SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
VS-MBR1545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1545CT-N3 -
RFQ
ECAD 2711 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR15 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMBR1545CTN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
VS-MBR2090CTG-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2090CTG-1PBF -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MBR20 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSMBR2090CTG1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C
VS-MBR2090CTKPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2090CTKPBF -
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSMBR2090CTKPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 90 V -55°C〜150°C
VS-MBR2535CT-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR2535CT-1PBF -
RFQ
ECAD 4925 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MBR25 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMBR2535CT1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 MV @ 15 A 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C
VS-MBRD320-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD320-M3 0.2764
RFQ
ECAD 3920 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MBRD320 肖特基 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMBRD320M3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 3 a 200 µA @ 20 V -40°C〜150°C 3a 189pf @ 5V,1MHz
VS-MBRD650CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRD650CT-M3 0.3353
RFQ
ECAD 2717 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MBRD650 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMBRD650CTM3 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 3a 700 mv @ 3 a 100 µA @ 50 V -40°C〜150°C
VS-MUR1020CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR1020CT-N3 -
RFQ
ECAD 9922 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MUR1020 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMUR1020CTN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 990 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VS-MURD620CTHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURD620CTHM3 1.8300
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 Murd620 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 3a 1 V @ 3 A 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
VT1080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080C-E3/4W 0.5409
RFQ
ECAD 7650 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080CE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VT1080C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080C-M3/4W 0.6008
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080CM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 720 MV @ 5 A 400 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VT1080SHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080SHM3/4W -
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080SHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V -55°C〜150°C 10a -
VT1080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080S-M3/4W 0.5561
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080SM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V -55°C〜150°C 10a -
VT2045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT2045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT2045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 580 mv @ 10 a 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT2060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060C-E3/4W 0.6197
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT2060 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT2060CE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 650 MV @ 10 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT2060CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060CHM3/4W -
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT2060 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT2060CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 650 MV @ 10 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT2060GHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2060GHM3/4W -
RFQ
ECAD 6190 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT2060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT2060GHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 900 mv @ 10 a 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT3045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT3045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060C-E3/4W 1.4200
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT3060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060G-E3/4W 0.6419
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3060GE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT3080CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3080CHM3/4W -
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT3080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3080CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 15a 820 MV @ 15 A 700 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VT30L60C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT30L60C-E3/4W 1.1233
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT30L60 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT30L60CE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 4 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VT4045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT4045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 6621 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT4045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT4045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT4045C-M3/4W 1.5286
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT4045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT4045CM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT6045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT6045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT6045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT6045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT760-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT760-M3/4W 0.4373
RFQ
ECAD 1210 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT760 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT760M34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mV @ 7.5 A 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C 7.5a -
VS-16CTQ080GPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080GPBF -
RFQ
ECAD 5576 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 16CTQ080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS16CTQ080GPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 880 mv @ 16 A 280 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-16CTQ080SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080SPBF -
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 16CTQ080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16CTQ080SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 880 mv @ 16 A 550 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-16CTU04-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04-1PBF -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 16CTU04 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16CTU041PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 8a 1.3 V @ 8 A 60 ns 10 µA @ 400 V 175°c (最大)
VS-16F120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16F120M 11.4300
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 16f120 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.23 V @ 50 A 29 ns -65°C〜175°C 16a -
VS-16FL100S10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FL100S10 -
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 16fl100 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16FL100S10 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.4 V @ 16 A 500 ns -65°C〜150°C 16a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库