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（130）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FSB50450T | 4.3800 |  | 29 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm） | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | ||||
 | FSBB30CH60B | 26.0300 | | 19 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||||
| FPAB50PH60 | 17.0600 | | 347 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 2期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||||
 | FVP18030IM3LSG1 | 19.0600 | | 305 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 托盘 | 过时的 | 通过洞 | 19-powerdip 模块（1.205英寸，30.60毫米） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 半桥 | 180 a | 300 v | 1500vrms | ||||
 | FCAS20DN60BB | 11.7500 | | 141 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 20-powersip模块，形成的铅 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 11 | 2期 | 20 a | 600 v | 1500vrms | ||||
| FSBM30SH60A | 23.8200 | | 38 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||
| FNA40860B2 | 12.9000 | | 211 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®45 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm） | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 8 a | 600 v | 2000vrms | |||||
 | FSB50550U | 6.9400 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm） | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3期 | 2 a | 500 v | 1500vrms | ||||
 | FSBS5CH60 | 21.5100 | | 180 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FSBS5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 16 | 3期 | 5 a | 600 v | 2500vrms | |
| FSB50450UD | 6.0600 | | 489 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.551英寸，14.00mm） | MOSFET | FSB50450 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | |
| FCBB20CH60SF | 15.6500 | | 162 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 模块 | - | FCBB2 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | |||
| FSB70250 | - | | 3632 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 3.3 a | 500 v | 1500vrms | |||||
| FSB70550 | 6.6400 | | 897 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®7 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 27-Powerlqfn模块 | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 49 | 3期 | 5.3 a | 500 v | 1500vrms | |||||
| FVP12030IM3LEG1 | 18.3200 | | 28 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 托盘 | 过时的 | 通过洞 | 19-powerdip 模块（1.205英寸，30.60毫米） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 40 | 半桥 | 120 a | 300 v | 1500vrms | ||||
| FSBF10CH60BTSL | 14.9000 | | 130 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||
| FSAM10SM60A | 17.5200 | | 141 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 3期 | 10 a | 600 v | 2500vrms | ||
| FSAM75SM60SL | 46.6600 | | 240 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSAM75 | - | 不适用 | 3（168）） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 75 a | 600 v | 2500vrms | |
| FSB50450AT | 4.9700 | | 347 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm） | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 1.5 a | 500 v | 1500vrms | |||||
| FNA41560 | - | | 2528 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®45 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm） | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2000vrms | |||||
| FPDB50PH60 | 39.0400 | | 5 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | PFCSPM®3 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | FPDB50 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | |
| FSB50550US | 5.0500 | | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 23-powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | FSB50550 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 65 | 3期 | 2 a | 500 v | 1500vrms | |
| FSB50325T | 7.2900 | | 189 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 1.5 a | 250 v | 1500vrms | ||
| FSBM20SM60A | 20.6100 | | 122 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 48 | 3期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | ||
| FSB32560 | 32.7700 | | 4 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | motionspm®3 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相逆变器 | 25 a | 600 v | 2500vrms | ||
| FNA40860 | 9.1100 | | 364 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®45 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 26-PowerDip 模块（1.024英寸，26.00mm） | IGBT | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 8 a | 600 v | 2000vrms | |||||
 | FSBF15CH60CT | 21.6800 | | 56 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | Motion-SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | - | - | ||||||
 | FPAB30PH60 | 14.6200 | | 275 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | SPM® | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm） | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 2期 | 20 a | 600 v | 2500vrms | ||||
| FSAM15SH60A | 54.7400 | | 7 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®2 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） | IGBT | FSAM15 | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | |
| FSB50550A | 5.6200 | | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powerdip 模块（0.573英寸，14.56毫米） | MOSFET | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 54 | 3期 | 2 a | 500 v | 1500vrms | |||||
| FSB52006 | 4.7000 | | 3 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | MOTIONSPM®5 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 23-powersmd模块，鸥翼 | MOSFET | 下载 | rohs3符合条件 | 3（168）） | 到达受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3相逆变器 | 2.6 a | 1500vrms |
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