SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
AS1PKHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS1PKHM3/85A 0.3630
RFQ
ECAD 5490 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa AS1 雪崩 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.15 V @ 1.5 A 1.5 µs 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 1.5a 10.4pf @ 4V,1MHz
FESB16JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16JTHE3_A/p 1.2898
RFQ
ECAD 2977 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 到达不受影响 112-fesb16jthe3_a/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 16a 145pf @ 4V,1MHz
VS-70HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR80 12.2100
RFQ
ECAD 1522 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 70HFR80 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.35 V @ 220 A 9 ma @ 800 V -65°C〜180°C 70a -
BZT52C39-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C39-G3-08 0.0409
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52C39 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 29 V 39 v 87欧姆
PLZ2V4A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ2V4A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,PLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3.92% 150°C(TJ) 表面安装 DO-219AC PLZ2V4 960兆 DO-219AC(microSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 120 µA @ 1 V 2.43 v 100欧姆
1N5624GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624GP-E3/73 -
RFQ
ECAD 4947 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5624 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 3 A 3 µs 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
GLL4745-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4745-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 3830 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 do-213ab,Melf GLL4745 1 w Melf DO-213AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 5 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
BZD27C200P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C200P-E3-18 0.1612
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27C 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C200 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 150 V 200 v 500欧姆
VSSB420S-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB420S-M3/52T 0.4400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB420 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.9 V @ 4 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C 1.8a 120pf @ 4V,1MHz
VS-30WQ04FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30WQ04FNTRL-M3 0.6400
RFQ
ECAD 6076 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 30WQ04 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 530 mv @ 3 a 2 ma @ 40 V -40°C〜150°C 3.5a 189pf @ 5V,1MHz
VS-15ETH06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06S-M3 1.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 15eth06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.2 V @ 15 A 35 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
MMBZ4619-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4619-E3-08 -
RFQ
ECAD 7659 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ4619 350兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 800 na @ 1 V 3 V 1600欧姆
1N6480-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6480-E3/96 0.4500
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N6480 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
VS-20ATS12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ATS12PBF -
RFQ
ECAD 6571 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 20ATS12 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS20ATS12PBF Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 20a -
MMBZ5238C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5238C-G3-18 -
RFQ
ECAD 5009 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5238 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 6.5 V 8.7 v 8欧姆
BZD27C30P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C30P-HE3-08 0.4200
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZD27C 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C30 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V 15欧姆
82CNQ030ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 82CNQ030ASL -
RFQ
ECAD 8493 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 82CNQ 肖特基 D-61-8-SL 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 40a 550 mv @ 80 A 5 ma @ 30 V -55°C〜150°C
VS-100BGQ045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-100BGQ045 4.3500
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 PowerTab™,Powirtab™ 100BGQ045 肖特基 POWIRTAB™ 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 730 MV @ 100 A 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C 100a -
VB20100SG-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20100SG-E3/8W 0.4950
RFQ
ECAD 3797 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.07 V @ 20 A 350 µA @ 100 V -40°C〜150°C 20a -
MMSZ4709-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4709-HE3-18 0.0546
RFQ
ECAD 2991 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ4709 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 18.2 V 24 V
VS-20TQ035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20TQ035PBF -
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 20TQ035 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 570 mv @ 20 a 2.7 ma @ 35 V -55°C〜150°C 20a -
FES16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16DT-E3/45 1.4000
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 FES16 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a -
BYV27-100-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-100-TAP 0.7400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 2a -
BYT56K-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56K-TAP 0.5346
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
VS-S669B Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S669B -
RFQ
ECAD 2901 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - 112-VS-S669B 过时的 1
BZW03D20-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D20-TAP -
RFQ
ECAD 9592 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 14.4 V 20 v 3欧姆
88CNQ060ASL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 88CNQ060ASL -
RFQ
ECAD 4100 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 D-61-8-SL 88cnq 肖特基 D-61-8-SL 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *88CNQ060ASL Ear99 8541.10.0080 400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 40a 580 mv @ 40 a 640 µA @ 60 V -55°C〜150°C
SRP600D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP600D-E3/54 -
RFQ
ECAD 1378 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 P600,轴向 SRP600 标准 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 6 A 150 ns 10 µA @ 200 V -50°C〜125°C 6a -
VS-SD2500C24K Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD2500C24K 232.6950
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 夹紧 do-200 ac,k-puk SD2500 标准 do-200 ac,k-puk 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSSD2500C24K Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2400 v 1.14 V @ 4000 A -40°C〜180°C 3000a -
BYW52-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW52-TAP 0.2376
RFQ
ECAD 4539 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW52 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库