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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 当前 -收集器截止(最大) | NTC热敏电阻 | (CIES) @ vce |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUBW50-06A7 | - | ![]() | 7498 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | mubw50 | 250 w | 三相桥梁整流器 | E2 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三期逆变器 | npt | 600 v | 75 a | 2.4V @ 15V,50a | 800 µA | 是的 | 2.8 nf @ 25 V | ||
![]() | MSCGLQ75H120CTBL3NNG | - | ![]() | 9343 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | MSCGLQ | 470 w | 标准 | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-MSCGLQ75H120CTBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 全桥 | - | 1200 v | 160 a | 2.4V @ 15V,75a | 50 µA | 是的 | 4.4 NF @ 25 V | |
![]() | FS150R17N3E4BOSA1 | 267.1300 | ![]() | 4276 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopack™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FS150R17 | 835 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1700 v | 150 a | 2.3V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 13.5 nf @ 25 V | ||
![]() | VS-GB100TH120U | - | ![]() | 4082 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 双int-a-pak(3 + 4) | GB100 | 1136 w | 标准 | 双int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGB100TH120U | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 半桥 | npt | 1200 v | 200 a | 3.6V @ 15V,100a | 5 ma | 不 | 8.45 NF @ 20 V | |
![]() | MG50P12E2A | 84.0283 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 227 w | 三相桥梁整流器 | - | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MG50P12E2A | Ear99 | 6 | 三期逆变器 | - | 1200 v | 50 a | 2.25V @ 15V,35a | 1 MA | 是的 | 2 NF @ 25 V | ||||
APT80GP60JDQ3 | 41.3600 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | 同位素 | APT80GP60 | 462 w | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | pt | 600 v | 151 a | 2.7V @ 15V,80a | 1.25 MA | 不 | 9.84 NF @ 25 V | ||||
![]() | BSM400GA170DLS | 142.3400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM400 | 3120 w | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | - | 1700 v | 800 a | 3.3V @ 15V,400A | 1 MA | 不 | 27 NF @ 25 V | ||
APTGF150H120G | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP6 | 961 w | 标准 | SP6 | 下载 | (1 (无限) | APTGF150H120GMP-ND | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 完整的桥梁逆变器 | npt | 1200 v | 200 a | 3.7V @ 15V,150a | 350 µA | 不 | 10.2 NF @ 25 V | |||||
![]() | VID50-06P1 | - | ![]() | 5584 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC2 | vid | 130 w | 标准 | Eco-PAC2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 单身的 | npt | 600 v | 42.5 a | 2.9V @ 15V,50a | 600 µA | 是的 | 16 NF @ 25 V | |||
![]() | VS-40MT060WFHT | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 12-mtp模块 | 40MT060 | 284 w | 标准 | 12-mtp | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-40MT060WFHT | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | 全桥 | - | 600 v | 67 a | - | 250 µA | 是的 | |||
![]() | APTGLQ200A120T3AG | 144.4800 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | APTGLQ200 | 1250 w | 标准 | SP3F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2独立 | 沟渠场停止 | 1200 v | 400 a | 2.4V @ 15V,160a | 100 µA | 是的 | 9.3 NF @ 25 V | |||
![]() | VS-GT75NP120N | - | ![]() | 8383 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | int-a-pak(3 + 4) | GT75 | 446 w | 标准 | int-a-pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSGT75NP120N | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 单身的 | - | 1200 v | 150 a | 2.08V @ 15V,75a ty(typ)) | 1 MA | 不 | 9.45 NF @ 30 V | |
![]() | MUBW15-12T7 | - | ![]() | 8405 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E2 | mubw15 | 140 w | 三相桥梁整流器 | E2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 三期逆变器 | 沟 | 1200 v | 30 a | 2.15V @ 15V,15a | 2.7 MA | 是的 | 1.1 NF @ 25 V | ||
![]() | FZ1600R17HP4HOSA2 | 718.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon技术 | IHM-B | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1600 | 10500 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单个开关 | 沟 | 1700 v | 1600 a | 2.25V @ 15V,1300A | 5 ma | 不 | 130 nf @ 25 V | ||
![]() | F3L150R07W2H3B11BPSA1 | 98.8900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | EasyPack™ | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | F3L150 | 20兆 | 标准 | Ag-Easy2b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 三级逆变器 | 沟渠场停止 | 650 v | 85 a | 2V @ 15V,150a | 9 µA | 是的 | 9.4 NF @ 650 V | ||
![]() | BSM50GD60DLCBOSA1 | - | ![]() | 3601 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | BSM50G | 250 w | 标准 | 模块 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | - | 600 v | 70 a | 2.45V @ 15V,50a | 500 µA | 不 | 2.2 NF @ 25 V | ||
![]() | FD1000R17IE4DB2BOSA1 | - | ![]() | 4829 | 0.00000000 | Infineon技术 | PrimePack™3 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜150°C | 底盘安装 | 模块 | FD1000 | 6250 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2 | 单身的 | - | 1700 v | 1390 a | 2.45V @ 15V,1000a | 5 ma | 是的 | 81 NF @ 25 V | ||
![]() | FP150R12KT4BPSA1 | 388.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™3 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FP150R12 | 三相桥梁整流器 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | 沟渠场停止 | 1200 v | 150 a | 2.1V @ 15V,150a | 1 MA | 是的 | 9.35 NF @ 25 V | |||
![]() | CM300DY-24 | - | ![]() | 3607 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 2270 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 1200 v | 300 a | 2.25V @ 15V,300A | 1 MA | 不 | 30 NF @ 10 V | ||||
![]() | FS75R12KE3GBOSA1 | 186.7800 | ![]() | 7084 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FS75R12 | 355 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相逆变器 | - | 1200 v | 100 a | 2.15V @ 15V,75a | 5 ma | 是的 | 5.3 nf @ 25 V | ||
FF200R12KT3EHOSA1 | 139.5220 | ![]() | 2896 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FF200R12 | 1050 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 2独立 | - | 1200 v | 2.15V @ 15V,200a | 5 ma | 不 | 14 NF @ 25 V | ||||
![]() | VS-100MT060WDF | - | ![]() | 8536 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | 150°C(TJ) | 底盘安装 | 16-MTP模块 | 100MT060 | 462 w | 标准 | MTP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS100MT060WDF | Ear99 | 8541.29.0095 | 105 | - | 600 v | 121 a | 2.29V @ 15V,60a | 100 µA | 是的 | 9.5 nf @ 30 V | ||
![]() | FP25R12KT4B16BOSA1 | - | ![]() | 5679 | 0.00000000 | Infineon技术 | Econopim™2 | 托盘 | 在sic中停产 | FP25R12 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | ||||||||||||||||
![]() | CM100RX-12A | - | ![]() | 2970 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IGBTMOD™ | 大部分 | 在sic中停产 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 400 w | 标准 | 模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 三期逆变器 | - | 600 v | 100 a | 2.1V @ 15V,100a | 1 MA | 是的 | 13.3 NF @ 10 V | |||
![]() | APTGLQ200HR120G | 242.7600 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | SP6 | APTGLQ200 | 1000 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 沟渠场停止 | 1200 v | 300 a | 2.4V @ 15V,160a | 200 µA | 不 | 9.2 NF @ 25 V | |||
![]() | IRG7U50HF12A | - | ![]() | 3670 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Powir®34模块 | irg7u | 310 w | 标准 | Powir®34 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 半桥 | - | 1200 v | 100 a | 2V @ 15V,50a | 1 MA | 不 | 6 nf @ 25 V | |||
![]() | APTGT225SK170G | 229.9700 | ![]() | 6559 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | SP6 | APTGT225 | 1250 w | 标准 | SP6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 单身的 | 沟渠场停止 | 1700 v | 340 a | 2.4V @ 15V,225a | 500 µA | 不 | 20 nf @ 25 V | ||
![]() | MUBW25-06A6K | - | ![]() | 5231 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | E1 | mubw25 | 100 W | 三相桥梁整流器 | E1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三期逆变器 | npt | 600 v | 31 a | 2.4V @ 15V,20A | 600 µA | 是的 | 1.1 NF @ 25 V | ||
FF200R17KE3S4HOSA1 | 179.1000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Infineon技术 | c | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | FF200R17 | 1250 w | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 半桥逆变器 | 沟渠场停止 | 1700 v | 310 a | 2.45V @ 15V,200a | 3 ma | 不 | 18 nf @ 25 V | |||
APTGF50VDA120T3G | - | ![]() | 8344 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | - | 底盘安装 | SP3 | 312 w | 标准 | SP3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 双提升斩波器 | npt | 1200 v | 70 a | 3.7V @ 15V,50a | 250 µA | 是的 | 3.45 NF @ 25 V |
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