SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 当前的 电压 电压 -隔离
2SC0435T2F117HPSA3 Infineon Technologies 2SC0435T2F117HPSA3 -
RFQ
ECAD 2870 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
IRAMX30TP60A Infineon Technologies IRAMX30TP60A -
RFQ
ECAD 6187 0.00000000 Infineon技术 Imotion™ 管子 过时的 通过洞 23-Powersip模块,19条线索,形成铅 IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001544628 Ear99 8542.39.0001 80 3期 30 a 600 v 2000vrms
IRAM256-1067A Infineon Technologies IRAM256-1067A -
RFQ
ECAD 2440 0.00000000 Infineon技术 Imotion™ 管子 过时的 通过洞 29-Powerssip模块,21个线索,形成铅 IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001536868 Ear99 8542.39.0001 80 3期 10 a 600 v 2000vrms
IRAM136-3023B Infineon Technologies IRAM136-3023B -
RFQ
ECAD 4085 0.00000000 Infineon技术 Imotion™ 管子 过时的 通过洞 22-powersip模块,18岁,形成铅 MOSFET 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 70 3期 30 a 150 v 2000vrms
IGCM06G60GAXKMA1 Infineon Technologies IGCM06G60GAXKMA1 8.8794
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT IGCM06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 280 3期 6 a 600 v 2000vrms
IKCM30F60GDXKMA1 Infineon Technologies IKCM30F60GDXKMA1 23.9800
RFQ
ECAD 281 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT IKCM30 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 14 3期 30 a 600 v 2000vrms
IKCM30F60HAXKMA1 Infineon Technologies IKCM30F60HAXKMA1 -
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 过时的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 280 3期 30 a 600 v 2000vrms
IMIC50V01X6SA1 Infineon Technologies IMIC50V01X6SA1 -
RFQ
ECAD 3746 0.00000000 Infineon技术 * 托盘 积极的 IMIC50 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001291750 Ear99 8542.39.0001 1
IFS100B12N3E4B31BDLA1 Infineon Technologies IFS100B12N3E4B31BDLA1 1.0000
RFQ
ECAD 5368 0.00000000 Infineon技术 * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 1
2SC0435T2F117HPSA2 Infineon Technologies 2SC0435T2F117HPSA2 -
RFQ
ECAD 9054 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
ACCESSORY31873NOSA1 Infineon Technologies 附件31873NOSA1 -
RFQ
ECAD 6165 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 附件3 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
MA13025741NDSA1 Infineon Technologies MA13025741NDSA1 -
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
ACCESSORY27614NOSA1 Infineon Technologies 附件27614NOSA1 -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 附件2 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
2SP0320T2A0FF1000NPSA1 Infineon Technologies 2SP0320T2A0FF1000NPSA1 -
RFQ
ECAD 8512 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
MIC01ABPSA1 Infineon Technologies MIC01ABPSA1 -
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
2SD315AI33NPSA1 Infineon Technologies 2SD315AI33NPSA1 -
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 过时的 2SD315 - 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1
IM818LCCXKMA1 Infineon Technologies IM818LCCXKMA1 50.5200
RFQ
ECAD 104 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.094英寸,27.80mm) IGBT IM818 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 14 3相逆变器 20 a 1.2 kV 2500vrms
IM111X6Q1BAUMA1 Infineon Technologies IM111X6Q1BAUMA1 12.0300
RFQ
ECAD 4905 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q100,CIPOS™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 39-PowerVQFN MOSFET 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,000 H桥 12 a 600 v 1500vrms
ACCESSORY33752NOSA1 Infineon Technologies 附件33752NOSA1 -
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 附件3 - 到达不受影响 448-Accessory33752NOSA1 Ear99 8542.39.0001 1
ACCESSORY34031NOSA1 Infineon Technologies 附件34031NOSA1 -
RFQ
ECAD 9377 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 附件3 - 到达不受影响 448-Accessory34031NOSA1 Ear99 8542.39.0001 1
FF55MR12W1M1HB70BPSA1 Infineon Technologies FF55MR12W1M1HB70BPSA1 81.1500
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FF55MR12 - rohs3符合条件 448-FF55MR12W1M1HB70BPSA1 Ear99 8542.39.0001 24
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 Infineon Technologies FS28MR12W1M1HB11HPSA1 138.1300
RFQ
ECAD 8168 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 FS28MR12 - rohs3符合条件 448-FS28MR12W1M1HB11HPSA1 Ear99 8542.39.0001 24
IM240M6Y1BAKMA1 Infineon Technologies IM240M6Y1BAKMA1 -
RFQ
ECAD 8349 0.00000000 Infineon技术 IM240-M6,CIPOS™ 管子 过时的 通过洞 23 浸模块(0.573“,14.55毫米) IM240M6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3相逆变器
IRAM136-3023B2 Infineon Technologies IRAM136-3023B2 -
RFQ
ECAD 3613 0.00000000 Infineon技术 Imotion™ 管子 积极的 通过洞 22-powersip模块,18岁,形成铅 MOSFET IRAM136 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SP001535464 Ear99 8542.39.0001 70 3期 30 a 150 v 2000vrms
IM818MCCXKMA1 Infineon Technologies IM818MCCXKMA1 45.7400
RFQ
ECAD 555 0.00000000 Infineon技术 IM818-SCC 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.205英寸,30.60mm) IGBT IM818 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 14 3相逆变器 16 a 1.2 kV 2500vrms
IFCM15P60GDXKMA1 Infineon Technologies IFCM15P60GDXKMA1 18.3800
RFQ
ECAD 276 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 积极的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT IFCM15 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 14 3相逆变器 30 a 650 v 2000vrms
98-0290 Infineon Technologies 98-0290 -
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 Infineon技术 * 管子 过时的 - 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001543386 Ear99 8542.39.0001 80
IGCM04B60GAXKMA1 Infineon Technologies IGCM04B60GAXKMA1 -
RFQ
ECAD 9313 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 过时的 通过洞 24-PowerDip 模块(1.028英寸,26.10mm) IGBT 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 280 3期 4 a 600 v 2000vrms
IM393X6FPXKLA1 Infineon Technologies IM393X6FPXKLA1 -
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 Infineon技术 CIPOS™ 管子 过时的 通过洞 26-Powersip模块,22条线索,形成铅 IGBT IM393x6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 15 3相逆变器 20 a 600 v 2000vrms
ACCESSORY23073NOSA1 Infineon Technologies 附件23073NOSA1 -
RFQ
ECAD 2237 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 附件2 - 到达不受影响 448-Accessory23073NOSA1 Ear99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库