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IGBT（3267）

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FS75R12KE3BOSA1	-	RFQ	5014	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12	350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器	npt	1200 v	105 a	2.15V @ 15V，75a	5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
6MS30017E43W33015NOSA1	-	RFQ	9955	Infineon技术	MODSTACK™HD	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块			标准	-	下载			到达不受影响	448-6MS30017E43W33015NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	-	1700 v	1800 a	-		不
APT15GF120JCU2	-	RFQ	1431	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克		156 w	标准	SOT-227	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	单身的	npt	1200 v	30 a	3.7V @ 15V，15a	250 µA	不	1 nf @ 25 V
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APTGT30H60T3G	-	RFQ	2473	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP3		90 W	标准	SP3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器	沟渠场停止	600 v	50 a	1.9V @ 15V，30a	250 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
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FPF1C2P5MF07AM	-	RFQ	5240	Onmi	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	F1模块	FPF1C2	231 w	单相桥梁整流器	F1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	110	完整的桥梁逆变器	-	620 v	39 a	1.6V @ 15V，30a	25 µA	不
FZ1200R45HL3BPSA1	2.0000	RFQ	1	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1200	15000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关	沟渠场停止	4500 v	1200 a	2.8V @ 15V，1200A	5 ma	不	280 NF @ 25 V
CPV363M4K	-	RFQ	3068	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	（19-sip （13个领先），IMS-2	CPV363	36 W	标准	IMS-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	160	三相逆变器	-	600 v	11 a	2V @ 15V，11a	250 µA	不	740 pf @ 30 V
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VDI25-06P1	-	RFQ	5858	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi	82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的	npt	600 v	24.5 a	2.9V @ 15V，25a	600 µA	是的	8 nf @ 25 V
F3L300R12MT4B22BOSA1	284.5850	RFQ	9611	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L300	1550 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器	沟渠场停止	1200 v	450 a	2.1V @ 15V，300A	1 MA	是的	19 nf @ 25 V
QIF4515002	-	RFQ	6869	Powerex Inc.	r	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		1.5 kW	标准	-	-				835-QIF4515002			1	半桥	-	4500 v	150 a	3.8V @ 15V，150a	1.8 ma	不	19000 PF @ 10 V
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FP30R06YE3BOMA1	-	RFQ	3348	Infineon技术	*	托盘	过时的								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100331	Ear99	8541.29.0095	1
APTGT75A120TG	-	RFQ	9116	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP4		350 w	标准	SP4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥	沟渠场停止	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，75a	250 µA	是的	5.34 NF @ 25 V
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	78.2250	RFQ	2492	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM15G	145 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥	-	1200 v	25 a	3V @ 15V，15a	500 µA	不	1 nf @ 25 V
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FP50R12KS4CBOSA1	205.6510	RFQ	1282	Infineon技术	-	大部分	上次购买	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FP50R12	360 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的	-	1200 v	70 a	3.7V @ 15V，50a	5 ma	是的	3.3 NF @ 25 V
VS-GT90DA60U	36.0300	RFQ	2878	Vishay通用半导体 -二极管部门	hexfred®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	GT90	446 w	标准	SOT-227	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	112-VS-GT90DA60U			1	单身的	沟渠场停止	600 v	146 a	2.15V @ 15V，100A	100 µA	不
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APTGT30SK170T1G	-	RFQ	2194	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP1		210 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	沟渠场停止	1700 v	45 a	2.4V @ 15V，30a	250 µA	是的	2.5 nf @ 25 V
APTGF30TL601G	-	RFQ	6847	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP1		140 w	标准	SP1	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	三级逆变器	npt	600 v	42 a	2.45V @ 15V，30a	250 µA	不	1.35 NF @ 25 V
FF450R12KE4EHOSA1	213.3600	RFQ	18	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12	2400 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立	沟渠场停止	1200 v	520 a	2.15V @ 15V，450a	5 ma	不	28 NF @ 25 V
VS-GB400TH120N	-	RFQ	8302	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	双int-a-pak（3 + 4）	GB400	2604 w	标准	双int-a-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	VSGB400TH120N	Ear99	8541.29.0095	12	半桥	-	1200 v	800 a	1.9V @ 15V，400a ty（typ）	5 ma	不	32.7 NF @ 25 V
IM241M6T2JAKMA1	11.1400	RFQ	688	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞		IM241M6	13 W	标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器	-	600 v		1.58V @ 15V，1A		是的
IRG7U200HF12B	-	RFQ	9345	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7u	1130 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541668	Ear99	8541.29.0095	15	半桥	-	1200 v	400 a	2V @ 15V，200a	2 ma	不	20 nf @ 25 V
APT45GP120JDQ2	43.2100	RFQ	144	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT45GP120	329 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的	pt	1200 v	75 a	3.9V @ 15V，45a	750 µA	不	4 nf @ 25 V
APTGF50DSK120T3G	-	RFQ	7598	微芯片技术	-	大部分	过时的	-	底盘安装	SP3		312 w	标准	SP3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1	双重斩波器	npt	1200 v	70 a	3.7V @ 15V，50a	250 µA	是的	3.45 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

IGBT（3267）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²