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![]() | VS-E5TX2112S2LHM3 | 2.6900 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt®G5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.6 V @ 20 A | 115 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 20a | - | ||||||||||
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![]() | VS-3C06ET07T-M3 | 2.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-3C06ET07T-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 35 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | 255pf @ 1V,1MHz | |||||||||
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![]() | VS-3C12ET07T-M3 | 5.7700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | VS-3C12 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-VS-3C12ET07T-M3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 12 A | 0 ns | 65 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 12a | 535pf @ 1V,1MHz | ||||||||
![]() | VS-3C08ET07S2L-M3 | 4.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 45 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 340pf @ 1V,1MHz | ||||||||||
![]() | RGF1G-1HE3_A/H | - | ![]() | 8914 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214BA | 标准 | DO-214BA(GF1) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 112-RGF1G-1HE3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8.5pf @ 4V,1MHz |
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