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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMZJ3788BHE3_B/h | 0.1508 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ3788 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-SMZJ3788BHE3_B/h | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7 V | 9.1 v | 4欧姆 | |||||||||||||||
![]() | V10PWM60HM3/i | 0.3647 | ![]() | 1681年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | 到达不受影响 | 112-V10PWM60HM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 610 MV @ 10 A | 400 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 10a | 1580pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | VS-MBRB3045CTTRRP | - | ![]() | 5889 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB30 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBRB3045CTTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 760 mv @ 30 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | V20M120M-E3/4W | 0.5145 | ![]() | 8393 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | V20M120 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 1.01 V @ 10 A | 500 µA @ 120 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||
![]() | BZT52B5V1-G3-18 | 0.3600 | ![]() | 1948年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B5V1 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 NA @ 800 mV | 5.1 v | 30欧姆 | |||||||||||||||
![]() | IRKC91/10A | - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | IRKC91 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1000 v | 100a | 10 mA @ 1000 V | |||||||||||||||
VS-1KAB10E | 2.1300 | ![]() | 5270 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,D-38 | 1KAB10 | 标准 | D-38 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 1.2 A | 10 µA @ 100 V | 1.2 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||
![]() | 40CPQ080 | - | ![]() | 3834 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | 40CPQ | 肖特基 | TO-247AC | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 20a | 770 mv @ 20 a | 1.25 ma @ 80 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||
![]() | MMSZ4683-G3-08 | 0.3100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | MMSZ4683 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 800 na @ 1 V | 3 V | ||||||||||||||||
BZT52C3V0-HE3_A-18 | - | ![]() | 9658 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZT52 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 300兆 | SOD-123 | 下载 | 112-BZT52C3V0-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | |||||||||||||||||||
AZ23C20-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 1173 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | AZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | AZ23C20 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1对公共阳极 | 100 na @ 15 V | 20 v | 50欧姆 | |||||||||||||||
![]() | 6CWQ10FNTR | - | ![]() | 5272 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | 6CWQ10 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 3.5a | 810 MV @ 3 A | 1 mA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZM55B30-Tr | 0.3200 | ![]() | 4261 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZM55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BZM55B30 | 500兆 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 22 V | 30 V | 220欧姆 | ||||||||||||||
![]() | RGP10J-M3/73 | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | RGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | VLZ16C-GS18 | - | ![]() | 8705 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,VLZ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | SOD-80变体 | VLZ16 | 500兆 | SOD-80四元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 40 µA @ 14.9 V | 16.1 v | 18欧姆 | ||||||||||||||
![]() | 1N4004GPE-E3/93 | - | ![]() | 9547 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4004 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-VSKJ71/04 | 36.5930 | ![]() | 7205 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | VSKJ71 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSVSKJ7104 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 400 v | 40a | 10 ma @ 400 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | SS10PH10HM3_A/H | 0.9200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS10PH10 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 880 mv @ 10 a | 10 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 10a | 270pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | SS2PH9-E3/85A | - | ![]() | 5336 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-220aa | SS2PH9 | 肖特基 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 2 a | 1 µA @ 90 V | -55°C 〜175°C | 2a | 65pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-MBRD320TRRPBF | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MBRD3 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBRD320TRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA @ 20 V | -40°C〜150°C | 3a | 189pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||
![]() | S1B-M3/5AT | 0.0508 | ![]() | 3781 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | S1B | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | ES3C-M3/57T | 0.2101 | ![]() | 1516年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | ES3C | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT55B47-GS18 | 0.0433 | ![]() | 6341 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZT55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SOD-80变体 | BZT55B47 | 500兆 | SOD-80四元 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 36 V | 47 V | 110欧姆 | ||||||||||||||
![]() | GP10-4002-E3/54 | 0.1780 | ![]() | 5297 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | - | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | BAS34-TAP | 0.3500 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (CT) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BAS34 | 标准 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 60 V | 1 V @ 100 ma | 1 na @ 30 V | 175°c (最大) | 200mA | 3pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||
![]() | VX60120CHM3/p | 1.2656 | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-VX60120CHM3/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 30a | 940 mv @ 30 a | 600 µA @ 120 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | VS-50WQ03FN-M3 | 0.7800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | 50WQ03 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS50WQ03FNM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 460 mv @ 5 a | 3 ma @ 30 V | -40°C〜150°C | 5.5a | 590pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||
DZ23C20-HE3_A-18 | - | ![]() | 8850 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,DZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | 112-DZ23C20-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对普通阴极 | 100 na @ 15 V | 20 v | 20欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-30CTQ100PBF | - | ![]() | 9431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 30CTQ100 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 860 mv @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||||||||||||
![]() | VS-10MQ060HM3/5AT | 0.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 10MQ060 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 630 MV @ 1 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 1a | 31pf @ 10V,1MHz |
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