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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-10ETF12S-M3 | 0.9662 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 10etf12 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 1.33 V @ 10 A | 310 ns | 100 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 10a | - | |||||||||
![]() | SS1FL3-m3/i | 0.0959 | ![]() | 5955 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SS1FL3 | 肖特基 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 480 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 1a | 130pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | SA2J-M3/5AT | 0.0717 | ![]() | 3741 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SA2 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 2 A | 1.5 µs | 3 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 2a | 11pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | VS-8DKH02HM3/i | 0.4125 | ![]() | 4586 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 8DKH02 | 标准 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 4a | 960 mv @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | |||||||||
![]() | ESH2D-E3/5BT | 0.4300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | ESH2 | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 930 mv @ 2 a | 35 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | - | |||||||||
![]() | VS-30CTQ100G-1PBF | - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 30CTQ100 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | VS30CTQ100G1PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 1.05 V @ 30 A | 550 µA @ 100 V | 175°c (最大) | ||||||||||
MMBZ4626-E3-08 | - | ![]() | 1947年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ4626 | 350兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 4 V | 5.6 v | 1400欧姆 | |||||||||||||
![]() | V10D60C-M3/i | 1.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V10D60 | 肖特基 | SMPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 700 mv @ 5 a | 700 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | ||||||||||
![]() | ES1C-E3/61T | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES1 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||
VS-18TQ035PBF | - | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | 18TQ035 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 600 mv @ 18 a | 2.5 ma @ 35 V | -55°C 〜175°C | 18a | - | |||||||||||
VS-8ETH06PBF | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | 8ETH06 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.4 V @ 8 A | 25 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | VS-HFA50PA60C-N3 | 11.7200 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | HFA50 | 标准 | TO-247AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSHFA50PA60CN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 25a | 1.7 V @ 25 A | 23 ns | 20 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | gp10 the3/54 | - | ![]() | 9686 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1300 v | 1.3 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1300 V | -65°C〜150°C | 1a | 5pf @ 4V,1MHz | |||||||||
P300D-E3/54 | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | P300 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 3 A | 2 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||
![]() | VS-S1270 | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | S1270 | - | 112-VS-S1270 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
MBR1635-1HE3/45 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR16 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 750 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||
BY299P-E3/73 | - | ![]() | 1444 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | By299 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -50°C〜125°C | 2a | 28pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | VFT5200-E3/4W | 0.3873 | ![]() | 4723 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | VFT5200 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.6 V @ 5 A | 150 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | BZD27B39P-M3-08 | 0.4200 | ![]() | 7981 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZD27B-M | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-219ab | BZD27B39 | 800兆 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 30 V | 39 v | 40欧姆 | |||||||||||
![]() | RGP10GEHE3/91 | - | ![]() | 2439 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | RGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | BY229X-600-E3/45 | - | ![]() | 7393 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | BY229 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.85 V @ 20 A | 145 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||
![]() | SBL1030HE3/45 | - | ![]() | 8498 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBL1030 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 600 mv @ 10 a | 1 mA @ 30 V | -40°C〜125°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | VS-Murb1020CTLHM3 | 0.9293 | ![]() | 3483 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb1020 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 990 mv @ 5 a | 24 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | |||||||||
![]() | GL41GHE3/96 | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | GL41 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4246GP-E3/73 | - | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4246 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 400 V | -65°C〜160°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | 1N4249GP-M3/73 | - | ![]() | 2273 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4249 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜160°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||
![]() | Au1pmhm3/84a | 0.7600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | Au1 | 雪崩 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.85 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1a | 7.5pf @ 4V,1MHz | |||||||||
IMBD4448-E3-08 | 0.0396 | ![]() | 8374 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | IMBD4448 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | 150mA | - | ||||||||||
![]() | fepb16gthe3_a/p | 1.1715 | ![]() | 4519 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | FEPB16 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 8a | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | |||||||||
![]() | VT2080C-E3/4W | 0.6691 | ![]() | 9330 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | VT2080 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VT2080CE34W | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 10a | 810 MV @ 10 A | 600 µA @ 80 V | -55°C〜150°C |
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