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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CPW2-1200-S010B-SK | - | ![]() | 4311 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | - | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | C3D04060E-TR | 1.3226 | ![]() | 3166 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D04060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@4A | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D10060A | 6.4500 | ![]() | 5604 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D10060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 30A | 480pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | CSD01060E | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | CSD01060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@1A | 0纳秒 | 100 µA @ 600 V | -55℃~175℃ | 4A | 80pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | CSD02060A | - | ![]() | 第1156章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 3.5A | 120pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C2D05120A | - | ![]() | 2689 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 17.5A | 455pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C3D06060G | 3.8800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C3D06060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 19A | 295pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D04060E | 2.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D04060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@4A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CPW2-1200-S010BP | - | ![]() | 6095 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | - | - | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | CSD06060G | - | ![]() | 1843年 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | Q3968271 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@6A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 10A | 340pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D20065G-TR | 4.5561 | ![]() | 7173 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | C6D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | - | 1697-C6D20065G-TR | 2,400 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.27V@20A | 0纳秒 | -55℃~175℃ | 20A | - | |||||||||
![]() | C3D03065E-TR | 1.0499 | ![]() | 8811 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D03065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 650伏 | 1.8V@3A | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 11A | 155pF @ 0V、1MHz | ||||||
| C3D10065I | 6.4700 | ![]() | 9173 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2隔离片 | C3D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2隔离片 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 19A | 480pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C5D25170H | - | ![]() | 3366 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-247-2 | C5D25170 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1700伏 | 1.8V@25A | 0纳秒 | 1700V时为200μA | -55℃~175℃ | 70A | 1950pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | CSD08060A | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 12.5A | 470pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C6D20065A | 7.9500 | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@20A | 0纳秒 | 650V时为80μA | -55℃~175℃ | 66A | 1153pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | C6D10065E-TR | 2.7999 | ![]() | 3711 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-C6D10065E-TR | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 35A | 611pF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | C3D04065A | 2.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D04065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D16065D | 6.4200 | ![]() | 328 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | C6D16065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1697-C6D16065D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 76A | 1.5V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | ||||||
![]() | C6D06065G-TR | 2.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 3(168小时) | 1697-C6D06065G-TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@6A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 23A | 393pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C3D03060E | 2.1800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D03060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@3A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 11A | 155pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C2D05120E | - | ![]() | 5500 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@5A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 17.5A | 455pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | E3D20065D | 12.7900 | ![]() | 第414章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | E系列,汽车 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | E3D20065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1697-E3D20065D | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 56A | 459pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | E4D02120E | 1.1044 | ![]() | 4622 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | E4D02120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | - | 1697-E4D02120E | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 8A | 153pF @ 0V、1MHz | ||||||||
![]() | C4D15120H | 18.7500 | ![]() | 174 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | C4D15120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 39A | 1200pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C4D10120E-TR | 7.2785 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 33A | 754pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C3D02060A | 1.6000 | ![]() | 第849章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D02060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.7V@2A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 5A | 120pF @ 0V、1MHz | |||||
![]() | C6D10065G-TR | 4.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@10A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 36A | 611pF @ 0V、1MHz | |||||||
![]() | CSD02060G | - | ![]() | 8430 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 零恢复™ | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 600V时为200μA | -55℃~175℃ | 3.5A | 120pF @ 0V、1MHz | ||||||
![]() | C6D08065A | 5.0300 | ![]() | 1668 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C6D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1697-C6D08065A | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 30A | 518pF @ 0V、1MHz |

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