SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
CM200TU-12H Powerex Inc. CM200TU-12H -
RFQ
ECAD 9363 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 650 w 标准 模块 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 - 600 v 200 a 3V @ 15V,200a 1 MA 17.6 nf @ 10 V
FMG2G50US60 onsemi FMG2G50US60 -
RFQ
ECAD 4097 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 7 pm-ga FMG2 250 w 标准 7 pm-ga 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 50 a 2.8V @ 15V,50a 250 µA 3.46 NF @ 30 V
APTGF330SK60D3G Microsemi Corporation APTGF330SK60D3G -
RFQ
ECAD 6265 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 D-3模块 1400 w 标准 D3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 600 v 460 a 2.5V @ 15V,400A 750 µA 18 nf @ 25 V
FF800R12KE7PHPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1 366.0825
RFQ
ECAD 8927 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 - 底盘安装 模块 FF800R12 标准 Ag-62mmhb - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 8 半桥 沟渠场停止 -
APT150GT120JR Microchip Technology APT150GT120JR 63.3000
RFQ
ECAD 5600 0.00000000 微芯片技术 Thunderboltigbt® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 同位素 APT150 830 w 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 npt 1200 v 170 a 3.7V @ 15V,150a 150 µA 9.3 NF @ 25 V
APTGT75A120D1G Microsemi Corporation APTGT75A120D1G -
RFQ
ECAD 7082 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 在sic中停产 - 底盘安装 D1 357 w 标准 D1 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 沟渠场停止 1200 v 110 a 2.1V @ 15V,75a 4 mA 5.345 NF @ 25 V
IXGN80N60A2D1 IXYS IXGN80N60A2D1 -
RFQ
ECAD 6392 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 ixgn80 625 w 标准 SOT-227B 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 - 600 v 160 a 1.35V @ 15V,80a 650 µA
IRG5K200HF06B Infineon Technologies IRG5K200HF06B -
RFQ
ECAD 4795 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®62模块 800 w 标准 Powir®62 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 340 a 2.1V @ 15V,200a 2 ma 11.9 NF @ 25 V
VS-GB400AH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB400AH120U -
RFQ
ECAD 8417 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB400 2841 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB400AH120U Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 550 a 3.6V @ 15V,400A 5 ma 33.7 NF @ 30 V
FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies FP40R12KT3BPSA1 134.7200
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 FP40R12 105 w 三相桥梁整流器 Ag-Econo2-8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 三相逆变器 - 1200 v 55 a 2.3V @ 15V,40a 5 ma 是的 2.5 nf @ 25 V
DF150R12RT4HOSA1 Infineon Technologies DF150R12RT4HOSA1 72.5100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 DF150R12 790 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单菜器 沟渠场停止 1200 v 150 a 2.15V @ 15V,150a 1 MA 9.3 NF @ 25 V
FD600R06ME3S2BOSA1 Infineon Technologies FD600R06ME3S2BOSA1 267.2080
RFQ
ECAD 5875 0.00000000 Infineon技术 EconoDual™3 托盘 上次购买 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FD600R06 2250 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 沟渠场停止 600 v 600 a 1.6V @ 15V,600A 400 NA 是的 60 NF @ 25 V
APTGF15X120T3G Microsemi Corporation APTGF15X120T3G -
RFQ
ECAD 6100 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 140 w 标准 SP3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 npt 1200 v 25 a 3.7V @ 15V,15a 250 µA 是的 1 nf @ 25 V
FZ3600R17HP4B2BOSA2 Infineon Technologies FZ3600R17HP4B2BOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 3485 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FZ3600 4900000 w 标准 AG-IHMB190 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单个开关 沟渠场停止 1700 v 3600 a 2.25V @ 15V,3.6KA 5 ma 295 NF @ 25 V
BSM50GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies BSM50GAL120DN2HOSA1 -
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM50G 400 w 标准 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单个开关 - 1200 v 78 a 3V @ 15V,50a 1 MA 3.3 NF @ 25 V
CM15TF-12H Powerex Inc. CM15TF-12H -
RFQ
ECAD 9744 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 100 W 标准 模块 - Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3 三相逆变器 - 600 v 15 a 2.8V @ 15V,15a 1 MA 1.5 nf @ 10 V
VS-GA300TD60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA300TD60S -
RFQ
ECAD 9566 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 8) GA300 1136 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA300TD60S Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 600 v 530 a 1.45V @ 15V,300A 750 µA
FP100R12N2T7BPSA1 Infineon Technologies FP100R12N2T7BPSA1 174.1200
RFQ
ECAD 2363 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 托盘 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 FP100R12 20兆 三相桥梁整流器 Ag-Econo2b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 100 a 1.5V @ 15V,100a 10 µA 是的 21.7 NF @ 25 V
FF450R17ME4BOSA1 Infineon Technologies FF450R17ME4BOSA1 310.1400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 EconoDual™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FF450R17 2500 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2独立 沟渠场停止 1700 v 600 a 2.3V @ 15V,450a 3 ma 是的 36 NF @ 25 V
VS-GB150TH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120N -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB150 1008 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TH120N Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 300 a 2.35V @ 15V,150a 5 ma 11 nf @ 25 V
CM100TU-12H Powerex Inc. CM100TU-12H -
RFQ
ECAD 6000 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 400 w 标准 模块 - (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 - 600 v 100 a 3V @ 15V,100a 1 MA 8.8 nf @ 10 V
BYM300A160DN13CHOSA1 Infineon Technologies BYM300A160DN13CHOSA1 -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - - - BYM300 - - - (1 (无限) 到达不受影响 SP000091985 过时的 0000.00.0000 1 - - -
FS15R06VE3B2BOMA1 Infineon Technologies FS15R06VE3B2BOMA1 -
RFQ
ECAD 7523 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FS15R06 65 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 三相逆变器 - 600 v 22 a 2V @ 15V,15a 1 MA 是的 830 pf @ 25 V
APTGLQ40DDA120CT3G Microchip Technology APTGLQ40DDA120CT3G 106.1000
RFQ
ECAD 6216 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 SP6 APTGLQ40 250 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 沟渠场停止 1200 v 75 a 2.4V @ 15V,40a 100 µA 是的 2.3 nf @ 25 V
GSID200A120S3B1 SemiQ GSID200A120S3B1 -
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 semiq AMP+™ 大部分 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 D-3模块 GSID200 1595 w 标准 D3 下载 rohs3符合条件 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 4 2独立 - 1200 v 400 a 2V @ 15V,200a 1 MA 20 nf @ 25 V
FP10R12W1T4PBPSA1 Infineon Technologies FP10R12W1T4PBPSA1 48.7200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Infineon技术 EasyPim™1B 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FP10R12 20兆 三相桥梁整流器 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 20 a 2.25V @ 15V,10a 1 MA 是的 600 pf @ 25 V
CM100DUS-12F Powerex Inc. CM100DUS-12F -
RFQ
ECAD 3549 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 350 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 600 v 100 a 2.7V @ 15V,100a 1 MA 27 NF @ 10 V
MSCGLQ75X065CTYZBNMG Microchip Technology MSCGLQ75X065CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 300 w 三相桥梁整流器 - 下载 rohs3符合条件 1 三期逆变器 - 650 v 100 a 2.3V @ 15V,75a 100 µA 是的 4620 PF @ 25 V
APTGLQ50VDA65T3G Microchip Technology APTGLQ50VDA65T3G 65.5300
RFQ
ECAD 1738年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 APTGLQ50 175 w 标准 SP3F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 沟渠场停止 650 v 70 a 2.3V @ 15V,50a 50 µA 是的 3.1 NF @ 25 V
MG400J2YS61A Powerex Inc. MG400J2YS61A -
RFQ
ECAD 2763 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 过时的 -20°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 2160 w 标准 模块 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 600 v 400 a 2.2V @ 15V,400A 1 MA 85 NF @ 10 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库