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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5258C-TAP | 0.0288 | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5258 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | |||||||||||||
![]() | BZX384B5V6-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 3618 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZX384-G | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BZX384B5V6 | 200兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 µA @ 2 V | 5.6 v | 40欧姆 | ||||||||||||||
![]() | V40PWM10CHM3/i | 1.5800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | V40PWM10 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 890 mv @ 20 a | 400 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | VS-VSUD200CH40PBF | 37.5095 | ![]() | 6231 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | * | 大部分 | 积极的 | VSUD200 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSVSUD200CH40PBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SD103AWS-HE3-08 | 0.4000 | ![]() | 94 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | SD103 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mv @ 200 ma | 10 ns | 5 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 350mA | 50pf @ 0v,1MHz | |||||||||||
![]() | S1PJHM3/85A | 0.0754 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | S1P | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 6pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | VS-SD1700C45K | 288.7500 | ![]() | 1544年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 夹紧 | do-200 ac,k-puk | SD1700 | 标准 | do-200 ac,k-puk | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 4500 v | 2.11 V @ 4000 A | 75 ma @ 4500 V | 1875a | - | |||||||||||||
![]() | VS-4EVH01HM3/i | 0.2914 | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | 4EVH01 | 标准 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 25 ns | 3 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 4a | - | ||||||||||||
![]() | EGP51D-E3/c | 1.6700 | ![]() | 1543年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | EGP51 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 960 mv @ 5 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 5a | 117pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | SMZJ3804BHM3_A/i | - | ![]() | 5605 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ3804 | 1.5 w | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3200 | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 53欧姆 | ||||||||||||||
![]() | fepf16cthe3_a/p | - | ![]() | 9404 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | FEPF16 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 8a | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | SS2P3LHM3/84A | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | SS2P3 | 肖特基 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | 130pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-MBRB1545CTPBF | - | ![]() | 3652 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB15 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 7.5a | 840 mv @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | VS-180NQ045PBF | 24.7585 | ![]() | 3135 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | D-67半粉 | 180NQ045 | 肖特基 | D-67半粉 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 MV @ 180 A | 15 ma @ 45 V | 180a | 7700pf @ 5V,1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-MBR2545CT-1-M3 | 0.8623 | ![]() | 9099 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MBR2545 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 820 MV @ 15 A | 200 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | US1KHE3/61T | - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | US1 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | GL41A-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | GL41 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||
![]() | FEPF16JT-E3/45 | 0.9068 | ![]() | 6312 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | FEPF16 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 8a | 1.5 V @ 8 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
SB5H90-E3/54 | 0.7500 | ![]() | 7168 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SB5H90 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 800 mv @ 5 a | 200 µA @ 90 V | 175°c (最大) | 5a | - | |||||||||||||
![]() | VS-80CNQ040ASMPBF | - | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | D-61-8-SM | 80CNQ040 | 肖特基 | D-61-8-SM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS80CNQ040ASMPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 40a | 520 mv @ 40 a | 5 ma @ 35 V | -55°C〜150°C | |||||||||||
![]() | V15K100C-M3/h | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 4.2a | 690 mv @ 7.5 A | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZT52B11-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 4504 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZT52 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52B11 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 8.5 V | 11 V | 6欧姆 | ||||||||||||||
![]() | VS-111MT120KPBF | 99.4453 | ![]() | 9296 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Mt-k模块 | 111MT120 | 标准 | MT-K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS111MT120KPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 110 a | 三期 | 1.2 kV | ||||||||||||||
VS-MBR1635-N3 | - | ![]() | 3574 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR16 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBR1635N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 16a | 1400pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-S1076 | - | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | S1076 | - | 112-VS-S1076 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6483HE3/97 | - | ![]() | 2842 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N6483 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N6483HE3_A/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | VS-8ETH03STRRPBF | - | ![]() | 8358 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 8ETH03 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS803STRRPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 8 A | 27 NS | 20 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | 8a | - | ||||||||||
SBL10L25HE3/45 | - | ![]() | 1502 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | SBL10L25 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 25 v | 460 mv @ 10 a | 800 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | Au1pmhm3/84a | 0.7600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | Au1 | 雪崩 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.85 V @ 1 A | 75 ns | 1 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | 1a | 7.5pf @ 4V,1MHz | |||||||||||
![]() | VBT10202C-M3/4W | 1.6300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | VBT10202 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 880 mv @ 5 a | 150 µA @ 200 V | -40°C〜175°C |
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