SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
VT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060C-E3/4W 1.4200
RFQ
ECAD 7727 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 2 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT3060G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3060G-E3/4W 0.6419
RFQ
ECAD 1045 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT3060 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3060GE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 730 MV @ 15 A 850 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VT3080CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3080CHM3/4W -
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT3080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3080CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 15a 820 MV @ 15 A 700 µA @ 80 V -55°C〜150°C
VT30L60C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT30L60C-E3/4W 1.1233
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT30L60 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT30L60CE34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 600 mv @ 15 A 4 mA @ 60 V -40°C〜150°C
VT4045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT4045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 6621 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT4045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT4045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT4045C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT4045C-M3/4W 1.5286
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT4045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT4045CM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 20a 580 mv @ 20 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT6045CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT6045CHM3/4W -
RFQ
ECAD 3452 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 VT6045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT6045CHM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 640 mv @ 30 a 3 ma @ 45 V -40°C〜150°C
VT760-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT760-M3/4W 0.4373
RFQ
ECAD 1210 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT760 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT760M34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mV @ 7.5 A 700 µA @ 60 V -55°C〜150°C 7.5a -
VS-HFA70FA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA70FA120 53.7410
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 托盘 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 HFA70 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSHFA70FA120 Ear99 8541.10.0080 160 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 70a 3.8 V @ 60 A 51 ns 75 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
VS-HFA80FA120P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA80FA120P -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 托盘 过时的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 HFA80 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSHFA80FA120P Ear99 8541.10.0080 180 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 1200 v 40A(DC) 3.3 V @ 40 A 2 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
VS-100BGQ015HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ015HF4 4.6476
RFQ
ECAD 3265 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 100BGQ015 肖特基 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100BGQ015HF4 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 520 mv @ 100 a 18 ma @ 15 V -55°C〜125°C 100a 3800pf @ 5V,1MHz
VS-100BGQ030HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ030HF4 4.5103
RFQ
ECAD 2044 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 100BGQ030 肖特基 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS100BGQ030HF4 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 630 MV @ 100 A 2.4 mA @ 30 V -55°C〜150°C 100a -
VS-10CTQ150-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150-1PBF -
RFQ
ECAD 4380 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 10CTQ150 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10CTQ1501PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 10 A 50 µA @ 150 V 175°c (最大)
VS-10CWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CWH02FN-M3 0.9700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 10CWH02 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10CWH02FNM3 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.15 V @ 10 A 23 ns 40 µA @ 200 V 175°c (最大)
VS-10ETF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF04PBF -
RFQ
ECAD 4466 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 10ETF04 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF04PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06-M3 1.3142
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 10ETF06 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF06M3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF10FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10FP-M3 2.7400
RFQ
ECAD 912 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 10etf10 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12SPBF -
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10etf12 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF12SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETS08FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-108FP-M3 2.3200
RFQ
ECAD 978 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 10ETS08 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 10 A 50 µA @ 800 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ035-N3 -
RFQ
ECAD 6328 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 10TQ035 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10TQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 570 mv @ 10 A 2 ma @ 40 V -55°C 〜175°C 10a 900pf @ 5V,1MHz
VS-111CNQ045ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-111CNQ045ASMPBF -
RFQ
ECAD 5448 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 D-61-8-SM 111CNQ045 肖特基 D-61-8-SM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS111CNQ045ASMPBF Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 110a 1.5 ma @ 45 V 175°c (最大)
VS-12CTQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ035-N3 -
RFQ
ECAD 3463 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 12CTQ035 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS12CTQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 6a 730 MV @ 12 A 800 µA @ 35 V 175°c (最大)
VS-150EBU02HF4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150EBU02HF4 8.4500
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 底盘安装 PowerTab® 150EBU02 标准 PowerTab® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 150 A 50 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 150a -
VS-150U120DM12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U120DM12 36.8068
RFQ
ECAD 3670 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150U120 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS150U120DM12 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.47 V @ 600 A -40°C〜180°C 150a -
VS-150U80D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U80D 40.7900
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150U80 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.47 V @ 600 A -40°C〜180°C 150a -
VS-150U80DL Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150U80DL 36.4608
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 150U80 标准 DO-205AA(DO-8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS150U80DL Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.47 V @ 600 A -40°C〜180°C 150a -
VS-15CTQ045-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045-1PBF -
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 15CTQ045 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS15CTQ0451PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 700 MV @ 15 A 800 µA @ 45 V 150°C (最大)
VS-15ETH03-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH03-1PBF -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 在sic中停产 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 15ETH03 标准 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS15ETH031PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 15 A 32 ns 40 µA @ 300 V -65°C〜175°C 15a -
VS-15ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06FP-N3 1.8500
RFQ
ECAD 295 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 15eth06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS15ETH06FPN3 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.2 V @ 15 A 29 ns 40 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
VS-15ETL06SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETL06SPBF -
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 15ETL06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS15ETL06SPBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.2 V @ 15 A 29 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库