SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
VS-80PFR120W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PFR120W 4.9319
RFQ
ECAD 5313 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 80pfr120 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80PFR120W Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.4 V @ 220 A -55°C〜180°C 80a -
VS-80PFR160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PFR160 5.1529
RFQ
ECAD 9238 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 80PFR160 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS80PFR160 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.46 V @ 220 A -55°C〜150°C 80a -
VS-81CNQ035ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-81CNQ035ASLPBF -
RFQ
ECAD 2649 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 81CNQ035 肖特基 D-61-8-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS81CNQ035ASLPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 40a 600 mv @ 40 a 5 ma @ 35 V -55°C 〜175°C
VS-83CNQ080ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-83CNQ080ASLPBF -
RFQ
ECAD 5957 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 83CNQ080 肖特基 D-61-8-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS83CNQ080ASLPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 40a 810 MV @ 40 A 1.5 ma @ 80 V -55°C 〜175°C
VS-83CNQ080ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-83CNQ080ASMPBF -
RFQ
ECAD 6702 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 通过洞 D-61-8-SM 83CNQ080 肖特基 D-61-8-SM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS83CNQ080ASMPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 40a 810 MV @ 40 A 1.5 ma @ 80 V -55°C 〜175°C
VS-85CNQ015ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85CNQ015ASLPBF -
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 85CNQ015 肖特基 D-61-8-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS85CNQ015ASLPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 15 v 40a 360 mv @ 40 a 20 ma @ 15 V -55°C〜125°C
VS-85HF10M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF10M 19.7286
RFQ
ECAD 3139 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 85HF10 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS85HF10M Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-85HFLR10S02M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFLR10S02M 22.8236
RFQ
ECAD 8537 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 85HFLR10 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS85HFLR10S02M Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.75 V @ 267 A 120 ns -40°C〜125°C 85a -
VS-85HFR40M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR40M 19.7286
RFQ
ECAD 1775年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 85HFR40 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS85HFR40M Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF100 9.4189
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HF100 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HF100 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HF60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF60 8.9661
RFQ
ECAD 7238 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HF60 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HF60 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HFL60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFL60S02 10.4273
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFL60 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFL60S02 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HFLR60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFLR60S02 10.4273
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFLR60 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFLR60S02 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 60 V 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HFR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFR120 8.7081
RFQ
ECAD 6665 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFR120 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFR120 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.2 V @ 267 A -55°C〜150°C 85a -
VS-87HFR120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFR120M 24.6782
RFQ
ECAD 2300 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFR120 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFR120M Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.2 V @ 267 A -55°C〜150°C 85a -
VS-87HFR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFR20 8.8076
RFQ
ECAD 2029 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFR20 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFR20 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-87HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HFR80 9.0566
RFQ
ECAD 2043 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 87HFR80 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS87HFR80 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-88CNQ060ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88CNQ060ASLPBF -
RFQ
ECAD 5909 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 88CNQ060 肖特基 D-61-8-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS88CNQ060ASLPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 40a 580 mv @ 40 a 640 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VS-88CNQ060ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88CNQ060ASMPBF -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 通过洞 D-61-8-SM 88CNQ060 肖特基 D-61-8-SM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS88CNQ060ASMPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 40a 580 mv @ 40 a 640 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VS-88HF120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF120 9.9469
RFQ
ECAD 8627 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 88HF120 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS88HF120 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-88HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF20 8.8342
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 88HF20 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS88HF20 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-88HF80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF80 12.0800
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 88HF80 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-88HFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HFR40 9.0122
RFQ
ECAD 7067 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 88HFR40 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS88HFR40 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 267 A -65°C〜180°C 85a -
VS-3EJH02HM3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3EJH02HM3/6B 0.5400
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 3EJH02 标准 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 930 MV @ 3 A 30 ns 2 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a 13pf @ 200V
MBR20100CT-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20100CT-M3/4W 1.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MBR20100CT-M3/4WGI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
PB5010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB5010-E3/45 4.4200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,PB PB5010 标准 ISOCINK+™PB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 PB5010-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 22.5 A 10 µA @ 1000 V 4.5 a 单相 1 kV
VBT2080C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT2080C-E3/4W 0.6270
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT2080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VBT2080C-E3/4WGI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 10a 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V 150°C (最大)
VBT30L60C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT30L60C-E3/4W 2.1400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT30L60 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 4 mA @ 60 V 150°C (最大)
VFT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT3060C-E3/4W 0.6839
RFQ
ECAD 3411 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VFT3060 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VFT3060C-E3/4WGI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 700 MV @ 15 A 1.2 ma @ 60 V -55°C〜150°C
VS-10ETS12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETS12FP-M3 2.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 10ets12 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-10ETS12FP-M3GI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.1 V @ 10 A 50 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 10a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库