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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | C4D20120A | 21.9300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D20120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 54.5A | 1500pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D02120A | 3.0200 | ![]() | 6561 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D02120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | 167pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D04060F | 2.8900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | C3D04060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-F2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@4A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 6A | 251pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C2D10120D | - | ![]() | 5786 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-3 | C2D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 10A | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | C4D08120E | 10.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D08120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 3V@2A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 24.5A | 560pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | PC4D40120H | 3.3532 | ![]() | 3035 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 管子 | 的积极 | - | 1697-PC4D40120H | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | |||||||||||||||||||
![]() | C3D06060A | 3.8800 | ![]() | 8060 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D06060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@6A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 19A | 294pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D10060G-TR | 4.0406 | ![]() | 1020 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C3D10060 | 肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 29A | 480pF @ 0V、1MHz | ||||||
| C3D06065I | 4.3100 | ![]() | 9159 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2隔离片 | C3D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2隔离片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 13A | 295pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | E4D20120D | 25.8100 | ![]() | 第284章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | E系列,汽车 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | E4D20120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 1697-E4D20120D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 33A | 712pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D05120A | 6.7500 | ![]() | 第642章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D05120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 150μA@1200V | -55℃~175℃ | 19A | 390pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D40120D | 40.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C4D40120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 27A | 1.8V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | |||||
![]() | C6D10065E | 4.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 35A | 611pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C6D06065E | 2.6800 | ![]() | 6997 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@6A | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 23A | 394pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C5D05170H | - | ![]() | 6776 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | C5D05170 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1700V时为200μA | -55℃~175℃ | 18A | 425pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CSD10030A | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 300伏 | 1.4V@10A | 0纳秒 | 300V时为200μA | -55℃~175℃ | 10A | 660pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D04065E | 2.7300 | ![]() | 5485 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D04065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CSD04060E | - | ![]() | 3982 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,600 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 7A | 220pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D02065E | 1.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D02065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 8A | 120pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CVFD20065A | - | ![]() | 5573 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | CVFD20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.45V@20A | 0纳秒 | 650V时为80μA | -55℃~175℃ | 57A | 1100pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D30120H | 20.9200 | ![]() | 第646章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@30A | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 94A | 2177pF @ 0V、1MHz | ||||||||
| C3D08065I | 5.7500 | ![]() | 第716章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2隔离片 | C3D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2隔离片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 16.5A | 441pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D08060G | 5.1700 | ![]() | 第870章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C3D08060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 24A | 441pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C4D15120A | 17.9000 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D15120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 43.5A | 1200pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D08065A | 5.5400 | ![]() | 第871章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 24A | 441pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D08120E-TR | 6.6064 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D08120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 24.5A | 560pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D06065E-TR | 1.6766 | ![]() | 8286 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-C6D06065E-TR | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@6A | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 23A | 394pF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | C3D03060A | 2.1800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D03060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@3A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 11A | 155pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D05120E-TR | 4.3991 | ![]() | 7867 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D05120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 150μA@1200V | -55℃~175℃ | 19A | 390pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C4D08120A | 10.1400 | ![]() | 第737章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D08120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@7.5A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 24.5A | 560pF @ 0V、1MHz |

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