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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CM200TU-12H | - | ![]() | 9363 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 650 w | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 200 a | 3V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 17.6 nf @ 10 V | ||||
![]() | FMG2G50US60 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 7 pm-ga | FMG2 | 250 w | 标准 | 7 pm-ga | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 600 v | 50 a | 2.8V @ 15V,50a | 250 µA | 不 | 3.46 NF @ 30 V | |||
![]() | APTGF330SK60D3G | - | ![]() | 6265 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | D-3模块 | 1400 w | 标准 | D3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 600 v | 460 a | 2.5V @ 15V,400A | 750 µA | 不 | 18 nf @ 25 V | |||||
![]() | FF800R12KE7PHPSA1 | 366.0825 | ![]() | 8927 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | - | 底盘安装 | 模块 | FF800R12 | 标准 | Ag-62mmhb | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 半桥 | 沟渠场停止 | - | 不 | ||||||||
APT150GT120JR | 63.3000 | ![]() | 5600 | 0.00000000 | 微芯片技术 | Thunderboltigbt® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 同位素 | APT150 | 830 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | npt | 1200 v | 170 a | 3.7V @ 15V,150a | 150 µA | 不 | 9.3 NF @ 25 V | |||
![]() | APTGT75A120D1G | - | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | - | 底盘安装 | D1 | 357 w | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟渠场停止 | 1200 v | 110 a | 2.1V @ 15V,75a | 4 mA | 不 | 5.345 NF @ 25 V | ||||
![]() | IXGN80N60A2D1 | - | ![]() | 6392 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | ixgn80 | 625 w | 标准 | SOT-227B | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | - | 600 v | 160 a | 1.35V @ 15V,80a | 650 µA | 不 | ||||
![]() | IRG5K200HF06B | - | ![]() | 4795 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Powir®62模块 | 800 w | 标准 | Powir®62 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 半桥 | - | 600 v | 340 a | 2.1V @ 15V,200a | 2 ma | 不 | 11.9 NF @ 25 V | ||||
![]() | VS-GB400AH120U | - | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(5) | GB400 | 2841 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB400AH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 单身的 | - | 1200 v | 550 a | 3.6V @ 15V,400A | 5 ma | 不 | 33.7 NF @ 30 V | |
![]() | FP40R12KT3BPSA1 | 134.7200 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP40R12 | 105 w | 三相桥梁整流器 | Ag-Econo2-8 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 55 a | 2.3V @ 15V,40a | 5 ma | 是的 | 2.5 nf @ 25 V | ||
![]() | DF150R12RT4HOSA1 | 72.5100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | DF150R12 | 790 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单菜器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 2.15V @ 15V,150a | 1 MA | 不 | 9.3 NF @ 25 V | ||
![]() | FD600R06ME3S2BOSA1 | 267.2080 | ![]() | 5875 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 上次购买 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FD600R06 | 2250 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单身的 | 沟渠场停止 | 600 v | 600 a | 1.6V @ 15V,600A | 400 NA | 是的 | 60 NF @ 25 V | ||
![]() | APTGF15X120T3G | - | ![]() | 6100 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 140 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | npt | 1200 v | 25 a | 3.7V @ 15V,15a | 250 µA | 是的 | 1 nf @ 25 V | |||||
![]() | FZ3600R17HP4B2BOSA2 | 1.0000 | ![]() | 3485 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FZ3600 | 4900000 w | 标准 | AG-IHMB190 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单个开关 | 沟渠场停止 | 1700 v | 3600 a | 2.25V @ 15V,3.6KA | 5 ma | 不 | 295 NF @ 25 V | ||
![]() | BSM50GAL120DN2HOSA1 | - | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM50G | 400 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 单个开关 | - | 1200 v | 78 a | 3V @ 15V,50a | 1 MA | 不 | 3.3 NF @ 25 V | ||
![]() | CM15TF-12H | - | ![]() | 9744 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 100 W | 标准 | 模块 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 三相逆变器 | - | 600 v | 15 a | 2.8V @ 15V,15a | 1 MA | 不 | 1.5 nf @ 10 V | ||||
![]() | VS-GA300TD60S | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 8) | GA300 | 1136 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGA300TD60S | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 600 v | 530 a | 1.45V @ 15V,300A | 750 µA | 不 | ||
![]() | FP100R12N2T7BPSA1 | 174.1200 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP100R12 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | Ag-Econo2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 100 a | 1.5V @ 15V,100a | 10 µA | 是的 | 21.7 NF @ 25 V | ||
![]() | FF450R17ME4BOSA1 | 310.1400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | EconoDual™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FF450R17 | 2500 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1700 v | 600 a | 2.3V @ 15V,450a | 3 ma | 是的 | 36 NF @ 25 V | ||
![]() | VS-GB150TH120N | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB150 | 1008 w | 标准 | 双int-a-pak | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB150TH120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | - | 1200 v | 300 a | 2.35V @ 15V,150a | 5 ma | 不 | 11 nf @ 25 V | |
![]() | CM100TU-12H | - | ![]() | 6000 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 400 w | 标准 | 模块 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三相逆变器 | - | 600 v | 100 a | 3V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 8.8 nf @ 10 V | ||||
![]() | BYM300A160DN13CHOSA1 | - | ![]() | 9988 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | - | - | BYM300 | - | - | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | SP000091985 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | ||||||||
![]() | FS15R06VE3B2BOMA1 | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS15R06 | 65 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 三相逆变器 | - | 600 v | 22 a | 2V @ 15V,15a | 1 MA | 是的 | 830 pf @ 25 V | ||
![]() | APTGLQ40DDA120CT3G | 106.1000 | ![]() | 6216 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | SP6 | APTGLQ40 | 250 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 75 a | 2.4V @ 15V,40a | 100 µA | 是的 | 2.3 nf @ 25 V | ||
![]() | GSID200A120S3B1 | - | ![]() | 6870 | 0.00000000 | semiq | AMP+™ | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | D-3模块 | GSID200 | 1595 w | 标准 | D3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2独立 | - | 1200 v | 400 a | 2V @ 15V,200a | 1 MA | 不 | 20 nf @ 25 V | |||
![]() | FP10R12W1T4PBPSA1 | 48.7200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPim™1B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FP10R12 | 20兆 | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 20 a | 2.25V @ 15V,10a | 1 MA | 是的 | 600 pf @ 25 V | ||
![]() | CM100DUS-12F | - | ![]() | 3549 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 350 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | 沟 | 600 v | 100 a | 2.7V @ 15V,100a | 1 MA | 不 | 27 NF @ 10 V | ||||
![]() | MSCGLQ75X065CTYZBNMG | - | ![]() | 1989 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 300 w | 三相桥梁整流器 | - | 下载 | rohs3符合条件 | 1 | 三期逆变器 | - | 650 v | 100 a | 2.3V @ 15V,75a | 100 µA | 是的 | 4620 PF @ 25 V | |||||||
![]() | APTGLQ50VDA65T3G | 65.5300 | ![]() | 1738年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | APTGLQ50 | 175 w | 标准 | SP3F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | 沟渠场停止 | 650 v | 70 a | 2.3V @ 15V,50a | 50 µA | 是的 | 3.1 NF @ 25 V | |||
![]() | MG400J2YS61A | - | ![]() | 2763 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 过时的 | -20°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 2160 w | 标准 | 模块 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 600 v | 400 a | 2.2V @ 15V,400A | 1 MA | 不 | 85 NF @ 10 V |
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