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二极管（（166326）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
B80C800G-E4/51	0.6100	RFQ	3	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	4圆形，沃格	B80	标准		沃格	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000			1 V @ 900 MA		10 µA @ 125 V		900 MA		单相	125 v
G3SBA60-E3/51	0.8303	RFQ	8158	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	G3SBA60	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		2.3 a		单相	600 v
G3SBA60L-E3/51	-	RFQ	6752	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	G3SBA60	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 2 A		5 µA @ 600 V		2.3 a		单相	600 v
GBLA02-E3/51	0.6630	RFQ	8630	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，gbl	GBLA02	标准		GBL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	400			1.1 V @ 4 A		5 µA @ 200 V		3 a		单相	200 v
GBPC101-E4/51	-	RFQ	9300	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-1	GBPC101	标准		GBPC1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100			1 V @ 1.5 A		5 µA @ 100 V		2 a		单相	100 v
GBPC110-E4/51	-	RFQ	9061	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-1	GBPC110	标准		GBPC1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100			1 V @ 1.5 A		5 µA @ 1000 V		2 a		单相	1 kV
BYW27-200GPHE3/73	-	RFQ	1050	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	Byw27	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1 V @ 1 A	3 µs	200 na @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
DGP15HE3/73	-	RFQ	8491	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	DGP15	标准		DO-204AC（DO-15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1500 v	1.1 V @ 1 A	20 µs	5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
EGP10CHE3/73	-	RFQ	1116	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	EGP10	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	1a	22pf @ 4V，1MHz
EGP30CHE3/73	-	RFQ	4255	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	EGP30	标准		GP20	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	950 mv @ 3 a	50 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	3a	-
GBPC1504W-E4/51	5.3000	RFQ	163	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，GBPC-W	GBPC1504	标准		GBPC-W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100			1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
GBPC2508-E4/51	5.3000	RFQ	4621	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	盒子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC	GBPC2508	标准		GBPC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	100			1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 800 V		25 a		单相	800 v
GBU6B-E3/51	2.2100	RFQ	655	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 6 A		5 µA @ 100 V		3.8 a		单相	100 v
GBU8J-E3/51	2.0600	RFQ	58	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	托盘	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU8	标准		gbu	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 8 A		5 µA @ 600 V		3.9 a		单相	600 v
KBU4M-E4/51	3.3700	RFQ	284	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU4	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	KBU4ME451	Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 4 A		5 µA @ 1000 V		4 a		单相	1 kV
KBU6A-E4/51	3.0205	RFQ	2581	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU6	标准		KBU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		6 a		单相	50 V
1N4001GPHE3/73	-	RFQ	4402	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4001	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IN4001GPHE3/73	Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
1N4002GPEHE3/73	-	RFQ	3445	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4002	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
1N4006GP-E3/73	-	RFQ	5650	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4006	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
1N4007GP-E3/73	0.5400	RFQ	47	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（CT）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4007	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 1 A	2 µs	5 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V，1MHz
1N5624GPHE3/54	-	RFQ	1765年	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	1N5624	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,400	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1 V @ 3 A	3 µs	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
SRP300C-E3/73	-	RFQ	1296	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	（TB）	过时的			通过洞	DO-201 AD，轴向	srp300	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.3 V @ 3 A	100 ns	10 µA @ 150 V	-50°C〜125°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
UF5400-E3/73	-	RFQ	9121	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	（TB）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向	UF5400	标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V，1MHz
UG1A-E3/73	-	RFQ	2477	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	（TB）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	UG1	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
Z4KE120AHE3/73	-	RFQ	2487	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101	（TB）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	Z4KE120		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1 V @ 500 MA		500 NA @ 91.2 V						120 v	700欧姆
1N4004E-E3/54	0.4800	RFQ	21	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4004	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RGP20JHE3/73	-	RFQ	5125	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，epleaTectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	RGP20	标准		GP20	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 2 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	-
FGP50DHE3/73	-	RFQ	4885	Vishay通用半导体 -二极管部门	汽车，AEC-Q101，epleaTectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	FGP50	标准		GP20	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	950 mv @ 5 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	5a	100pf @ 4V，1MHz
GI818HE3/73	-	RFQ	6084	Vishay通用半导体 -二极管部门	epletectifier®	（TB）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	GI818	标准		DO-204AC（DO-15）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.2 V @ 1 A	750 ns	10 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
GP10-4002-E3/73	-	RFQ	7141	Vishay通用半导体 -二极管部门	-	（TB）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	GP10	标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v				-	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²