电话:+86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | C3D02060F | 1.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | C3D02060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-F2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 4A | 120pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | CSD10060G | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 16.5A | 550pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CSD01060E-TR | 1.5700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | CSD01060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@1A | 0纳秒 | 100 µA @ 600 V | -55℃~175℃ | 4A | 80pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | PC6D08065Q-TR | 2.6866 | ![]() | 5131 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 1697-PC6D08065Q-TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | |||||||||||||||||||
![]() | C4D10120A | 11.9400 | ![]() | 8907 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 33A | 754pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D10065Q-TR | 4.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 4-电源超薄四方无插座 (VQFN) | SiC(碳化硅)肖特基 | 4-QFN (8x8) | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@10A | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 39A | 611pF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | C3D06065A | 4.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@6A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 19A | 294pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D20065G | 8.7000 | ![]() | 第1181章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C6D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | - | 不适用 | 1697-C6D20065G | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.27V@20A | 0纳秒 | -55℃~175℃ | 20A | - | ||||||||
![]() | C4D10120D | 11.9400 | ![]() | 第741章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 9A | 1.8V@5A | 0纳秒 | 150μA@1200V | -55℃~175℃ | |||||
![]() | C3D10060G | 6.4500 | ![]() | 6606 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C3D10060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 29A | 480pF @ 0V、1MHz | |||||
| C3D25170H | - | ![]() | 第1147章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | C3D25170 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 2.5V@25A | 0纳秒 | 100μA@1700V | -55℃~175℃ | 26.3A | 2079pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C4D02120E | 3.0200 | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D02120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | 167pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D08065E-TR | 2.2299 | ![]() | 6350 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-C6D08065E-TR | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 29A | 518pF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | C2D20120D | - | ![]() | 6523 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | C2D20120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | Q3940325 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 22A | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | |||||
![]() | C6D20065H | 8.3400 | ![]() | 9598 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | C6D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | - | 不适用 | 1697-C6D20065H | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.27V@20A | 0纳秒 | -55℃~175℃ | 20A | - | ||||||||
![]() | C3D06060G-TR | 2.4311 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C3D06060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@6A | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 19A | 295pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C6D10065G | 4.4700 | ![]() | 264 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 3(168小时) | 1697-C6D10065G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@10A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 36A | 611pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D02060E-TR | 0.6787 | ![]() | 6025 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D02060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 5A | 11pF@400V,1MHz | ||||||
![]() | CSD20030D | - | ![]() | 7351 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 300伏 | 10A | 1.4V@10A | 0纳秒 | 300V时为200μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | C3D10065E | 6.2000 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 32A | 460.5pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D30120D | 32.9000 | ![]() | 第382章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C4D30120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 21.5A | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | |||||
![]() | CPW2-1200-S010B | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | 死 | SiC(碳化硅)肖特基 | 死 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 31A | - | |||||||
![]() | C3D20060D | 11.6100 | ![]() | 4604 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C3D20060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 10A | 1.8V@10A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | |||||
![]() | CPW2-1200-S005B | - | ![]() | 9742 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | 死 | SiC(碳化硅)肖特基 | 死 | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 17.5A | 455pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C3D06065E-TR | 2.0821 | ![]() | 8446 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | 1697-C3D06065E-TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 20A | 295pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D20065D1 | 8.7000 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C6D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | - | 不适用 | 1697-C6D20065D1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.27V@20A | 0纳秒 | -55℃~175℃ | 20A | - | ||||||
![]() | C3D20065D | 10.7700 | ![]() | 第588章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C3D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 10A(直流) | 1.8V@10A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | |||||
![]() | C3D08060A | 5.1700 | ![]() | 2378 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D08060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 24A | 441pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D10065A | 6.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 30A | 480pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D05170H | 8.3400 | ![]() | 第262章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | C6D05170 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 3(168小时) | 1697-C6D05170H | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.7V@5A | 0纳秒 | 1700V时为9μA | -55℃~175℃ | 21A | 638pF @ 0V、1MHz |

日平均询价量

标准产品单位

全球制造商

智能仓库