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（1392）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FSB50450BS | 7.6000 |  | 450 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | FSB50450 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3相逆变器 | 2.2 a | 500 v | 1500vrms | ||
 | AIM5D05B060M1 | 6.0923 | | 5899 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm） | IGBT | AIM5D05 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 785-AIM5D05B060M1 | Ear99 | 8542.39.0001 | 90 | 3相逆变器 | 5 a | 600 v | 2000vrms | ||
 | IM240S6Z1BALMA1 | - | | 2874 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼 | IGBT | IM240S6 | - | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | - | 3 a | 600 v | 1900vrms | ||
 | FSBF15CH60CT | - | | 2529 | 0.00000000 | Onmi | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | - | FSBF1 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | - | - | |||||
 | FSBM10SM60A | - | | 9090 | 0.00000000 | Onmi | SPM® | 过时的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSBM10 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3期 | 10 a | 600 v | 2500vrms | ||||
| SKKD100/08 | 42.6670 | | 9901 | 0.00000000 | 固态公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 2383-SKKD100/08 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | |||||||||
 | AOZ5116QI | 2.1900 | | 11 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5116 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 55 a | - | |||
| FSBS10NH60I | 9.0400 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||
 | IM393S6E3XKLA1 | - | | 2887 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | SP001786890 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3相逆变器 | 6 a | 600 v | 2000vrms | ||
 | BM63574S-VA | 24.6300 | | 26 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） | IGBT | BM63574 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 846-BM63574S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | |
 | FSAM15SH60A | - | | 5197 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®2 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSAM15 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 48 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | |||
| AOZ5239QI_9 | - | | 1819年 | 0.00000000 | Alpha＆欧米茄半导体公司 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 31-PowerVFQFN模块 | MOSFET | AOZ5239 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 785-AOZ5239QI_9TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1期 | 50 a | - | ||
| PS11013 | - | | 5995 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | 40-PowerDip 模块（2.835英寸，72.00mm），33条线索 | IGBT | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | Ear99 | 8542.39.0001 | 2 | 3期 | 8 a | 600 v | 2500vrms | ||||
| FSB50450BSL | - | | 8759 | 0.00000000 | Onmi | MOTIONSPM®5 | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | FSB50450 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3相逆变器 | 2.2 a | 500 v | 1500vrms | ||
| 1SD418F2FZ1200R33KNPSA1 | - | | 6278 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||
 | IRAM136-1060B | - | | 4469 | 0.00000000 | Onmi | - | 托盘 | 过时的 | IRAM136 | - | （1 （无限） | 到达不受影响 | IRAM136-1060BOS | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||
 | FPAB30PH60 | - | | 4596 | 0.00000000 | Onmi | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FPAB30 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 2期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | |||
| PM100RL1A060 | - | | 1484 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | Rohs符合条件 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3期 | 100 a | 600 v | 2500vrms | ||||
| BM63374S-VA | 24.6300 | | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） | IGBT | BM63374 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 846-BM63374S-VA | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | |
 | IKCM10H60GAXKMA1 | 12.5000 | | 1 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm） | IGBT | IKCM10 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 14 | 3期 | 10 a | 600 v | 2000vrms | ||
| PM25CLA120 | - | | 8963 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8504.40.9580 | 10 | 3期 | 25 a | 1.2 kV | 2500VDC | ||||
 | stib1060dm2t-l | - | | 8541 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm） | MOSFET | Stib1060 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 156 | 3相逆变器 | 12.5 a | 600 v | 1500vrms | ||
| FSBB30CH60CM | - | | 8044 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||
| IRAMS10UP60B-S | - | | 8806 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-Powersip模块，19条线索，形成铅 | - | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | SP001547506 | Ear99 | 8541.29.0095 | 80 | - | - | |||||
| PM300RLA060 | - | | 8557 | 0.00000000 | Powerex Inc. | IntelliMod™ | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 电源模块 | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8504.40.9580 | 10 | 3期 | 300 a | 600 v | 2500VDC | ||||
 | FSBS10CH60 | - | | 3201 | 0.00000000 | Onmi | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FSB10 | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 60 | 3期 | 10 a | 600 v | 2500vrms | |||
| IGCM04B60HAXKMA1 | - | | 3280 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm） | IGBT | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 280 | 3期 | 4 a | 600 v | 2000vrms | ||||
 | BM63364S-VA | 23.7700 | | 2454 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块（1.134英寸，28.80mm） | IGBT | BM63364 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 15 a | 600 v | 1500vrms | ||
 | FSB50760SF | 7.0100 | | 6 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powerdip 模块（0.573英寸，14.56毫米） | MOSFET | FSB50760 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 3.6 a | 600 v | 1500vrms | |||||
 | NVG800A75L4DSC | 361.2833 | | 8316 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | IGBT | NVG800 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 6 | 半桥 | 800 a | 750 v | 4200vrms |
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