SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 (CIES) @ vce
MUBW50-06A7 IXYS MUBW50-06A7 -
RFQ
ECAD 7498 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 mubw50 250 w 三相桥梁整流器 E2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 600 v 75 a 2.4V @ 15V,50a 800 µA 是的 2.8 nf @ 25 V
MSCGLQ75H120CTBL3NG Microchip Technology MSCGLQ75H120CTBL3NNG -
RFQ
ECAD 9343 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 MSCGLQ 470 w 标准 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-MSCGLQ75H120CTBL3NG Ear99 8541.29.0095 1 全桥 - 1200 v 160 a 2.4V @ 15V,75a 50 µA 是的 4.4 NF @ 25 V
FS150R17N3E4BOSA1 Infineon Technologies FS150R17N3E4BOSA1 267.1300
RFQ
ECAD 4276 0.00000000 Infineon技术 Econopack™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FS150R17 835 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 三相逆变器 沟渠场停止 1700 v 150 a 2.3V @ 15V,150a 1 MA 是的 13.5 nf @ 25 V
VS-GB100TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100TH120U -
RFQ
ECAD 4082 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 1136 w 标准 双int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 npt 1200 v 200 a 3.6V @ 15V,100a 5 ma 8.45 NF @ 20 V
MG50P12E2A Yangjie Technology MG50P12E2A 84.0283
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Yangjie技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 227 w 三相桥梁整流器 - - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-MG50P12E2A Ear99 6 三期逆变器 - 1200 v 50 a 2.25V @ 15V,35a 1 MA 是的 2 NF @ 25 V
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology APT80GP60JDQ3 41.3600
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 底盘安装 同位素 APT80GP60 462 w 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 pt 600 v 151 a 2.7V @ 15V,80a 1.25 MA 9.84 NF @ 25 V
BSM400GA170DLS Infineon Technologies BSM400GA170DLS 142.3400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 模块 BSM400 3120 w 标准 模块 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 1700 v 800 a 3.3V @ 15V,400A 1 MA 27 NF @ 25 V
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
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ECAD 4696 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP6 961 w 标准 SP6 下载 (1 (无限) APTGF150H120GMP-ND Ear99 8541.29.0095 1 完整的桥梁逆变器 npt 1200 v 200 a 3.7V @ 15V,150a 350 µA 10.2 NF @ 25 V
VID50-06P1 IXYS VID50-06P1 -
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ECAD 5584 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Eco-PAC2 vid 130 w 标准 Eco-PAC2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 600 v 42.5 a 2.9V @ 15V,50a 600 µA 是的 16 NF @ 25 V
VS-40MT060WFHT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40MT060WFHT -
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 12-mtp模块 40MT060 284 w 标准 12-mtp 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-40MT060WFHT Ear99 8541.29.0095 105 全桥 - 600 v 67 a - 250 µA 是的
APTGLQ200A120T3AG Microchip Technology APTGLQ200A120T3AG 144.4800
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 APTGLQ200 1250 w 标准 SP3F 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 2独立 沟渠场停止 1200 v 400 a 2.4V @ 15V,160a 100 µA 是的 9.3 NF @ 25 V
VS-GT75NP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75NP120N -
RFQ
ECAD 8383 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak(3 + 4) GT75 446 w 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGT75NP120N Ear99 8541.29.0095 24 单身的 - 1200 v 150 a 2.08V @ 15V,75a ty(typ)) 1 MA 9.45 NF @ 30 V
MUBW15-12T7 IXYS MUBW15-12T7 -
RFQ
ECAD 8405 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E2 mubw15 140 w 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 1200 v 30 a 2.15V @ 15V,15a 2.7 MA 是的 1.1 NF @ 25 V
FZ1600R17HP4HOSA2 Infineon Technologies FZ1600R17HP4HOSA2 718.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon技术 IHM-B 托盘 积极的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FZ1600 10500 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单个开关 1700 v 1600 a 2.25V @ 15V,1300A 5 ma 130 nf @ 25 V
F3L150R07W2H3B11BPSA1 Infineon Technologies F3L150R07W2H3B11BPSA1 98.8900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 EasyPack™ 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 F3L150 20兆 标准 Ag-Easy2b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 三级逆变器 沟渠场停止 650 v 85 a 2V @ 15V,150a 9 µA 是的 9.4 NF @ 650 V
BSM50GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies BSM50GD60DLCBOSA1 -
RFQ
ECAD 3601 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 BSM50G 250 w 标准 模块 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 - 600 v 70 a 2.45V @ 15V,50a 500 µA 2.2 NF @ 25 V
FD1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies FD1000R17IE4DB2BOSA1 -
RFQ
ECAD 4829 0.00000000 Infineon技术 PrimePack™3 托盘 过时的 -40°C〜150°C 底盘安装 模块 FD1000 6250 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2 单身的 - 1700 v 1390 a 2.45V @ 15V,1000a 5 ma 是的 81 NF @ 25 V
FP150R12KT4BPSA1 Infineon Technologies FP150R12KT4BPSA1 388.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Infineon技术 Econopim™3 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 FP150R12 三相桥梁整流器 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 沟渠场停止 1200 v 150 a 2.1V @ 15V,150a 1 MA 是的 9.35 NF @ 25 V
CM300DY-24S Powerex Inc. CM300DY-24 -
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 2270 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 半桥 - 1200 v 300 a 2.25V @ 15V,300A 1 MA 30 NF @ 10 V
FS75R12KE3GBOSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3GBOSA1 186.7800
RFQ
ECAD 7084 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FS75R12 355 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三相逆变器 - 1200 v 100 a 2.15V @ 15V,75a 5 ma 是的 5.3 nf @ 25 V
FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies FF200R12KT3EHOSA1 139.5220
RFQ
ECAD 2896 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 不适合新设计 -40°C〜125°C 底盘安装 模块 FF200R12 1050 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 2独立 - 1200 v 2.15V @ 15V,200a 5 ma 14 NF @ 25 V
VS-100MT060WDF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100MT060WDF -
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 16-MTP模块 100MT060 462 w 标准 MTP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100MT060WDF Ear99 8541.29.0095 105 - 600 v 121 a 2.29V @ 15V,60a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
FP25R12KT4B16BOSA1 Infineon Technologies FP25R12KT4B16BOSA1 -
RFQ
ECAD 5679 0.00000000 Infineon技术 Econopim™2 托盘 在sic中停产 FP25R12 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 10
CM100RX-12A Powerex Inc. CM100RX-12A -
RFQ
ECAD 2970 0.00000000 Powerex Inc. IGBTMOD™ 大部分 在sic中停产 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 400 w 标准 模块 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 三期逆变器 - 600 v 100 a 2.1V @ 15V,100a 1 MA 是的 13.3 NF @ 10 V
APTGLQ200HR120G Microchip Technology APTGLQ200HR120G 242.7600
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 通过洞 SP6 APTGLQ200 1000 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 沟渠场停止 1200 v 300 a 2.4V @ 15V,160a 200 µA 9.2 NF @ 25 V
IRG7U50HF12A Infineon Technologies IRG7U50HF12A -
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 Infineon技术 - 盒子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Powir®34模块 irg7u 310 w 标准 Powir®34 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 半桥 - 1200 v 100 a 2V @ 15V,50a 1 MA 6 nf @ 25 V
APTGT225SK170G Microchip Technology APTGT225SK170G 229.9700
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SP6 APTGT225 1250 w 标准 SP6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 沟渠场停止 1700 v 340 a 2.4V @ 15V,225a 500 µA 20 nf @ 25 V
MUBW25-06A6K IXYS MUBW25-06A6K -
RFQ
ECAD 5231 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 E1 mubw25 100 W 三相桥梁整流器 E1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 npt 600 v 31 a 2.4V @ 15V,20A 600 µA 是的 1.1 NF @ 25 V
FF200R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies FF200R17KE3S4HOSA1 179.1000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Infineon技术 c 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 FF200R17 1250 w 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 半桥逆变器 沟渠场停止 1700 v 310 a 2.45V @ 15V,200a 3 ma 18 nf @ 25 V
APTGF50VDA120T3G Microsemi Corporation APTGF50VDA120T3G -
RFQ
ECAD 8344 0.00000000 Microsemi Corporation - 大部分 过时的 - 底盘安装 SP3 312 w 标准 SP3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1 双提升斩波器 npt 1200 v 70 a 3.7V @ 15V,50a 250 µA 是的 3.45 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库