SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 测试条件 trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IRGP4660DPBF International Rectifier IRGP4660DPBF 5.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 330 w TO-247AC 下载 Ear99 8541.29.0095 54 400V,48a,10ohm,15V 115 ns - 600 v 100 a 144 a 1.9V @ 15V,48a (625µJ)(在),1.28mj off) 140 NC 60NS/145NS
IRGR4045DTRLPBF Infineon Technologies IRGR4045DTRLPBF -
RFQ
ECAD 9851 0.00000000 Infineon技术 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 IRGR4045 标准 77 w D-pak 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001542342 Ear99 8541.29.0095 3,000 400V,6A,47OHM,15V 74 ns 600 v 12 a 18 a 2V @ 15V,6A 56µJ(在)上,122µJ(122µJ) 19.5 NC 27ns/75ns
FGY100T65SCDT onsemi FGY100T65SCDT -
RFQ
ECAD 6021 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 FGY100 标准 750 w TO-247-3 下载 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V,100A,4.7OHM,15V 62 ns 沟渠场停止 650 v 200 a 300 a 1.9V @ 15V,100a 5.4MJ(在)上,3.8MJ off) 157 NC 84NS/216NS
RGW40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11 4.5300
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 136 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 400V,20a,10ohm,15V 沟渠场停止 650 v 40 a 80 a 1.9V @ 15V,20A (330µJ)(在300µJ上) 59 NC 33NS/76NS
IRG4PH40UPBF International Rectifier IRG4PH40UPBF -
RFQ
ECAD 5322 0.00000000 国际整流器 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 160 w TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 0000.00.0000 1 960V,21a,10ohm,15V - 1200 v 41 a 82 a 3.1V @ 15V,21a 1.04mj(在)上,3.4MJ off) 130 NC 24NS/220NS
ISL9V3036D3S Fairchild Semiconductor ISL9V3036D3S 1.2300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 Ecospark® 管子 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 逻辑 150 w TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,800 300V,1KOHM,5V - 360 v 21 a 1.6V @ 4V,6A - 17 NC - /4.8µs
IRG4PC50SDPBF Infineon Technologies IRG4PC50SDPBF -
RFQ
ECAD 5461 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IRG4PC50 标准 200 w TO-247AC 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001537214 Ear99 8541.29.0095 25 480V,41A,5OHM,15V 50 ns - 600 v 70 a 140 a 1.36V @ 15V,41a (720µJ)(在),8.27MJ(OFF) 180 NC 33NS/650NS
IRGBC30FD2 Infineon Technologies IRGBC30FD2 -
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 100 W TO-220AB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 - 600 v 31 a 2.1V @ 15V,17a
IXXH100N60B3 IXYS IXXH100N60B3 16.2600
RFQ
ECAD 2965 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXXH100 标准 830 w TO-247AD(IXXH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 360V,70a,2ohm,15V pt 600 v 220 a 480 a 1.8V @ 15V,70a 1.9MJ(在),2MJ(2MJ)中 143 NC 30NS/120NS
IXGT24N60C IXYS IXGT24N60C -
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 ixys HiperFast™,Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXGT24 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,24a,10ohm,15V - 600 v 48 a 96 a 2.5V @ 15V,24a 240µJ(离) 55 NC 15NS/75NS
IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies IRG4BC30UDPBF -
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 Infineon技术 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 100 W TO-220AB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,12a,23ohm,15V 42 ns - 600 v 23 a 92 a 2.1V @ 15V,12A (380µJ)(在160µJ上) 50 NC 40NS/91NS
FGPF7N60RUFDTU Fairchild Semiconductor FGPF7N60RUFDTU 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 标准 41 w TO-220F-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 300V,7A,30OHM,15V 65 ns - 600 v 14 a 21 a 2.8V @ 15V,7a 230µJ(在)上,100µJ(OFF) 24 NC 60NS/60NS
RGTH50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTH50TS65DGC11 4.0100
RFQ
ECAD 188 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 RGTH50 标准 174 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,25a,10ohm,15V 58 ns 沟渠场停止 650 v 50 a 100 a 2.1V @ 15V,25a - 49 NC 27NS/94NS
IXXH60N65B4H1 IXYS IXXH60N65B4H1 13.4200
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 ixys Genx4™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXXH60 标准 380 w TO-247AD(IXXH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,60a,5ohm,15V 150 ns pt 650 v 116 a 230 a 2V @ 15V,60a 3.13MJ(在)上,1.15MJ(OFF) 95 NC 37NS/145NS
IXYP20N120B4 IXYS IXYP20N120B4 15.2094
RFQ
ECAD 1757年 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 标准 375 w TO-220((IXYP) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-IXYP20N120B4 Ear99 8541.29.0095 50 960V,20a,10ohm,15V 47 ns - 1200 v 76 a 130 a 2.1V @ 15V,20A 3.9MJ(在)上,1.6MJ off) 44 NC 15NS/200NS
AIMZHN120R080M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R080M1TXKSA1 14.3275
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZHN120R080M1TXKSA1 240
IXYH85N120C4 IXYS IXYH85N120C4 13.6500
RFQ
ECAD 85 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixyh85 标准 1150 w TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-IXYH85N120C4 Ear99 8541.29.0095 30 600V,50A,5OHM,15V 60 ns - 1200 v 240 a 420 a 2.5V @ 15V,85a 4.3mj(在)上,2MJ(2MJ) 192 NC 35NS/280NS
IXYX110N120A4 IXYS IXYX110N120A4 39.8300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXYX110 标准 1360 w TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-ixyx110n120a4 Ear99 8541.29.0095 30 600V,50a,1.5Ohm,15V pt 1200 v 375 a 900 a 1.8V @ 15V,110a 2.5MJ(在)上,8.4MJ off) 305 NC 42NS/550NS
FGA20S125P onsemi FGA20S125P -
RFQ
ECAD 4601 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 FGA20S125 标准 250 w to-3pn 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 450 - 沟渠场停止 1250 v 40 a 60 a 2.5V @ 15V,20A - 129 NC -
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies IKZA75N65EH7XKSA1 9.2900
RFQ
ECAD 230 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 240
IXGR32N170AH1 IXYS IXGR32N170AH1 -
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 ixgr32 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360V,21a,2.7Ohm,15V 230 ns npt 1700 v 26 a 200 a 5.2V @ 15V,21a 1.5mj(() 155 NC 46NS/260NS
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated DGTD120T40S1PT -
RFQ
ECAD 6715 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 DGTD120 标准 357 w TO-247 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 450 600V,40a,10ohm,15V 100 ns 现场停止 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V,40a 1.96mj(在)上,540µJ off) 341 NC 65NS/308NS
STGW19NC60HD STMicroelectronics STGW19NC60HD 3.2600
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW19 标准 140 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 390V,12a,10ohm,15V 31 ns - 600 v 42 a 60 a 2.5V @ 15V,12A (85µJ)(在189µj of)上 53 NC 25NS/97NS
IXGQ150N30TCD1 IXYS IXGQ150N30TCD1 -
RFQ
ECAD 3666 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXGQ150 标准 to-3p - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 300 v 150 a - - -
IXGR60N60C3D1 IXYS IXGR60N60C3D1 -
RFQ
ECAD 6727 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGR60 标准 170 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,40a,3ohm,15V 25 ns pt 600 v 75 a 260 a 2.5V @ 15V,40a (800µJ)(在450µJ上) 115 NC 21NS/70NS
HGT1S14N36G3VLT onsemi HGT1S14N36G3VLT -
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA HGT1S14 逻辑 100 W i2pak((TO-262) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 300V,7a,25ohm,5V - 390 v 18 a 2.2V @ 5V,14a - 24 NC - /7µs
IXGA20N120A3 IXYS IXGA20N120A3 6.3500
RFQ
ECAD 66 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixga20 标准 180 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V,20a,10ohm,15V pt 1200 v 40 a 120 a 2.5V @ 15V,20A 2.85mj(在)上,6.47mj off) 50 NC 16NS/290NS
IXGR24N60B IXYS IXGR24N60B -
RFQ
ECAD 5427 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXGR24 标准 80 W ISOPLUS247™ - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v 42 a 2.5V @ 15V,24a - -
APT40GR120S Microchip Technology APT40GR120S 8.4800
RFQ
ECAD 1513年 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB APT40GR120 标准 500 w d3pa k 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,40a,4.3Ohm,15V npt 1200 v 88 a 160 a 3.2V @ 15V,40a 1.38mj(在)上(906µJ)off) 210 NC 22NS/163NS
IGC27T120T8QX1SA1 Infineon Technologies IGC27T120T8QX1SA1 -
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 Infineon技术 Trenchstop™ 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 表面安装 IGC27T120 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 - 沟渠场停止 1200 v 75 a 2.42V @ 15V,25a - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库