SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N4937GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GP-E3/54 0.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4248GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 1276 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4248 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 800 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
EGL34D-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL34D-E3/98 0.4100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AA() EGL34 标准 DO-213AA(GL34) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.25 V @ 500 mA 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 500mA 7pf @ 4V,1MHz
SS26-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-M3/5BT 0.1467
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS26 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 2 a 400 µA @ 60 V -65°C〜150°C 2a -
FEPB6DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB6DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB6 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C
GBU8K-7001M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8K-7001M3/45 -
RFQ
ECAD 9678 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 3.9 a 单相 800 v
UGB10FCTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB10FCTHE3_A/i -
RFQ
ECAD 8791 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 TO-263AB 下载 到达不受影响 112-ugb10fcthe3_a/itr Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 5a 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C
VS-50SQ100TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50 SQ100TR -
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ar,轴向 50平方英尺 肖特基 do-204ar 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 660 mv @ 5 a 550 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 5a -
BYX83TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byx83tr 0.2574
RFQ
ECAD 9910 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 byx83 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2a 20pf @ 4V,1MHz
VSB1545-5300M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB1545-5300M3/73 -
RFQ
ECAD 1052 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® (TB) 过时的 通过洞 P600,轴向 B1545 肖特基 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 590 mv @ 15 A 800 µA @ 45 V -40°C〜150°C 6a 1290pf @ 4V,1MHz
VS-20ETF02S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF02S-M3 1.5268
RFQ
ECAD 9930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20ETF02 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 20 A 160 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 20a -
1N5621GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5621GPHE3/54 -
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 1N5621 标准 DO-204AC(DO-15) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 300 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
VS-1N3671A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3671A -
RFQ
ECAD 2611 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3671 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.35 V @ 12 A 800 µA @ 800 V -65°C 〜200°C 12a -
15CTQ035STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15CTQ035STRR -
RFQ
ECAD 3989 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 15ctq 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 7.5a 550 MV @ 7.5 A 800 µA @ 35 V -55°C〜150°C
VBT10202C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT10202C-M3/4W 1.6300
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT10202 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 880 mv @ 5 a 150 µA @ 200 V -40°C〜175°C
VS-15ETL06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETL06S-M3 1.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 15ETL06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.05 V @ 15 A 270 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
VS-E4PH6006LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E4PH6006LHN3 2.8900
RFQ
ECAD 480 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 E4PH6006 标准 TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 60 A 68 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 60a -
VSSAF512HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF512HM3/h 0.4800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS®,Slimsma™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SAF512 肖特基 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 880 mv @ 5 a 400 µA @ 120 V -40°C〜150°C 5a 360pf @ 4V,1MHz
AZ23B12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B12-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 6742 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B12 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 na @ 9 V 12 v 20欧姆
GL41JHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41JHE3/96 -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) GL41 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 gl41jhe3_a/h Ear99 8541.10.0080 1,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
MMSZ4711-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4711-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 6220 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ4711 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 10 na @ 20.4 V 27 V
VS-16CTQ080PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080PBF -
RFQ
ECAD 6663 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 16CTQ080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 720 MV @ 8 A 550 µA @ 80 V -55°C 〜175°C
200CNQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 200CNQ035 -
RFQ
ECAD 2205 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 200CNQ 肖特基 TO-244AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *200CNQ035 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 100a 540 mv @ 100 a 10 mA @ 35 V -55°C 〜175°C
ESH1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PDHM3/84A 0.1681
RFQ
ECAD 5733 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa ESH1 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 1 A 25 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
TLZ9V1-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ9V1-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 1743年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TLZ9V1 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 9.1 v 8.5欧姆
SBL10L25HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL10L25HE3/45 -
RFQ
ECAD 1502 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 SBL10L25 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 460 mv @ 10 a 800 µA @ 25 V -65°C〜150°C 10a -
163CMQ100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 163CMQ100 -
RFQ
ECAD 3179 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-249AA 163cmq 肖特基 TO-249AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 160a 1.17 V @ 160 A 1.5 ma @ 100 V -55°C 〜175°C
VS-8ETH03STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH03STRRPBF -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 8ETH03 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS803STRRPBF Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.25 V @ 8 A 27 NS 20 µA @ 300 V -65°C〜175°C 8a -
VS-10ETF12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12S-M3 0.9662
RFQ
ECAD 8949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10etf12 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-30CTQ100G-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ100G-1PBF -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA 30CTQ100 肖特基 TO-262-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VS30CTQ100G1PBF Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 1.05 V @ 30 A 550 µA @ 100 V 175°c (最大)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库