V,6A | 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) | 19.5 NC | 27ns/75ns | |||||||||
![]() | 73389_Q | 0.6300 | ![]() | 8832 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 216 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBH14N250A | - | ![]() | 9458 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-247-3 | IXBH14 | 标准 | TO-247AD | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - | - | 2500 v | - | - | - | ||||||||||||
![]() | ixa12if1200pb | 4.4000 | ![]() | 9152 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IXA12IF1200 | 标准 | 85 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 600V,10a,100ohm,15V | 350 ns | pt | 1200 v | 20 a | 2.1V @ 15V,10a | 1.1MJ(在)上,1.1MJ off) | 27 NC | - | ||||||||
![]() | NGTB50N60FL2WG | - | ![]() | 5122 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | NGTB50 | 标准 | 417 w | TO-247-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,50a,10ohm,15V | 94 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 100 a | 200 a | 2V @ 15V,50a | 1.5mj(在)上,460µJ off) | 220 NC | 100NS/237NS | ||||||||
![]() | MG06300D-BN4MM | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 940 w | 标准 | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 半桥 | - | 600 v | 400 a | 1.45V @ 15V,300a ty(typ) | 1 MA | 不 | 19 nf @ 25 V | |||||||||||
![]() | IXA12IF1200HB | 5.3500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | IXA12IF1200 | 标准 | 85 w | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V,10a,100ohm,15V | 350 ns | pt | 1200 v | 20 a | 2.1V @ 15V,10a | 1.1MJ(在)上,1.1MJ off) | 27 NC | - | ||||||||
![]() | FB50R07W2E3C36BPSA1 | 63.6600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | FB50R07 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | |||||||||||||||||||||||
![]() | STGB19NC60KDT4 | 6.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STGB19 | 标准 | 125 w | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 480V,12a,10ohm,15V | 31 ns | - | 600 v | 35 a | 75 a | 2.75V @ 15V,12A | 165µJ(在)上,255µJ(OFF) | 55 NC | 30ns/105ns | |||||||
![]() | APTGT75SK120T1G | - | ![]() | 3648 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP1 | 357 w | 标准 | SP1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V,75a | 250 µA | 是的 | 5.34 NF @ 25 V | |||||||||||
![]() | APTGF165A60D1G | - | ![]() | 4615 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D1 | 781 w | 标准 | D1 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | npt | 600 v | 230 a | 2.45V @ 15V,200a | 250 µA | 不 | 9 nf @ 25 V | |||||||||||
![]() | APTGF30X60T3G | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 140 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | npt | 600 v | 42 a | 2.45V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.35 NF @ 25 V | ||||||||||||
APTGT200DU120G | 235.4600 | ![]() | 6658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT200 | 890 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | 沟渠场停止 | 1200 v | 280 a | 2.1V @ 15V,200a | 350 µA | 不 | 14 NF @ 25 V | ||||||||||
![]() | APTGT30DA60T3G | - | ![]() | 8420 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | SP3 | 90 W | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V,30a | 250 µA | 是的 | 1.6 nf @ 25 V | |||||||||||
![]() | APTGT50DU170TG | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双重,共同来源 | 沟渠场停止 | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||||
![]() | APTGT50H170TG | 210.4000 | ![]() | 2528 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP4 | APTGT50 | 312 w | 标准 | SP4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | 沟渠场停止 | 1700 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | MWI35-12A7 | - | ![]() | 6372 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | MWI35 | 280 w | 标准 | E2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 62 a | 2.8V @ 15V,35a | 2 ma | 不 | 2 NF @ 25 V | |||||||||
![]() | MWI75-12E8 | - | ![]() | 8374 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E3 | MWI75 | 500 w | 标准 | E3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 130 a | 2.5V @ 15V,75a | 1.1 MA | 不 | 5.7 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | IXSN55N120A | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | IXSN55 | 500 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 1200 v | 110 a | 4V @ 15V,55a | 1 MA | 不 | 8 nf @ 25 V | ||||||||||
![]() | CM800HA-28H | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 4800 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 1400 v | 800 a | 3.6V @ 15V,800A | 5 ma | 不 | 172 NF @ 10 V | |||||||||||
![]() | STGB18N40LZ-1 | - | ![]() | 8808 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STGB18 | 逻辑 | 150 w | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 300V,10A,5V | - | 420 v | 30 a | 40 a | 1.7V @ 4.5V,10a | - | 29 NC | 650NS/13.5µS | ||||||||
STGP19NC60W | 4.3100 | ![]() | 351 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | PowerMesh™ | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STGP19 | 标准 | 130 w | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 390V,12a,10ohm,15V | - | 600 v | 40 a | 2.5V @ 15V,12A | (81µJ)(在125µJ上) | 53 NC | 25NS/90NS | ||||||||||
![]() | RJH60F7ADPK-00 t0 | - | ![]() | 7748 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJH60F7 | 标准 | 328.9 w | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | RJH60F7ADPK00T0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V,30a,5ohm,15V | 140 ns | 沟 | 600 v | 90 a | 1.75V @ 15V,50a | - | 63NS/142NS | ||||||||
![]() | IRG6B330UDPBF | - | ![]() | 4113 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | IRG6B330 | 标准 | 160 w | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 196V,25a,10ohm | 60 ns | 沟 | 330 v | 70 a | 2.76V @ 15V,120a | - | 85 NC | 47NS/176NS |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库