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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 当前的 电压 电压 -隔离
FSBB30CH60C onsemi FSBB30CH60C 22.3100
RFQ
ECAD 4445 0.00000000 Onmi motionspm®3 管子 不适合新设计 通过洞 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) IGBT FSBB30 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 3期 30 a 600 v 2500vrms
NXV65HR51DZ2 onsemi NXV65HR51DZ2 -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 通过洞 16-SSIP裸露的垫,形成铅 MOSFET 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXV65HR51DZ2 Ear99 8542.39.0001 1 半桥 33 a 650 v -
FND43060T2 onsemi FND43060T2 22.2400
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®45 管子 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) IGBT FND43060 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 3相逆变器 30 a 600 v 2000vrms
FSBM10SM60A onsemi FSBM10SM60A -
RFQ
ECAD 9090 0.00000000 Onmi SPM® 过时的 通过洞 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) IGBT FSBM10 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 48 3期 10 a 600 v 2500vrms
NXV65HR82DS1 onsemi NXV65HR82DS1 36.8000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 16-SSIP裸露的垫,形成铅 MOSFET 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NXV65HR82DS1 Ear99 8542.39.0001 72 H桥 26 a 650 v 5000vrm
NFAQ1560R43TL onsemi NFAQ1560R43TL 13.1600
RFQ
ECAD 320 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 38-PowerDip 模块( 0.610英寸,24.00mm),24个线索 IGBT 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NFAQ1560R43TL Ear99 8542.39.0001 16 3相逆变器 15 a 600 v 2000vrms
FNA41560 onsemi FNA41560 19.4800
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®45 管子 不适合新设计 通过洞 26-PowerDip 模块(1.024英寸,26.00mm) IGBT FNA41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 3期 15 a 600 v 2000vrms
FAM65CR51AXZ2 onsemi FAM65CR51AXZ2 33.9200
RFQ
ECAD 9549 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 12 sip裸露的垫子,形成的导线 MOSFET FAM65 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FAM65CR51AXZ2 Ear99 8542.39.0001 72 2独立 64 a 650 v -
IRAMS06UP60A-2 onsemi IRAMS06UP60A-2 -
RFQ
ECAD 7418 0.00000000 Onmi Imotion™ 托盘 过时的 表面安装 IRAMS06 - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1
FSB50450BL onsemi FSB50450BL 7.8200
RFQ
ECAD 269 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®5 管子 过时的 通过洞 23-PowerDip 模块( 0.551英寸,14.00mm) MOSFET FSB50450 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-FSB50450BL Ear99 8542.39.0001 15 3相逆变器 2.2 a 500 v 1500vrms
ENGNXV90HR03WS onsemi ENGNXV90HR03WS -
RFQ
ECAD 5735 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 ENGNXV90 - 488-ENGNXV90HR03WS Ear99 8542.39.0001 1
FSAM20SM60A onsemi FSAM20SM60A -
RFQ
ECAD 8532 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®2 管子 过时的 通过洞 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) IGBT FSAM20 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 48 3期 20 a 600 v 2500vrms
FSBM15SH60 onsemi FSBM15SH60 -
RFQ
ECAD 4802 0.00000000 Onmi SPM® 管子 过时的 通过洞 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) IGBT FSBM15 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 48 3期 15 a 600 v 2500vrms
FSAM15SL60 onsemi FSAM15SL60 -
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 Onmi SPM® 过时的 通过洞 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) IGBT FSAM15 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 8 3期 15 a 600 v 2500vrms
FSBB20CH60CTSL onsemi FSBB20CH60CTSL -
RFQ
ECAD 1334 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-FSB20CH60CTSL Ear99 8542.39.0001 1
NFAQ0560R46T onsemi NFAQ0560R46T 11.5800
RFQ
ECAD 399 0.00000000 Onmi 紧凑型IPM 管子 积极的 通过洞 38-PowerDip 模块( 0.610英寸,24.00mm),24个线索 IGBT NFAQ0560 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 488-NFAQ0560R46T Ear99 8542.39.0001 400 3相逆变器 5 a 600 v 2000vrms
FSB50660SFS onsemi FSB50660SFS -
RFQ
ECAD 9675 0.00000000 Onmi motionspm®5Superfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 23-powersmd模块,鸥翼 MOSFET FSB50660 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 450 3期 3.1 a 600 v 1500vrms
FSBB15CH60BT onsemi FSBB15CH60BT -
RFQ
ECAD 6784 0.00000000 Onmi Motion-SPM® 管子 过时的 通过洞 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) IGBT FSBB15 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 10 3期 15 a 600 v 2500vrms
FSB50660SF onsemi FSB50660SF 10.5900
RFQ
ECAD 219 0.00000000 Onmi motionspm®5Superfet® 管子 过时的 通过洞 23-powerdip 模块(0.573英寸,14.56毫米) MOSFET FSB50660 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3期 3.1 a 600 v 1500vrms
FDMF5076 onsemi FDMF5076 3.0900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 25-PowerWFQFN MOSFET FDMF5076 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 - 35 a 30 V -
FSAM15SH60 onsemi FSAM15SH60 -
RFQ
ECAD 7263 0.00000000 Onmi SPM® 管子 过时的 通过洞 32-PowerDip 模块(1.370英寸,34.80mm) IGBT FSAM15 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 48 3期 15 a 600 v 2500vrms
FSB50550TB onsemi FSB50550TB -
RFQ
ECAD 1241 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®5 管子 过时的 通过洞 23-PowerDip 模块( 0.748“,19.00mm) MOSFET FSB505 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3期 1.8 a 500 v 1500vrms
NFVA22512NP2T onsemi NFVA22512NP2T 106.2200
RFQ
ECAD 3622 0.00000000 Onmi spm® 管子 积极的 通过洞 34-PowerDip 模块( 0.997英寸,39.26毫米) IGBT NFVA22512 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NFVA22512NP2T Ear99 8542.39.0001 24 3相逆变器 25 a 1.2 kV 2500vrms
FSB50550BS onsemi FSB50550BS 9.6000
RFQ
ECAD 449 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®5 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 23-powersmd模块,鸥翼 MOSFET FSB50550 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 450 3相逆变器 3 a 500 v 1500vrms
FSBF10CH60BT onsemi FSBF10CH60BT -
RFQ
ECAD 1964年 0.00000000 Onmi motionspm®3 管子 过时的 通过洞 27-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) IGBT FSBF1 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 60 3期 10 a 600 v 2500vrms
NFAQ0860L36T onsemi NFAQ0860L36T 12.8000
RFQ
ECAD 1974年 0.00000000 Onmi - 管子 积极的 通过洞 38-PowerDip 模块( 0.610英寸,24.00mm),24个线索 IGBT NFAQ0860 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 488-NFAQ0860L36T Ear99 8542.39.0001 400 3相逆变器 8 a 600 v 2000vrms
FSB50760SFS onsemi FSB50760SFS 11.8300
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Onmi motionspm®5Superfet® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 23-powersmd模块,鸥翼 MOSFET FSB50760 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 450 3期 3.6 a 600 v 1500vrms
ENGNXV08B600DT1 onsemi ENGNXV08B600DT1 -
RFQ
ECAD 3726 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 ENGNXV08 - 488-ENGNXV08B600DT1 Ear99 8542.39.0001 1
STK554U392C-E onsemi STK554U392C-E -
RFQ
ECAD 2028 0.00000000 Onmi - 管子 过时的 通过洞 29-SSIP模块,21条线索,形成铅 IGBT STK554 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 80 3相逆变器 15 a 600 v -
FSB50550A onsemi FSB50550A 8.8200
RFQ
ECAD 252 0.00000000 Onmi MOTIONSPM®5 管子 过时的 通过洞 23-powerdip 模块(0.573英寸,14.56毫米) MOSFET FSB50550 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3期 2 a 500 v 1500vrms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库